“张宝顺”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果529个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]髓内针-CN201921531495.5有效
发明人：张宝龙;张宝顺;张宝东 -专利权人：北京贝思达生物技术有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： A61B17/72 文献下载
摘要：本实用新型属于髓内针领域，尤其是髓内针，针对现有的使用这些髓内针时，常常需要根据实施手术的病人的骨头长度来对髓内针进行裁剪，而在裁剪过程中经常会出现髓内针断裂，进而提高了医疗成本的问题，现提出如下方案，其包括第一针体和第二针体，所述第一针体的顶部固定安装有限位杆，所述第二针体底部开设有伸缩槽，所述限位杆的顶部延伸至伸缩槽内并和伸缩槽滑动连接，本实用新型操作简单，此髓内针本体具有伸缩调节长度的功能，因而可以根据不同患者的骨头长度进行调节，同时通孔的设置便于医护人员取出髓内针本体，螺纹区则可以增大与患者骨头连接的强度，此髓内针本体功能丰富，满足了人们的使用需求。
髓内针

[发明专利]一种用于混凝土砂石料仓下料设备-CN202010671674.X在审
发明人： 张宝顺;邓迎春;张廒 -专利权人：天津市春丰顺和混凝土有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B65D88/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于混凝土砂石料仓下料设备。包括物料扰动结构，在其上部连接有上缓冲件法兰、下部连接有下缓冲件法兰；在上缓冲件法兰的上方设置有上连接法兰，在上缓冲件法兰和上连接法兰之间连接有上弹性圈和第二缓冲组件；在下缓冲件法兰的下方设置有下连接法兰，在下缓冲件法兰和下连接法兰之间连接有下弹性圈和第一缓冲组件；在下连接法兰的底面连接有启闭阀结构；物料扰动结构包括出料斗，在出料斗的内腔设置有第一扰动件，在第一扰动件和出料斗的内壁之间固接有多组扰动件连接杆；在第一扰动件的顶部和底部均固接有多组扰动杆，在扰动杆上套设有第二扰动件；物料扰动结构还包括振动电机。本发明可避免料仓的出料口发生堵塞现象。
一种用于混凝土砂石料仓下料设备

[实用新型]多晶硅还原炉内层结构和多晶硅还原炉-CN202021209100.2有效
发明人： 张宝顺;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶硅还原炉内层结构和多晶硅还原炉，涉及多晶硅装备技术领域，该多晶硅还原炉内层结构包括：光面层、中间层和节能层，光面层设于还原炉内壁的基体上；中间层设置于光面层和节能层之间用于连接光面层和节能层，中间层包括第一粗糙面结构薄膜，第一粗糙面结构薄膜为第一纯金属固体颗粒在光面层构成的粗糙表面沉积体；节能层设置于中间层的表面，用于反射多晶硅棒的热辐射。该内层结构不需要抛光或机械加工，降低了还原炉的制造成本，同时采用中间层和节能层复合结构降低了还原炉不锈钢基体对多晶硅的污染，提升了多晶硅的纯度。
多晶还原内层结构

[发明专利]短波长深紫外LED外延结构、其P型层材料及制法与应用-CN201910216106.8在审
发明人：徐峰;于国浩;邓旭光;张丽;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种短波长深紫外LED外延结构、其P型层材料及制法与应用。所述P型层材料具有AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构，所述AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构包括交替生长形成的AlxGa1‑xN势垒层和AlyGa1‑yN势阱层；其中，x＞y，0＜x≤1、0≤y＜1。本发明可以根据深紫外LED发光波长变化的需要，灵活调整超晶格结构势垒层和势阱层金属Al元素的合金比例参数x、y，能够同时兼顾到P型材料透光性能与空穴载流子浓度的提升。
波长深紫 led 外延结构材料制法应用

[发明专利]原子腔结构及其制作方法-CN201910202733.6在审
发明人：姜春宇;王逸群;张宝顺;翟豪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子腔结构，所述原子腔结构包括：基片，具有封闭的腔；至少三组反射结构，所述反射结构设置于所述腔的内壁上，所述反射结构至少用于对射入所述腔内的相应的第一光线进行反射，从而使所有的所述第一光线与射入所述腔内的第二光线在所述腔内正交后射出所述腔外。本发明还提供了上述原子腔结构的制作方法。本发明的原子腔结构可应用在原子核磁共振陀螺仪、原子磁强计等原子物理系统中。
原子结构及其制作方法

