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[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法-CN201910670046.7在审
发明人： 张宝顺;宋亮;张晓东;于国浩 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于能量吸收层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述能量吸收层全部或部分区域为F离子注入区，通过F离子注入以调控阈值电压。本发明在栅下区域设置了F离子注入区并作为能量吸收层，有效地减少了离子注入过程中的损伤，达到提升HEMT器件性能的目的；通过控制离子注入条件调控HEMT器件阈值电压，实现较高的阈值电压。
氮化物增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]改良的HEMT器件及其制作方法-CN202011107905.0在审
发明人：于国浩;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本申请公开了一种改良的HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括沿设定方向排列的多个单胞，每一单胞均是直接在用于制作HEMT器件的半导体外延结构中加工形成的独立功能单元，其中相邻两个单胞之间设置有隔离区，并且该相邻两个单胞共用源极或漏极，该相邻两个单胞之间的隔离区分布于该共用的源极或漏极下方。本申请的HEMT器件因采用了在源极和漏极下方设置隔离区域的方案，可以不影响器件输出电流的条件下，有效降低器件垂直方向的漏电面积，并显著提高了器件的垂直耐压特性。该工艺可以采用注入或者刻蚀等方法实现，相应的工艺可以在制备器件的有源区时同时进行，不影响器件的制作工艺和制作效率。
改良 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]用于垂直炉紫外荧光总硫分析仪的反应管-CN202011186013.4在审
发明人：郭智成;杨红梅;尚东红;李晓刚;张宝顺;左向东;杨洪久 -专利权人：北京诺德泰科仪器仪表有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供一种用于垂直炉紫外荧光总硫分析仪的反应管，具有直径不同而在径向上相互间隔的内层石英管、中间层石英管以及外层石英管，其中：内层石英管的上端通过进样管道连通有进样口与氩气进气口；内层石英管的下端具有开口；外层石英管的上端与内层石英管的上端焊接密封于一顶面，在所述顶面上与内层石英管不相通的位置连通有氧气进气口，外层石英管的下端连通有气体出口；中间层石英管的上端焊接于所述内层石英管的外壁上并且形成有1‑8个豁口，所述中间层石英管的下端封闭并且位于内层石英管的下端的下方。本发明可使气化和燃烧更加充分，从而减少了积碳的形成。
用于垂直紫外荧光分析反应

[发明专利]垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法-CN201910629229.4在审
发明人：李军帅;张晓东;张宝顺;曹旭 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明揭示了一种垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法，通入Ga源和O源，利用Ga催化剂自催化方法在衬底表面外延生长纳米线阵列，其中，外延生长温度为400℃～550℃。本发明利用Ga液滴自催化技术实现了垂直于衬底表面的高结晶质量纳米线阵列的制备，避免了其它催化剂对外延材料的非故意掺杂污染。本发明可在低温段500℃以下实现β‑Ga2O3纳米线的外延制备，可有效节省能源消耗。
垂直氧化纳米阵列外延方法

[发明专利]基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法-CN201910610514.1在审
发明人：张晓东;魏星;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法，所述场效应晶体管依次包括衬底、Ⅲ族氮化物异质结、p型半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括沟道层及势垒层，所述金属电极包括位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于p型半导体层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述p型半导体层中通过O等离子体处理形成有沟道阵列，沟道阵列包括位于源极和漏极之间的若干第一沟道及位于栅极旁侧的第二沟道。本发明通过对p型半导体层进行O等离子处理形成沟道阵列，无需对器件栅极下方区域进行刻蚀，避免了因刻蚀工艺引入的均匀性、重复性和引入损伤问题。
基于氮化物异质结场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]增强型晶体管及其制作方法-CN201610532567.2有效
发明人：付凯;何涛;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型晶体管，包括衬底以及依次形成于所述衬底上的背势垒层、沟道层和异质层，所述异质层上设置有一高迁移率薄膜层，所述高迁移率薄膜层定义出源极区、漏极区和栅极区，所述源极区和漏极区分别连接有源电极和漏电极，所述栅极区被刻蚀形成一暴露出所述异质层的窗口；所述高迁移率薄膜层上依次形成有绝缘介质层和栅电极，所述栅电极在所述高迁移率薄膜层上的投影至少完全覆盖所述窗口。本发明提供的增强型晶体管及其制作方法，提出了一种实现增强型高迁移率晶体管的解决方案，提升了整个增强型晶体管的电子迁移率和工作频率、降低了整个增强型晶体管的导通损耗和开关损耗、简化了制作工艺及晶体管的结构、降低了制作成本。
增强晶体管及其制作方法

