“小泽隆弘”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]成膜装置-CN201780012924.5有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;深田启介;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;藤林裕明;上东秀幸;内藤正美;原一都;青木宏文;小泽隆弘 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;株式会社力森诺科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
装置

[发明专利]气相生长装置及气相生长方法-CN201180068690.9有效
发明人： 小泽隆弘;中嶋健次;全基荣;伊藤孝浩 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。
相生装置方法

[发明专利]半导体膜的气相生长方法-CN201080066784.8在审
发明人：伊藤孝浩;小泽隆弘;中岛健次;全基荣 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：半导体膜的气相生长方法包括向加热至1200～1400℃的基板的表面从与该表面垂直的方向供应包含氯硅烷气体和载气的混合原料气体的工序。氯硅烷气体的供应量相对基板每1cm2的表面而言为200μmol/分钟以上。载气包含氢气、和从氩气、氙气、氪气以及氖气中选择的至少一种以上的气体。
半导体相生方法

[发明专利]包括发光二极管的发光器件-CN200910129553.6有效
发明人：伊藤健治;富田一义;加地彻;小泽隆弘;加藤觉;市川正;井上光宏 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： F21V9/10 文献下载
摘要：本发明涉及包括发光二极管的发光器件，该发光器件包括发光二极管、红色发光荧光体层、黄色发光荧光体层和蓝色发光荧光体层。这些层按照顺序为逐渐远离LED的黄色、蓝色和红色荧光体层的堆叠序列堆叠。首先确定黄色和蓝色荧光体层的堆叠序列，使得这些层不相互作用。红色和黄色荧光体层的堆叠序列以及红色和蓝色荧光体层的堆叠序列通过判别式D确定。堆叠序列的这种确定抑制了由于浓度淬灭所导致的荧光体转换效率的降低，改善了发光器件的发射效率。
包括发光二极管发光器件

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200810000349.X无效
发明人：浅井诚;山崎史郎;小泽隆弘;生川满久 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法。由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al_0.005In_0.045Ga_0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al_0.12Ga_0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200480012658.9无效
发明人：浅井诚;山崎史郎;小泽隆弘;生川满久 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al_0.005In_0.045Ga_0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al_0.12Ga_0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光装置-CN02803594.1有效
发明人： 小泽隆弘;柴田直树 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2002-01-04 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供的III族氮化物半导体发光元件具有包括AlGaInN的组成比不同的两个层的发光层，该发光层能够发射发光峰的波长在紫外区的光和发光峰的波长在可见区的光。这样的发光元件和由紫外区的光激发的荧光材料结合，构造成发光装置。
发光装置