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[实用新型]一种制备硝酸铵溶液的反应器及系统-CN202122349490.4有效
发明人：于一夫;张宝顺;张兵 -专利权人：于一夫
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C25B1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备硝酸铵溶液的反应器及系统，属于硝酸铵制备领域，所述反应器(1)包括：外壳(11)、设在所述外壳(11)内且依次连接的第一腔室(12)、用于生成硝酸根离子的第二腔室(13)、用于生成铵根离子的第三腔室(14)、第四腔室(15)和电源(19)。对应系统包括反应器(1)、第一储罐(2)、第二储罐(3)、第三储罐(4)和第四储罐(5)。本实用新型的反应器及系统，相比工业硝酸铵生产技术，具有流程少、装置简单、易于操作，且电源(19)采用分布式光伏电站供电，解决分布式光伏电站电能存储与剩余电能高价值利用问题，以进一步促进可再生清洁能源的普及应用。
一种制备硝酸铵溶液反应器系统

[实用新型]一种喷涂装置-CN202122094323.X有效
发明人： 张宝顺;任长春;戴银礼;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业半导体有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B05B7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种喷涂装置，属于喷涂技术领域，所述喷涂装置包括用于提供高压气源的供气装置(1)、送粉装置(2)、多级加热装置(3)和喷管(4)，所述供气装置(1)通过第一出气管道(11)与所述送粉装置(2)连接，所述供气装置(1)通过第二出气管道(12)与所述多级加热装置(3)连接，所述送粉装置(2)通过第三出气管道(13)与所述喷管(4)连接，所述多级加热装置(3)通过第四出气管道(14)与所述喷管(4)连接。本实用新型通过多级加热装置(3)实现喷涂装置对加热气体温度的精准控制，提高了喷涂装置的可操作性与连续作业应用性，极大地提高了动力气体加热效率。
一种喷涂装置

[实用新型]一种大豆种植用选种装置-CN202122244762.4有效
发明人：陶冬妍;张宝顺 -专利权人：陶冬妍
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B03B5/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大豆种植用选种装置，包括机架，所述机架的内壁固接有箱体，所述箱体呈二分之一圆形设置，所述机架顶部的一边外壁安装有电机，所述电机输出轴的一端通过联轴器连接有旋转辊，所述旋转辊的外壁套接有套管，所述套管的一侧外壁通过螺钉连接有支架一，所述支架一的一侧内壁旋转连接有活动杆，所述活动杆的外壁套接有进料板。本实用新型固定连接的出料板将箱体底部好的种子盛出，盐水通过排水孔回到箱体，在支架一和支架二旋转的间隙，液压缸作用带动横板运动将浮在水面上的种子通过下料孔排出，选种快速且操作简单，盐水只要补齐到下料孔水平面即可，提高了选种装置的使用效率。
一种大豆种植选种装置

[实用新型]硅烷生产系统-CN202121158977.8有效
发明人： 张宝顺;张婧;李彦;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业半导体有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅烷生产系统，包括CVD沉积炉、精馏塔组、歧化反应器、硅烷分离塔、氯硅烷分离塔，CVD沉积炉的原料输入端连接三氯氢硅输入管道，CVD沉积炉的尾气输出端连接精馏塔组，精馏塔组的TCS输出端与CVD沉积炉的原料输入端连接，精馏塔组的DCS输出端与歧化反应器的进口连接，歧化反应器的输出端与塔顶与硅烷分离塔连接，硅烷分离塔的塔釜与氯硅烷分离塔连接，氯硅烷分离塔的塔顶与歧化反应器的进口连接，氯硅烷分离塔的塔釜与精馏塔组连接。在本实用新型中，利用SiH2Cl2做硅烷生产原料，经歧化制备硅烷，省去UCC法中SiHCl3歧化为SiH2Cl2的步骤，降低氯硅烷的循环量，节约设备及催化剂投资费用。
硅烷生产系统

[发明专利]空气腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法-CN201810265389.0有效
发明人：余伦;李焘;张辉;张晓东;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法。所述空气腔型薄膜体声波谐振器包括衬底、SiC支撑层、石墨烯下电极、压电层以及上电极，所述衬底具有相背对的第一表面和第二表面，所述SiC支撑层设置在衬底的第一表面上，所述石墨烯下电极直接生长在SiC支撑层上，所述压电层的至少局部区域覆设在石墨烯下电极上，所述上电极设置在压电层上，所述衬底的第二表面上还形成有空气腔。较之现有技术，本发明对空气腔型薄膜体声波谐振器的结构进行了优化，能在显著提高器件性能的同时，保证器件的稳定与可靠性，且其制作方法简单，易于大规模实施。
空气薄膜声波谐振器及其制作方法