[发明专利]气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉-CN201710773743.6有效
发明人：鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示了气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉，气相沉积炉的均匀供气装置，包括至少一条呈T字形的匀气管路，所述匀气管路的出气孔的朝向与反应气体的上升方向相反且背向工件。本发明设计精巧，通过设置出气孔的朝向，能够使反应气体流出后逐步的扩散到工件区域，避免了一个气口直接朝向工件供气时易造成气流冲击以及易使反应气体集中于某一区域，造成反应气体分布不均匀的问题，能够保证反应气体供应的均匀性，有利于提高薄膜沉积的质量。
沉积均匀供气装置

[发明专利]基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法-CN201810476802.8有效
发明人：于国浩;何涛;张晓东;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法。所述基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管包括导电衬底，所述导电衬底的第一表面设有一个以上半导体纳米凸起部，所述半导体纳米凸起部的顶端与第一电极电连接，且所述半导体纳米凸起部与第一电极形成肖特基接触，所述导电衬底的第二表面与第二电极电连接，所述第二表面与第一表面相背对设置，所述半导体纳米凸起部的高度小于或等于载流子平均自由程。本发明的肖特基二极管在应用时，载流子在半导体纳米柱间的传输以弹道输运或准弹道输运的方式进行，实现了更低导通电阻、更快工作频率、更少工作能耗和更小器件尺寸的肖特基二极管。
基于纳米阵列弹道输运肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]多晶硅还原炉钟罩内壁涂层及其制备方法、多晶硅还原炉钟罩内壁涂层的喷涂装置和应用-CN202010104902.5有效
发明人：王体虎;张宝顺;宗冰;任长春;冉胜国;王志权 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉钟罩内壁涂层及其制备方法、多晶硅还原炉钟罩内壁涂层的喷涂装置和应用，该多晶硅还原炉钟罩内壁涂层包括相互连接的银基底层和表面层，表面层为热力学稳定的薄膜，薄膜主要成分为银，且在银中掺杂有碳、氧、铁和硅。该内壁涂层的制备方法为在多晶硅还原炉钟罩的内壁上的银涂层的表面掺杂渗透入碳、氧、铁和硅，以使得银涂层变为银复合涂层。通过银基底层和薄膜构成的表面层共同构成的复合结构的涂层，由于该表面层具有稳定的热力学性质，能够在空气环境或还原炉运行条件下稳定存在，因此，使得该内壁涂层既具有银涂层优异的红外辐射反射性能，又具有很好的稳定性，使得具有该涂层的还原炉能够长期稳定运行。
多晶还原炉钟罩内壁涂层及其制备方法喷涂装置应用

[发明专利]全垂直型Si基GaN UMOSFET功率器件及其制备方法-CN201910474496.9在审
发明人：唐文昕;陈扶;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种全垂直型Si基GaN UMOSFET功率器件及其制备方法。所述全垂直型Si基GaN UMOSFET功率器件包括：硅衬底，以及，主要由N+源区层、N‑漂移层和P+沟道层构成的金属氧化物半导体场效应晶体管结构；所述N+源区层、N‑漂移层和P+沟道层沿逐渐远离硅衬底的方向依次叠设在硅衬底上；所述硅衬底与N+源区层及漏极电连接，所述P+沟道层与源极电性配合，且所述P+沟道层及N‑漂移层内分布有与栅极配合的槽状结构。本发明通过电化学方法或激光剥离方法将外延结构的蓝宝石衬底去除，在倒装键合后的Si衬底上的GaN外延结构上制作器件，实现全垂直型Si基GaN UMOSFET；本发明提供的全垂直型Si基GaN UMOSFET充分利用GaN材料高临界电场和高迁移率的同时又降低了器件制备成本，有利于器件的产业化。
垂直 si gan umosfet 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种可控温VCSEL器件及其制作方法-CN201810841598.5有效
发明人：黄宏娟;王逸群;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控温VCSEL器件及其制作方法，包括：提供第一晶圆，在第一晶圆上形成n组导电柱；将n组VCSEL和控温器件固定于具有n组导电柱的第一晶圆表面，并使其输入端和输出端均分别对应电连接至n组导电柱内的不同导电柱；提供第二晶圆，在第二晶圆上形成n个容置孔，并将具有n个容置孔的第二晶圆与固定有n组VCSEL和控温器件的第一晶圆对准键合，使一组VCSEL和控温器件置于一个容置孔内；提供第三晶圆，将第三晶圆与已与第一晶圆对准键合的第二晶圆键合；对键合完成的第一晶圆、第二晶圆及第三晶圆进行切割，得到单个可控温VCSEL器件。本发明的可控温VCSEL器件及其制作方法，使得VCSEL可以进行独立控温并不受外界环境影响。
一种可控 vcsel 器件及其制作方法

