“邓旭光”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果33个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法-CN201811040406.7有效
发明人：徐峰;于国浩;李军帅;邓旭光;张丽;宋亮;范亚明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，其中，x/y＝3.1～4.7；所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层包括一个以上AlGaN/InGaN超晶格结构，所述AlGaN/InGaN超晶格结构包括叠层设置的AlGaN层和InGaN层；所述第二半导体层为GaN沟道层。本发明实施例采用的AlGaN/InGaN超晶格各子层厚度均低于其临界弛豫厚度，使得超晶格AlGaN、InGaN子层相对GaN沟道层分别处于张应变、压应变状态，能够作为应力补偿结构形成与GaN沟道层完全匹配的平衡晶格，有效补偿晶格失配应力，显著减小由失配应变引起的位错缺陷密度，进而抑制AlxInyGa1‑x‑yN/GaN异质结中的逆压电效应。
基于晶格结构异质结增强 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种能减少拍摄死角的监控摄像头-CN202310338682.6在审
发明人： 邓旭光;张风英 -专利权人： 邓旭光
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H04N23/695 文献下载
摘要：本发明提供一种能减少拍摄死角的监控摄像头，涉及监控摄像头技术领域，移动座位于隔板的下方，且移动座的底端固定连接有连接架，连接架的左侧固定连接有泵机，且连接架的底端安装有吹气管，泵机与吹气管相连接，解决了由于其一般多为依靠相应的基面进行安装使用，因此会使得监控摄像头难以对当前所安装的部位进行有效的监控，进而会存在着死角，容易导致监控器被损坏，存在着局限性的问题，通过连接架的向前侧运动来实现增加云台摄像器与安装基面之间的间距，进而达到有效的减少监控器覆盖死角的问题出现，且在当云台摄像器进行移动时，配重会自动化的向着反方向进行同步运动，以达到确保云台摄像器在进行工作时更加稳定的目的。
一种减少拍摄死角监控摄像头

[发明专利]一种应用于天基全域覆盖遥感相机的低温无缝拼接焦平面-CN202211575218.0在审
发明人：练敏隆;吕玮东;晋利兵;李晓曼;刘宇翔;张九双;周吉;林招荣;董杰;李明;邓旭光;许云飞 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N23/23 文献下载
摘要：本发明提出一种应用于高轨遥感卫星的红外焦平面组件，基于综合冷管理技术，通过无缝拼接方法，实现天基全域探测的能力。红外焦平面组件包括4个拼接探测器子组件，每个拼接探测器子组件采用模块化设计和综合冷管理技术，将多个探测器单模块拼接成模块化探测器单元，再通过拼接探测器子组件进行光学拼接。该焦平面组件可应用于天基红外遥感等领域，特别适用于凝视型的高轨对地观测卫星系统。
一种应用于全域覆盖遥感相机低温无缝拼接平面

[发明专利]在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用-CN202211563222.5在审
发明人： 邓旭光;张宝顺;董晟园;曾春红;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用。所述方法包括：采用NH3对SiC衬底进行预处理，预处理使SiC衬底表面的晶格台阶间距变大；在经过预处理的SiC衬底表面生长III族氮化物薄膜，包括周期性循环生长的第一生长过程和第二生长过程；第一生长过程采用第一V/III，第二生长过程采用第二V/III，且第一V/III大于第二V/III。本发明所提供的方法通过预处理与交替循环生长的结合，能够显著地控制薄膜内残余应力，很大程度地将薄膜的残余应力控制为适当的残余压应力或较小的残余张应力，得以在确保不发生开裂现象的前提下，显著提高所生长的III族氮化物薄膜的厚度，并显著降低位错密度。
sic 衬底生长 iii 氮化物薄膜方法应用