[发明专利]钟罩内壁喷涂装置及其方法-CN202010541114.2在审
发明人：王体虎;张宝顺;宗冰 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B05B13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种钟罩内壁喷涂装置及其方法，涉及多晶硅装备技术领域，该钟罩内壁喷涂装置包括钟罩、冷气体动力喷涂组件以及加热组件；冷气体动力喷涂组件和加热组件均可往复移动地设于钟罩内，冷气体动力喷涂组件用于对钟罩的待喷涂内壁进行喷涂，加热组件用于对钟罩的待喷涂内壁进行加热，且加热组件对罩体的待喷涂内壁的加热温度可控。解决了现有技术中存在的在冷气体动力喷涂法中，由于基体多采用不锈钢，且不锈钢的硬度较大，对喷涂条件的要求较高的技术问题。
内壁喷涂装置及其方法

[发明专利]还原炉内壁处理装置及其方法-CN202010541115.7在审
发明人： 张宝顺;王体虎;宗冰 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种还原炉内壁处理装置及其方法，涉及多晶硅装备技术领域，该还原炉内壁处理装置包括钟罩、旋转机构、磁感应加热组件以及冷气体动力喷枪；钟罩具有密闭的容置空间；旋转机构与钟罩传动连接，用于驱动钟罩旋转；磁感应加热组件包括高频线圈，高频线圈设置于容置空间内，用于将钟罩内壁面加热至预设温度范围；冷气体动力喷枪设置于容置空间内，用于向钟罩内壁面喷射粉末。通过该还原炉内壁处理装置，解决了现有技术中存在的在冷气体动力喷涂法中，钟罩多采用硬度较大的不锈钢，对喷涂条件的要求较高的技术问题。
还原内壁处理装置及其方法

[实用新型]一种多晶硅还原炉钟罩内壁处理装置-CN201922374453.1有效
发明人：任长春;张宝顺;史正斌;何乃栋;王志权 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B24C3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉钟罩内壁处理装置，包括工作台，所述工作台的上端固定连接有支撑板，所述工作台的上端外侧固定连接有挡环，所述挡环的外侧下部固定插接有出料管，所述支撑板的上端放置有钟罩，所述工作台的中部通过轴承插接有供料管，所述供料管的右侧壁固定插接有喷头，所述供料管的外侧下部固定连接有齿轮环，所述齿轮环的外侧啮合连接有齿轮，所述齿轮的中部固定插接有传动电机，所述传动电机的下端通过连接板固定连接在工作台的下端左侧。该多晶硅还原炉钟罩内壁处理装置，通过设备的整体结构，整体设备操作简便，工艺精简，对还原炉钟罩内壁处理更加快速、高效。
一种多晶还原炉钟罩内壁处理装置

[实用新型]一种湿拌砂浆制造设备-CN201922150346.0有效
发明人： 张宝顺;张廒 -专利权人：天津市大镇混凝土有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： B28C3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿拌砂浆制造设备。包括坑底设有底盘装置的中间地坑，在底盘装置上放置有拌和筒，在地面上设有地轨，在地轨上、中间地坑的左侧设有搅拌装置和上料装置；搅拌装置包括第一移动框架，在第一移动框架上安装有底板，在底板上安装有带有升降电机的齿轮箱以及相对的两个导向组件，在齿轮箱的输出轴上对接安装有竖直的丝杠，在两个导向组件之间设有升降板，在升降板的正面中部安装有搅拌电机，搅拌电机具有搅拌长轴，在底部安装有搅拌叶轮；上料装置包括第二移动框架，在第二移动框架上设有支撑框架，在支撑框架的横梁上安装有料筒，还包括由转盖油缸驱动转动的旋转底盖；还包括起吊组件。本实用新型结构简单、便于移位搭建。
一种砂浆制造设备