[发明专利]多波段探测结构及其制作方法-CN201910609925.9有效
发明人：李军帅;张晓东;张宝顺;曹旭 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多波段探测结构，包括衬底以及形成于衬底上纳米线阵列，所述纳米线阵列至少包括：一维结构的第一半导体纳米线，具有第一吸收波长；一维结构的第二半导体纳米线，具有第二吸收波长，第一吸收波长和第二吸收波长不同，且第一半导体纳米线和第二半导体纳米线并列设置。本发明还揭示了一种多波段探测结构的制作方法，第一半导体纳米线或第二半导体纳米线在催化剂作用下外延生长于衬底表面。本发明通过双层掩膜的手段实现β‑Ga2O3和GaAs系材料纳米线的横向分布阵列集成，利用纳米线的二维方向应力释放特性实现异质材料的高质量单片集成，并利用纳米线阵列的光陷阱效应提高光吸收率，从而为高性能多波段光探测器研发制备提供器件结构支持。
波段探测结构及其制作方法

[实用新型]一种硅及硅化合物涂层的制备装置-CN202121873050.2有效
发明人： 张宝顺;张婧;任长春;鲍守珍;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C23C4/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅及硅化合物涂层的制备装置，属于涂层制备领域，所述装置包括依次连接的载气加速管(1)、混合腔(2)以及喷枪(3)，所述混合腔(2)上方连接有用于熔融待喷涂材料的热熔室(4)；所述混合腔(2)中设有第一压力表(21)，所述热熔室(4)中设有加热装置(41)、第二压力表(42)以及温度控制器(43)。该装置结构简单，实现复杂工件表面及大面积基底表面涂层的制备，喷涂效率高，可通过喷涂参数的优化调整制备得到质量较好的涂层，温度压力可精准控制，避免高温条件下材料分解、相变及氧化，同时可避免常规工艺的高温对基底的机械性能造成损伤。
一种化合物涂层制备装置

[实用新型]一种还原炉底座-CN202121485040.1有效
发明人：杨明财;张宝顺;张婧;任长春;宗冰 -专利权人：青海亚洲硅业半导体有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种还原炉底座，属于多晶硅领域，包括底盘(1)，底盘(1)上设有若干电极(2)、若干进料喷嘴(3)和出气口(4)；底盘(1)表面设有第一涂层(11)，电极(2)表面设有第二涂层(21)，进料喷嘴(3)表面设有第三涂层(31)，所述出气口(4)处设有第四涂层(41)；所述第一涂层(11)、第三涂层(31)和第四涂层(41)均为耐磨蚀涂层，所述第二涂层(21)为高绝缘涂层。本实用新型通过在底盘(1)、电极(2)、进料喷嘴(3)和出气口(4)周围表面设涂层，有效避免硅粉颗粒对底盘(1)以及进料喷嘴(3)的磨蚀，防止高压对电极(2)周围绝缘体的击穿，提高了还原炉的稳定性以及硅棒的纯度。
一种还原底座

[实用新型]一种新型瓷砖倒角机-CN202121348362.1有效
发明人： 张宝顺 -专利权人： 张宝顺
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B28D1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型瓷砖倒角机，包括倒角机主体，所述倒角机主体上设置有第一清水池、沉淀池和第二清水池，且第一清水池和第二清水池分别位于沉淀池的上下两端，并且沉淀池底部开设有排水口，所述沉淀池一侧设置有电机室，且电机室外壁设置有切割刀片，所述倒角机主体顶部设置有固定板，且固定板上设置有固定架。该新型瓷砖倒角机通过设置倒角机主体，在倒角机主体上设置沉淀池，在沉淀池的上下两端分别设置第一清水池和第二清水池，在沉淀池左侧设置切割刀片，同时在切割刀片上设置喷头，使瓷砖加工过程中灰尘被冲刷到沉淀池的内部，灰尘沉淀，干净的水进入到第一清水池和第二清水池的内部再通过水泵进行循环使用达到节水的目的。
一种新型瓷砖倒角