[发明专利]基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用-CN201810476731.1有效
发明人：于国浩;丁晓煜;宋亮;张晓东;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用。所述基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结中形成有二维电子气或二维空穴气；以及形成于所述异质结上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极分布在第二半导体上且彼此间隔设置，同时，所述源极与漏极之间经二维材料电连接，所述二维材料用作所述晶体管的导通沟道，所述栅极与所述二维电子气或二维空穴气电连接。本发明提供的基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管，利用二维电子气的电子高迁移率特性，实现可调制背栅的二维材料晶体管。
基于二维电子调控材料晶体管制法应用

[实用新型]集成多功能半导体器件可靠性测试装置-CN202020281800.6有效
发明人：张晓东;魏星;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成多功能半导体器件可靠性测试装置，其包括：用于承载待测试半导体器件的载物台，以及，密封测试腔；所述载物台与制热及制冷机构连接，且所述载物台被封装于所述密封测试腔内，所述密封测试腔的腔壁上还设有一个以上气体接口、一个以上测试机构接口和一个以上探针接口，所述气体接口用于与外部的气体供给设备或负压发生设备连通，所述测试机构接口用于与外部的测试设备连接，所述探针接口用于活动连接测试探针，所述测试探针的测试端能够通过探针接口进入密封测试腔并到达所需的测试位置。籍由本实用新型能够对半导体电子器件、发光器件等的可靠性等进行实时、直观、快速、准确的测试。
集成多功能半导体器件可靠性测试装置

[发明专利]液化气、钢瓶气体及采样袋气体集成进样装置-CN202010987516.5在审
发明人：尚东红;李晓刚;郭智成;张宝顺;杨红久;张广勇 -专利权人：北京诺德泰科仪器仪表有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种液化气、钢瓶气体及采样袋气体集成进样装置，具有液化气样品进样装置、气体样品进样装置与样品气袋，所述液化气样品进样装置经液路截止阀、液路限流管连通至加热装置，再连通至第一切换阀的入口；所述气体样品进样装置经气路截止阀、气路限流管连通至所述第一切换阀的另一入口；所述第一切换阀的出口连通流量观察视窗入口、流量观察视窗出口连通至排空三通第一端口，排空三通第二端口预留管路可引至排风装置中，排空三通第三端口连通第二切换阀的入口，所述第二切换阀的另一入口与所述样品气袋相连通；所述第二切换阀的出口依次连通取样/注样阀、注样/排空阀以及进样三通，所述进样三通还连通载气以及分析仪器。
液化气钢瓶气体采样集成装置

[发明专利]电磁场分布可调控的反应器-CN202010765989.0在审
发明人：宗冰;任长春;张宝顺;孟兵营;王体虎;蒲泽军;刘廷泽;冉胜国;刘军;郑连基;尹东林;肖建忠;王志权;甘易武 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种电磁场分布可调控的反应器，包括对电磁波具有吸收和反射作用的电磁场调控层。通过电磁调控层对外界电磁场施加源射入反应器内的部分电磁波能量进行吸收，同时对未吸收部分进行反射，实现对反应器内电磁场分布的控制，以获得反应器内物料所需的特定电磁场。
电磁场分布调控反应器