[实用新型]一种混合补偿型线路间功率转移装置-CN202020081981.8有效
发明人：潘磊;董云龙;张宝顺;黄如海;邱德锋;姜崇学;鲁江 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H02J3/06 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种混合补偿型线路间功率转移装置，包括两组串联补偿装置，第一组串联补偿装置接入第一个输电线路通道，用于提升第一个输电线路通道的功率，第二组串联补偿装置接入第二个输电线路通道，用于降低第二个输电线路通道的功率；每一组串联补偿装置均包括一个电压源换流器3，至少一个串联变压器2和至少一个旁路开关1，第二组串联补偿装置还包括一个固定补偿单元4。第一组串联补偿装置接入第一个输电线路通道，第二组串联补偿装置接入第二个输电线路通道。第一组串联补偿装置的串联变压器的第一侧绕组的两端串联接入第一个输电线路通道，第一侧绕组与至少一个旁路开关并联连接；第二侧绕组的三相出线与第一组串联补偿装置的电压源换流器的交流侧分相连接。本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的混合型的线路间功率转移装置，能够减小装置的总容量，降低成本和占地，同时还具备故障限流能力，提高设备可靠性。
一种混合补偿线路功率转移装置

[实用新型]适用于多组多回线路的线路间功率转移装置-CN202020088407.5有效
发明人：潘磊;董云龙;张宝顺;黄如海;邱德锋;鲁江;姜崇学 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种适用于多组多回线路的线路间功率转移装置，包括N组串联补偿装置，每组串联补偿装置接入其中一组线路输电通道；每组串联补偿装置包括串联变压器、旁路开关和一个电压源换流器。每个串联变压器的第一侧绕组与至少一个旁路开关并联连接后分别串联接入该组输电通道的各回线路，所有串联变压器的第二侧绕组的三相出线分相并联连接，再与本组串联补偿装置的电压源换流器的交流侧分相连接；所述N组串联补偿装置的电压源换流器直流侧并联连接。本实用新型提供的功率转移装置，在保证性能的同时简化了系统结构，减小了电压源换流器的总数量和总容量、降低成本和占地，降低了控制保护的难度，以及增加了系统的可靠性。
适用于多组多回线路功率转移装置

[发明专利]气相沉积均匀加热装置及气相沉积炉-CN201710774886.9有效
发明人：张立国;崔志国;鞠涛;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明揭示了气相沉积均匀加热装置及气相沉积炉，包括至少两个间隙设置的加热板，所述加热板在与它们平行的同一投影面上的投影重合，且相邻加热板之间的间隙形成用于放置工件的加热空间，每个所述加热板的两端分别连接一石墨电极，每个所述石墨电极连接用于连接电源的铜电极。本发明设计精巧，通过在两个加热板的间隙之间形成用于放置工件的加热空间，两个加热板同时从两个相反方向直接对工件进行加热，一来具有更高的加热效率，减少热传递过程的热损耗，有利于降低能耗；同时，两面同时加热，有利于保证加热的均匀性，避免工件受热不均。
沉积均匀加热装置

[发明专利]场发射器件及其制作方法-CN201610288516.X有效
发明人：赵德胜;黄宏娟;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开一种场发射器件，包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层，其中，所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质，可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度，而且，由于所述集电极采用的是金属材质，在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜，简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
发射器件及其制作方法

[发明专利]基于石墨烯pn结的光探测器及其制作方法与应用-CN201711284372.1有效
发明人：付凯;丁晓煜;徐宁;何涛;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯pn结的光探测器，其包括：石墨烯层，其包含相互配合形成插指结构的第一区域和第二区域；第一电极图形，其用于在被施加一负电压时使所述第一区域呈p型；第二电极图形，其用于在被施加一正电压时使所述第二区域呈n型；以及，分别与第一区域、第二区域电连接的两个以上接触电极。本发明的基于石墨烯pn结的光探测器可以有效实现紫外、近红外及可见光波段的光探测，光响应度和灵敏度高，光响应时间短，且在50‑500K之间的任何温度下都可以正常工作。
基于石墨 pn 探测器及其制作方法应用

[发明专利]场发射器件及其制作方法-CN201611218533.2有效
发明人：赵德胜;黄宏娟;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射器件，包括叠层设置的衬底和缓冲层；缓冲层上设置有发射极层，发射极层包括依次叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；缓冲层上还设置有使发射极层嵌入其中的离子注入层，离子注入层具有一缺口，以使发射极层的发射端面从缺口处暴露出，发射端面包括相互邻接的至少部分第一半导体层的端面以及至少部分第二半导体层的端面；离子注入层的缺口处设置有集电极层，集电极层的端面与发射端面相对并且两者之间具有沟道；发射极层上还依次叠层设置有栅介质层和栅极。该场发射器件是一种具有横向结构、且具有纳米空气沟道的场发射器件，该场发射器件通过栅极实现了场发射器件的开关控制。本发明还提供了上述场发射器件的制作方法。
发射器件及其制作方法