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[发明专利]一种碳化硅U型槽的制备方法-CN201810961566.9在审
发明人：陈喜明;李诚瞻;戴小平;吴煜东 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅U型槽的制备方法，包括如下步骤：(1)在SiC材料表面淀积氮化硅层；(2)在氮化硅层表面制备留有待刻蚀区域窗口的第一光刻胶层；(3)以第一光刻胶层为掩膜，对待刻蚀区域窗口对应的氮化硅层进行刻蚀，待刻蚀完成后去除第一光刻胶层；(4)以经刻蚀的氮化硅层为掩膜，将与待刻蚀区域对应的部分SiC氧化为二氧化硅层；(5)腐蚀去除氮化硅层；(6)腐蚀去除二氧化硅层得到缓变沟槽底；(7)在缓变沟槽底外的SiC材料上表面区域制备第二光刻胶层；(8)以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀SiC材料以将缓变沟槽底结构转移到U型沟槽底。本发明能制备得到侧壁陡直、底部平缓、光滑的U型槽结构。
一种碳化硅制备方法

[发明专利]一种压接型功率半导体器件的测试装置-CN201610672233.5有效
发明人：窦泽春;李继鲁;刘国友;吴煜东;忻兰苑;肖红秀;彭勇殿;陈彦;万超群;李义 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
一种压接型功率半导体器件测试装置

[发明专利]一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法-CN201711222270.7在审
发明人：王弋宇;吴佳;周正东;张文杰;刘东;杨程;史晶晶;李诚瞻;吴煜东 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。
掩膜离子碳化硅材料第一层陡直性选择性离子注入高能离子碳化硅去除离子注入掩膜表面沉积高温离子光刻显影掩膜表面制备工艺光刻胶侧壁沉积光滑刻蚀面刻显影匀光清洗阻挡

[发明专利]一种刻蚀碳化硅的方法-CN201510730587.6有效
发明人：赵艳黎;吴煜东;李诚瞻;史晶晶;陈喜明;丁荣军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
刻蚀碳化硅载体气体掩膜层栅槽退火沟槽型器件碳化硅器件氧化性气体氩气表面生长制备过程氦气氖气氙气氪气去除制造

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法-CN201710980467.0在审
发明人：李诚瞻;吴煜东;戴小平;史晶晶;王弋宇 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。
碳化硅碳化硅外延层肖特基二极管肖特基金属层肖特基接触石墨烯层复合金属原子漏电流减小制造阻挡

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201510737969.1有效
发明人：李诚瞻;高云斌;史晶晶;周正东;吴煜东;丁荣军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法及应用-CN201410756710.7有效
发明人：朱为为;吴煜东;颜骥;张明;邹冰艳;操国宏;唐革;王政英;姚震洋;刘芹;高军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
银层焊接硅片钼片半导体器件阳极变形量成品率焊接层空洞率应用

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201410822182.0有效
发明人：李诚瞻;刘可安;吴煜东;杨勇雄;史晶晶;蒋华平;唐龙谷;赵艳黎;吴佳 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。
肖特基势垒二极管低掺杂高掺杂衬底半导体技术领域欧姆接触电极肖特基接触高掺杂区高频电路开启电压电极制造应用

[发明专利]一种子单元结构和制造其的方法-CN201610650357.3在审
发明人：肖红秀;窦泽春;李继鲁;彭勇殿;刘国友;吴煜东;常桂钦;方杰 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提出了一种子单元结构和制造其的方法。该子单元结构包括芯片；与芯片的至少部分发射极相接触的发射极金属垫块；与芯片的集电极相接触的集电极金属垫块；包覆式设置在芯片的与发射极金属垫块和集电极金属垫块接触的表面之外的表面上的用于绝缘的绝缘胶框。该子单元结构结构简单，零件数目少，大大简化了封装模块的复杂程度，提高了生产效率。
种子单元结构制造方法

[发明专利]结势垒肖特基二极管及其制造方法-CN201410200502.9有效
发明人：李诚瞻;刘可安;吴煜东;吴佳;史晶晶;杨勇雄 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有断点环形结构的P型掺杂区。本发明采用断点环形P型掺杂区，在充分利用耗尽层(反向阻断模式下)在三维方向的延伸能力的前提下，能够增加器件的电流有效导通面积。在有源区面积相等的情况下，本发明所提出的新型结构及分布能够改善器件的性能。在同等电流级别下，新型结构器件的芯片面积可以更小，这样可有效减小芯片面积，降低芯片成本。
结势垒肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种功率器件结终端结构与制造方法-CN201410044426.7有效
发明人：蒋华平;刘可安;吴煜东;李诚瞻;赵艳黎;吴佳;唐龙谷 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。
一种功率器件终端结构制造方法

[发明专利]一种IGBT模块母排抛光方法及抛光工装-CN201410113323.1有效
发明人：彭明宇;方杰;贺新强;彭勇殿;李继鲁;吴煜东 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块母排抛光的方法及抛光工装，该方法的步骤为（1）通过计算得到模块上各个母排的抛光面面积大小和分布，同时利用模块上母排弯折后其抛光面与模块管盖间的距离；（2）依据步骤（1）的数据得到抛光工装；（3）直接将步骤（2）得到的抛光工装固定于母排上，将模块固定在支架上，利用抛光机对所有母排进行抛光作业。该工装是用来实施上述方法。本发明具有原理简单、操作简便等优点，大大简化了IGBT模块的母排抛光作业，降低了劳动强度。
一种 igbt 模块抛光方法工装

[实用新型]一种声子晶体演示装置-CN201621223814.2有效
发明人：陈志军;罗永前;杨明亮;韩春霞;黎光海;吴煜东;魏建东 -专利权人：重庆电子工程职业学院
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G09B23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种声子晶体演示装置，包括电控箱，所述电控箱的底部安装有支撑架，所述电控箱的一侧表面安装有扬声器，所述电控箱的四周侧面均安装有红外线探测器，所述电控箱的一侧表面设置有电源插孔和USB接口，所述电控箱的四周均安装有控制面板，所述控制面板上安装有触摸屏，所述控制面板的内部安装有第一ARM处理器，所述电控箱的顶部安装有与所述控制面板对应的投影屏幕，所述投影屏幕的下方安装有成像板，所述成像板包括透明底板和粘贴在所述透明底板上的全息投影膜，所述电控箱的内部安装有蓄电池，所述蓄电池的一侧安装有备用电池，所述蓄电池上安装有第二ARM处理器，该演示装置，安装方便，操作简单。
一种晶体演示装置

[发明专利]一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法-CN201310537220.3有效
发明人：李诚瞻;吴煜东;刘可安;周正东;史晶晶;杨勇雄;吴佳;蒋华平;赵艳黎 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。
一种电流碳化硅 sbd jbs 功率芯片结构及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端的制造方法-CN201410044255.8有效
发明人：蒋华平;刘可安;吴煜东;李诚瞻;赵艳黎;吴佳;唐龙谷 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤步骤1在外延层上形成牺牲层；步骤2在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4去除掩膜；步骤5注入离子，以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法，借助于外延层上形成的牺牲层，一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层，工艺简单，制造成本低。
一种碳化硅功率器件终端制造方法