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[实用新型]杜马斯燃烧法测量液体样品的新型进样装置-CN202121213640.2有效
发明人：李晓刚;贾鹏;张文;杨洪久;张宝顺 -专利权人：北京诺德泰科仪器仪表有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01N35/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种杜马斯燃烧法测量液体样品的新型进样装置，包括工作台、转臂、升降机构以及自动注射装置，所述工作台可供样品溶液放置，并且布置有进样口，进样口的下方连通至燃烧系统；所述转臂布置于所述工作台的一侧，并由旋转电机驱动而能够水平旋转；所述升降机构布置于所述转臂上，能够驱动所述自动注射装置相对于转臂升降移动；所述自动注射装置包括注射器与推拉电机，所述注射器朝下伸出有进样针，所述进样针的针头朝向所述工作台，所述注射器的推杆与所述推拉电机相连，受所述推拉电机的驱动而完成抽取与注射动作。本实用新型液体样品自动进样装置不仅实现了大部分液体样品的全自动进样，还保证了液体样品氮结果的可靠性和稳定性。
杜马燃烧测量液体样品新型装置

[发明专利]多晶硅还原炉内壁镀膜装置及方法-CN202011485795.1有效
发明人： 张宝顺;宗冰;任长春;何乃栋;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了晶硅还原炉内壁镀膜装置及方法，装置包括：底座，具有至少两个气体置换孔；与钟罩形状相同且比钟罩小的中空靶材，靶材的材料与镀膜的目标材料相同，设置于钟罩内部；钟罩和靶材均位于底座上；钟罩具有夹套，夹套可注入具有热量的流动介质；加热装置，设置于靶材内部，用于对靶材进行加热；气体交换装置，用于对钟罩和靶材之间的空间进行气体置换；当靶材置于钟罩内部时，气体置换孔位于靶材和钟罩之间的空间；电源装置，具有与钟罩连接的正极、以及与靶材连接的负极。本发明可以在多晶硅还原炉内壁上制备组织均匀、结合力强的超薄金属薄膜，并且可以同时向钟罩内壁各个位置镀膜，能够避免分段镀膜导致的应力集中或残留问题。
多晶还原内壁镀膜装置方法

[实用新型]制备颗粒状多晶硅的流化床反应器-CN202120506212.2有效
发明人： 张宝顺;宗冰;王体虎;陈海宝;刘廷泽 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备颗粒状多晶硅的流化床反应器，属于多晶硅制备技术领域，包括晶种生长区，晶种生长区设有红外加热器和透光筒，红外加热器设于反应器内壁与透光筒外壁之间的第一空腔内，第一空腔内通有冷氮气或氢气，红外加热器发出的红外光进入透光筒，透光筒筒体内有晶种和含硅物料。本实用新型通过调整红外波的波长和密度可以在600‑1300℃区间调控晶种的温度，防止加热后的高温硅物料转化为微硅粉；同时，第一空腔内通入的冷氮气或氢气能够使透光筒筒壁温度低于200℃，含硅物料不会在透光筒内壁发生沉积反应，因此透光筒内壁能够时刻保持洁净的状态，进而实现稳定地颗粒硅规模化生产。
制备颗粒状多晶流化床反应器

[发明专利]GaN MISHEMT器件及其制作方法-CN202110886070.1在审
发明人：于子呈;张丽;周鑫;徐坤;邓旭光;范亚明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN MISHEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层；在所述二维材料钝化层上形成介质层；以及制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。本发明提供的制作方法，在生长完GaN HEMT外延结构后原位生长二维h‑BN作为表面钝化层，然后再二次沉积介质层，可以阻挡表面损伤，屏蔽表面悬挂键，降低界面态密度，进而有效地抑制电流崩塌效应，使器件获得更好的直流特性和动态特性。
gan mishemt 器件及其制作方法

[发明专利]氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用-CN202110849666.4在审
发明人：王哲明;蔡勇;张璇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用。所述方法包括：对掺有1％～3％In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活，从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法，在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性，外延生长的氮化镓材料整体的质量较高，其本征浓度与GaN的本征浓度接近，从而使在进行退火激活时不需苛刻的高温、高压条件，从而降低了工艺的危险性。
氮化掺杂方法 gan pn 制作方法及其应用

[发明专利]基于斯格明子的自旋忆阻突触器件-CN202010262550.6在审
发明人：曾中明;李荣鑫;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于斯格明子的自旋忆阻突触器件，其包括：两端口存在自旋霍尔角的重金属层；位于重金属层上的磁性自由层，所述磁性自由层被划分为隧道结区和斯格明子存储区域，所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间设置有阻碍斯格明子自由移动的阻隔件；依次设置于隧道结区上的绝缘势垒层、磁性钉扎层和金属顶电极；其中，所述金属顶电极被配置为连接初始化电流以在所述隧道结区产生斯格明子，所述重金属层被配置为连接写入电流以驱动斯格明子在所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间移动，所述金属顶电极还被配置为连接读出电流以读取所述隧道结区的电导。本发明提供的自旋忆阻突触器件具有读写能耗低、稳定性高、电导态数目相对多的优点。
基于明子自旋突触器件