[实用新型]带线修复万向锁定系统胫骨近端内侧金属接骨板-CN202121374961.0有效
发明人： 张宝顺 -专利权人：北京贝思达生物技术有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： A61B17/80 文献下载
摘要：本实用新型公开了带线修复万向锁定系统胫骨近端内侧金属接骨板，涉及接骨板技术领域。本实用新型包括第一安装板和第二安装板，第一安装板位于第二安装板的一端，第一安装板和第二安装板均设置有上面板和下面板，下面板一表面设置有若干固定孔和梯形槽，梯形槽内部设置有若干置物槽，梯形槽两侧面均设置有若干滑动槽，滑动槽内部设置有滑动板，滑动板与滑动槽滑动配合。本实用新型通过设置滑动板将梯形槽内分成多个置物槽，可在置物槽内填充药剂提高骨骼的愈合效率，通过设置可转动的转向盘并在转向盘内设置排线槽方便将缝线进行收纳整理避免线头与骨骼愈合，通过设置线槽可将缝线与线槽接触防止其与骨骼直接接触摩擦损伤骨骼。
修复万向锁定系统胫骨内侧金属接骨

[发明专利]基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法-CN202010492327.0在审
发明人：张晓东;马永健;何涛;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法。所述集成式器件包括依次叠设在沟道层上的势垒层、第一缓冲层和日盲紫外功能层；所述势垒层表面的局部区域从第一缓冲层和日盲紫外功能层中暴露出；所述势垒层表面的局部区域上设置有第一电极、第二电极和第三电极，以配合形成功率电子器件单元；所述日盲紫外功能层上设置有第四电极和第五电极，以配合形成日盲紫外光电子器件单元。本发明提供的集成式器件，可实现氧化镓日盲紫外光电子器件与氮化镓功率电子器件芯片集成，不仅能够实现两种器件的单一功能，还能综合两者优势，适用于某些特定领域。
基于氧化氮化集成器件及其制备方法

[实用新型]适用于元素分析仪的气体分离装置-CN202121226451.9有效
发明人：郭智成;尚东红;李晓刚;张宝顺 -专利权人：北京诺德泰科仪器仪表有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适用于元素分析仪的气体分离装置，其使用U形的空心金属管体作为分离柱，所述空心金属管体的长度为45‑55厘米，内径为0.85‑1.05厘米；分离柱的两端为气路的入口和出口；在分离柱外侧缠绕有电加热丝。本实用新型可增快柱子的升温速率、缩短分离时间、可增大测量范围。
适用于元素分析气体分离装置

[发明专利]日盲紫外探测器、其制作方法与应用-CN201711314615.1有效
发明人：何涛;付凯;丁晓煜;史锋锋;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外探测器、其制作方法与应用。所述探测器包括：阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体，所述微结构体由宽带系半导体材料形成；高迁移率薄膜，其与所述阵列结构的一端面电性接触，并与所述阵列结构配合形成肖特基异质结；以及电极，其与所述高迁移率薄膜电连接。本发明的日盲紫外探测器通过采用氧化镓纳米柱阵列等与石墨烯等高迁移率薄膜配合，有效提高了器件实际受光面积，促进电子空穴光生载流子对的产生，增大光电流，从而有效提高器件响应度、降低驰豫时间，对于减小器件尺寸，实现器件的小型化、集成化有着巨大的潜力。
紫外探测器制作方法应用

[发明专利]氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用-CN202010481770.8在审
发明人：张晓东;唐文博;何涛;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用。所述氧化镓气敏传感器包括：包括氧化镓纳米柱阵列和二维导电材料，所述氧化镓纳米柱阵列包括间隔分布的多根氧化镓纳米柱，所述氧化镓纳米柱站立设置，所述二维导电材料连续覆盖氧化镓纳米柱阵列，并且所述二维导电材料与氧化镓纳米柱阵列配合形成异质结，所述氧化镓纳米柱阵列、二维导电材料还分别与第一电极、第二电极电连接。本发明提供的氧化镓气敏传感器，包括多个垂直于导电衬底表面的氧化镓纳米柱，具有更高效的材料利用率，进而可以和更多的气体分子充分接触反应，有利于器件气敏性能的提升及其微型化进程。
氧化镓气敏传感器及其制备方法应用

[发明专利]III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法-CN202010465766.2在审
发明人：于国浩;张宝顺;张丽;张晓东;宋亮;吴冬东 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括由第一半导体、第二半导体和第三半导体所形成的双异质结结构，所述双异质结具有双二维空穴气(2DHG)；所述第三半导体具有比第二半导体小的带隙，易于采用能带选择的光电化学腐蚀(PEC)技术去除，并形成凹槽结构；所述凹槽结构与栅极结构配合设置，可以将第二半导体内对应栅极下方区域的二维空穴气耗尽。本发明可以有效实现大输出电流、低导通电阻的凹槽栅常关型P沟道HEMT器件。
iii 氮化物凹槽栅常关型沟道 hemt 器件及其制作方法