[发明专利]HEMT器件的制作方法-CN202211177141.1在审
发明人：辛毅捷;蔡勇;尹立航;邓旭光 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT器件的制作方法，包括：提供GaN层和AlGaN层构成的异质结；刻蚀AlGaN层和GaN层，并在刻蚀区域分别定义出源区和漏区；采用等离子体对源区和漏区暴露的表面进行处理；采用湿法腐蚀对源区和漏区暴露的表面进行处理；在源区和漏区分别制作n+GaN层；在n+GaN层上制作欧姆接触。本发明使用了干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法，通过使用等离子体处理侧壁，之后使用化药进行腐蚀，达到原子级别的清洁度和低粗糙度，从而减少侧壁的损伤，得到极低的接触电阻。
hemt 器件制作方法

[发明专利]天基红外探测空天高速目标脉冲视觉载荷处理系统及方法-CN202210617851.5在审
发明人：侯鹰;李天;曹东晶;黄铁军;朱西安;郭启旺;晋利兵;邓旭光;张九双;高有道;李昊谦;王华;康祥东;吕玮东;崔博伦;任娜;陈明;王乾威;李晓强;李源;马雷;孟令伟;李冬冰 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01S17/50 文献下载
摘要：天基红外探测空天高速目标脉冲视觉载荷处理系统及方法，载荷处理系统包括温控组件、低温镜头组件、短波脉冲视觉探测器组件、焦面制冷机组件、脉冲处理电路组件、遮光罩组件，通过实现采集的凸显数据中每个像素独立自行记录光线变化，而不是在特定时刻一起成像，使得所有像素按照空间排布组成信号流阵列，准确刻画采集到的一段时间内光线变化的物理过程，突破了传统体制探测器信号采集方式、A/D转换、读出方式等的局限，可大幅提高探测目标和事件的时间灵敏度，具备更高帧频，以及智能化信息生成能力。
红外探测高速目标脉冲视觉载荷处理系统方法

[发明专利]基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法-CN202111248207.7在审
发明人：徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件及其制备方法，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。本发明中的Micro‑LED器件通过引入隔离层及反射层，可以实现器件的电学隔离及光学隔离，提高了器件的发光效率及显示对比度，降低了光学串扰效应。
基于光电隔离 micro led 器件及其制备方法

[实用新型]一种铺设装置-CN202123232017.4有效
发明人：段立谦;邓旭光;李志军;胡东;翁光建;安增强 -专利权人：中国有色金属工业第六冶金建设有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： E21D11/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铺设装置，包括支撑组件和收卷组件，支撑组件包括底座和支撑板，支撑板设置在底座上；收卷组件包括收卷辊、第一收卷盘和第二收卷盘，第一收卷盘和第二收卷盘分别设置在收卷辊的两端，收卷辊呈水平与支撑板转动连接。该铺设装置能够快速铺设卷材。
一种铺设装置

[实用新型]一种钢筋切割装置-CN202123231938.9有效
发明人： 邓旭光;史经会;刘念;胡东;夏玉华;李志勇 -专利权人：中国有色金属工业第六冶金建设有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B21F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢筋切割装置，包括用于放置钢筋的底座、用于夹持固定钢筋的固定组件、用于升高和降低的升降组件以及用于切割钢筋的切割机，升降组件设置在底座上，切割机设置在升降组件上，固定组件包括固定杆、升降块和固定块，固定杆竖向设置在底座上，升降块活动连接固定杆，固定块设置在升降块上，固定块用于固定钢筋。该钢筋切割装置能够快速固定牢靠钢筋，提高钢筋切割效率。
一种钢筋切割装置

[实用新型]一种桥墩加固装置-CN202123439641.1有效
发明人：史经会;邓旭光;李志军;李新建;段立谦;翁光建 -专利权人：中国有色金属工业第六冶金建设有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： E01D22/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥墩加固装置，包括支撑板、连接块和U型架，支撑板设置于连接块的下方，支撑板的两端设置有支撑内杆，U型架设置于连接块的上方，U型架的中间位置设置有支撑柱，U型架的侧壁设置有固定螺栓。该桥墩加固装置能够快速安装和拆卸，具有较强的抗形变能力，可以对桥墩进行稳固支撑和固定。
一种桥墩加固装置