[发明专利]磁性隧道结以及神经元非线性响应器件-CN202010262733.8在审
发明人：曾中明;李荣鑫;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性隧道结，其包括顶电极和底电极以及隧道结，所述底电极为两端口存在自旋霍尔角的重金属层，所述隧道结包括依次设置在底电极上的磁性自由层、绝缘势垒层、磁性钉扎层、反铁磁耦合间隔层、反铁磁耦合磁性层和反铁磁层；其中，所述磁性自由层、磁性钉扎层和反铁磁耦合磁性层均为面内磁矩且易轴沿着底电极的宽方向，所述磁性钉扎层与所述反铁磁耦合磁性层的磁矩方向相反，所述反铁磁层的反铁磁序的方向为所述反铁磁耦合磁性层的易轴方向。本发明还提供了一种包含如上所述的磁性隧道结神经元非线性响应器件。本发明提供的磁性隧道结以及相应的非线性响应器件，可以使得器件的非线性响应特征优良、能耗低、稳定性高。
磁性隧道以及神经元非线性响应器件

[发明专利]双屏幕电子装置和声音信号输出设定的设定方法-CN202010309888.2在审
发明人： 张宝顺 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供了一双屏幕电子装置和声音信号输出设定的设定方法。双屏幕电子置包括第一显示装置、第二显示装置、复数传感器、传感器控制器、嵌入式控制器和音频装置。复数传感器产生复数个感测信号。传感器控制器取得复数感测信号，且根据复数感测信号，产生显示模式信息。嵌入式控制器藉由第一传输接口取得显示模式信息，以及根据显示模式信息产生设定信息。音频装置藉由第二传输接口取得设定信息，以及根据设定信息，设定复数声音信号输出信道的声音信号输出设定。因此，本发明可直接藉由双屏幕电子装置的硬件，根据显示模式，设定声音信号输出信道的声音信号输出设定。
双屏电子装置声音信号输出设定方法

[外观设计]瓷砖倒角机-CN202130347658.0有效
发明人： 张宝顺 -专利权人： 张宝顺
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：瓷砖倒角机。2.本外观设计产品的用途：用于瓷砖倒角的机械。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
瓷砖倒角

[实用新型]同时生产多尺寸多晶硅和多种类硅基气体的系统-CN202023136053.6有效
发明人： 张宝顺;陈海宝;刘建华;刘廷泽;蔡延国;蔡向忠;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了同时生产多尺寸多晶硅和多种类硅基气体的系统，包括多晶硅还原炉、流化床反应器、粉末多晶硅收集装置、第一换热器、第二换热器、第一精馏塔、第二精馏塔、第三精馏塔、第四精馏塔、第五精馏塔、第六精馏塔、第一分离塔、第一混合器、第二混合器及氯硅烷反应器。本实用新型可以仅利用一套系统同时生产出块状多晶硅、颗粒多晶硅和粉末多晶硅，以及四氯化硅等多种单体或聚合硅基气体，能够从最大程度上降低多晶硅和硅基气体的生产成本，将有效促进光伏能源产业和集成电路产业的快速、健康发展。
同时生产尺寸多晶多种类硅基气体系统

[实用新型]还原炉-CN202022494674.5有效
发明人：宗冰;张宝顺;任长春;苏明录;孟兵营 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及生产技术领域，尤其是涉及一种还原炉，包括对可见及红外光具有反射作用的光反射层和对可见及红外光具有透射作用的光透射层，所述光反射层包括靠近反应物料一侧的反射端面和另一侧的贴合端面，所述光透射层设置在所述反射端面上。能够避免光反射层在还原炉的间歇性运行中与空气中的氧气结合而在表面生成金属氧化膜，使得光反射层的反射性能急剧下降，无法长时间维持高的反射率的情况。
还原

[发明专利]电子装置与其固件更新方法-CN201810153599.0有效
发明人： 张宝顺 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G06F9/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子装置与其固件更新方法。电子装置包括固件存储装置、微控制器，以及网络接口模块。固件存储装置存储有固件，而微控制器耦接固件存储装置。网络接口模块耦接微控制器，经由网络从远端服务器接收封包，并藉由判断该封包是否为一网络唤醒封包以及是否包括一固件更新指令以判断封包是否符合特定格式。若封包符合特定格式，微控制器通过网络接口模块获取远端服务器所提供的固件更新数据，并利用固件更新数据刷新固件存储装置所记录的固件。本发明能够提供一种便利、省时且节省成本的固件更新方式。
电子装置与其更新方法

[发明专利]一种原子气室及其制作方法-CN202010116706.X在审
发明人：夏先海;王逸群;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子气室的制作方法，该方法包括：在第一蓝宝石基板上形成具有第一通孔的第一键合层，且在第二蓝宝石基板上形成具有第二通孔的第二键合层，第一通孔和第二通孔一一对应；在第一通孔或第二通孔中放置填充材料；将第一键合层和第二键合层进行键合。本发明还公开了利用上述制作方法制作的原子气室。本发明解决了原子气室的材料与碱金属之间的消耗反应和缓冲气体渗漏高，从而导致原子气室的使用寿命减少的问题。
一种原子及其制作方法

[发明专利]通过p型钝化实现增强型HEMT的方法-CN202110636811.0在审
发明人：宋亮;郝荣晖;付凯;于国浩;张晓东;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且异质结构中形成有二维电子气；在第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。
通过钝化实现增强 hemt 方法

[发明专利](0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法-CN201710268906.5有效
发明人：林文魁;曾春红;张宝顺;孙玉华;张璇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或晶面平行。所述晶圆的加工方法包括：于(0001)面外延的六方相SiC晶圆的外延层表面加工形成至少一多边形沟槽，并使其垂直于(0001)面碳化硅外延片表面；对构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面进行晶面校正并使该至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或晶面平行。本发明所获UMOSFET器件能利用或晶面及其等效晶面的迁移率特性，提高器件性能。
0001 外延六方相 sic 晶圆 umosfet 器件及其制作方法