[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制作方法-CN202210219287.1在审
发明人：范亚明;冯家驹;张晓东;于国浩;邓旭光;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：提供了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上制作形成h‑BN薄膜；在h‑BN薄膜上制作形成金刚石薄膜；在金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；在GaN基HEMT外延结构上制备电极；机械剥离所述衬底，以获得所述GaN基HEMT器件。本发明通过直接在传统衬底上原位生长形成h‑BN薄膜/金刚石薄膜/GaN基HEMT外延结构的器件结构，然后再利用h‑BN薄膜的可剥离特性以剥离掉传统衬底，使器件能够直接利用热导率较高的金刚石薄膜作为热沉衬底进行散热，有效降低了器件温度，进而提高器件的可靠性；而且剥离传统衬底过程中还避免了对器件造成的损伤，有利于提高器件良率；此外，所述制作方法简单便捷且成本较低。
一种 gan hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种增强型HEMT器件结构及其制备方法-CN202111513810.3在审
发明人：陈财;蔡勇;张宝顺;邓旭光;张丽;林文魁 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型HEMT器件结构及其制备方法。所述制备方法包括：在第一半导体层上设置掩膜，以将所述第一半导体层表面的第一区域遮盖，并使所述第一半导体层表面的第二区域露出，所述第一区域包含与源极、漏极及栅极对应的区域；在所述第一半导体层上生长第二半导体层，并使第二半导体层至少覆盖所述第二区域，所述第一半导体层与第二半导体层配合形成异质结结构；去除所述掩膜，并在所述第一区域制作源极、漏极、栅极，且使所述源极、漏极分别与第二半导体层电性接触。本发明中所提供的制备方法避免了采用刻蚀工艺对器件性能造成的影响，制备而成HEMT器件结构阈值电压高、电子迁移率高、电流密度高、跨导大，且制备工艺简单、成本低廉、适用于大规模生产。
一种增强 hemt 器件结构及其制备方法

[实用新型]基于光电隔离的Micro-LED器件-CN202122583403.1有效
发明人：徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。本实用新型中的Micro‑LED器件通过引入隔离层及反射层，可以实现器件的电学隔离及光学隔离，提高了器件的发光效率及显示对比度，降低了光学串扰效应。
基于光电隔离 micro led 器件

[发明专利]用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用-CN202111356887.4在审
发明人：王哲明;张璇;于国浩;张宝顺;邓旭光 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用。所述用于氮化镓高温退火的保护结构包括：依次层叠设置在氮化镓材料表面的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层、第二保护层和第三保护层的材质包括AlN。本发明实施例提供的一种氮化镓高温退火激活的方法，可以避免在GaN表面生长保护层而产生的应力问题。
用于氮化高温退火保护结构及其应用

[发明专利]具有自动调光功能的便携式照明装置-CN202010439818.9在审
发明人： J·库塔;B·W·韦斯特林;张丽;崔浩;郭丹军;董波;李彬;江海昌;雷琳;邓旭光 -专利权人：米沃奇电动工具公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H05B45/325 文献下载
摘要：本发明提供了具有自动调光功能的便携式照明装置。本发明提供了用于使用电子处理器计算平均环境亮度和确定提供给光源的当前脉冲宽度调制(“PWM”)输出水平的系统和方法。该方法还包括使用电子处理器确定目标照明水平和PWM调节率。PWM调节率至少部分地基于计算的平均环境亮度。该方法还包括使用电子处理器，以确定的PWM调节率调节当前PWM输出水平，以达到目标照明水平，以及将调节的PWM输出水平传输到光源。以当前PWM输出水平和光源的输出模式的函数来确定目标照明水平。
具有自动调光功能便携式照明装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 33 条