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[实用新型]绝缘防雷电力杆-CN201920011489.0有效
发明人：刘倩;李俊;李磊;向阳;李欣;余乐;宋颂;乔楠;周黎;熊明俊 -专利权人：国网湖北省电力有限公司武汉供电公司;国网湖北省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： E04H12/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了绝缘防雷电力杆，包括金属电力杆本体，避雷针、地针及导杆，导杆上端与避雷针下端连接，导杆下端与地针上端连接，导杆上设有支杆；支杆中部设有将支杆分隔为两节的半导体层；电力杆本体下部外壁套设有绝缘层。本实用新型的有益效果：通过在电力杆本体下端设置绝缘层，当发生漏电时，电力杆本体上的电不会传导至绝缘层外壁，可有效避免触电危险；由于避雷针和地针的作用，雷电产生的电流直接通过地针传递至地下，具有良好的防雷效果。
电力杆避雷针导杆地针防雷下端绝缘层本实用新型上端支杆绝缘绝缘层外壁半导体层触电危险下部外壁支杆中部漏电两节传导分隔雷电金属传递地下

[外观设计]路灯（智慧）-CN201930416919.2有效
发明人：薛义铭;乔楠;杨旗航 -专利权人：郑州飞鱼工业设计有限公司;郑州西普德科技股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： 26-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：路灯(智慧)。2.本外观设计产品的用途：道路照明，同时为摄像头、便民服务模块、信息查询、LED诱导屏、户外灯箱、天线、网关、5G模块等预留空间和安装接口。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
外观设计路灯便民服务模块摄像头安装接口道路照明户外灯箱信息查询预留空间网关天线图片

[发明专利]发光二极管、外延片及其制备方法-CN201910175848.0在审
发明人：曹阳;乔楠;张武斌;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管、外延片及其制备方法，属于外延技术领域。所述方法包括：在衬底上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层和多量子阱层；在多量子阱层上生长成分为镁掺杂的铝镓氮的电子阻挡层，在生长电子阻挡层的过程中金属源按照如下方式周期性通入：单位时间内通入第一金属源、单位时间内停止通入金属源、单位时间内通入第二金属源、单位时间内停止通入金属源、单位时间内通入第三金属源、单位时间内停止通入金属源，金属源包括镓源、镁源和铝源，第一金属源、第二金属源和第三金属源分别为镓源、镁源和铝源中的一种；在电子阻挡层的薄膜层上依次生长P型掺杂氮化镓层和P型接触层。
金属源电子阻挡层生长多量子阱层发光二极管外延片铝源镁源制备镓源未掺杂氮化镓层氮化镓缓冲层方式周期性外延技术薄膜层铝镓氮镁掺杂衬底

[发明专利]一种水产养殖退水旁路治理及生态修复循环处理方法-CN201910401028.9在审
发明人：段云霞;孙静;周滨;刘红磊;乔楠;张彦;李慧;邢美楠;李艳英 -专利权人：天津市环境保护科学研究院
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种水产养殖退水旁路治理及生态修复循环处理方法，其中的系统包括:依次连接的曝气氧化塘、人工浮岛、絮凝沉淀塘、多级表流、潜流湿地；其中，通过曝气氧化塘和絮凝沉淀塘的预处理技术高效去除废水中污染物和总磷；通过多级表流和潜流湿地中植物，底栖动物以及微生物明显改善水体环境、提高水体透明度，水体达到地表V类水。净化后的水体在湿地里进行循环形成景观水体。在养殖塘调水用水季节时，回用到养殖塘中，实现水产养殖资源化和再利用，形成池塘内循环生态养殖系统，从而改善城市水体环境；在生态缺水时可以作为城市海绵水体回补于河道。
水产养殖水体曝气氧化潜流湿地生态修复絮凝沉淀循环处理养殖塘表流旁路生态养殖系统水体透明度预处理技术城市水体底栖动物景观水体人工浮岛水体环境依次连接内循环再利用资源化总磷去除海绵微生物池塘治理污染物地表废水湿地河道缺水净化生态

[发明专利]一种球幕翻板飞翔系统及其多自由度机械臂-CN201710750658.8有效
发明人：刘军;乔楠;张志强 -专利权人：上海恒润文化科技有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： A63G27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多自由度机械臂，包括：座椅装置；用于驱动座椅装置空间运动的驱动装置，驱动装置与座椅装置连接；用于带动驱动装置沿立柱进行移动的滑台系统，滑台系统包括滑轨和与滑轨配合的滑块，滑轨和滑块中的一者连接于驱动装置，另一者连接于立柱；用于驱动立柱进行转动的立柱驱动系统，立柱驱动系统设于底座上。本发明所提供的多自由度机械臂中，通过立柱驱动系统提供转动方向的自由度，滑台系统提供沿立柱的移动方向的自由度，驱动装置提供转动方向的自由度，由此，该机械臂能够为座椅装置提供多自由度的运动，为乘客提供较为丰富的乘坐体验。本发明还公开了一种包括上述多自由度机械臂的球幕翻板飞翔系统。
一种球幕翻板飞翔系统及其自由度机械

[发明专利]一种磷酸银/溴化银复合光催化剂的制备方法-CN201611235302.2有效
发明人：张晓君;于大禹;乔楠;颜克强;蒋函锦 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸银/溴化银复合光催化剂的制备方法。发明过程是将Ag₃PO₄和NaBr在常温下按照一定摩尔比在球磨机中转速200‑300r/min条件下研磨10‑20分钟，固体粒子在机械力作用下发生化学反应生成AgBr，用去离子水溶解多余的NaBr，得到Ag₃PO₄/AgBr复合光催化剂。通过控制反应物的摩尔比、球磨机转速和研磨时间，可以制备出不同摩尔比的Ag₃PO₄/AgBr复合光催化剂。本发明采用机械化学法制备Ag₃PO₄/AgBr复合光催化剂，球磨机在低转速、短时间条件下研磨，即可以实现，具有易操作、生产成本低的优点。
复合光催化剂制备研磨摩尔比球磨机磷酸银溴化银化学反应机械化学法机械力作用控制反应物球磨机转速生产成本低固体粒子去离子水时间条件常温下低转速中转速溶解

[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN201910086201.0在审
发明人：刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片的P型欧姆接触层由至少一个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为In_xGa_1‑xN层，0≤x＜1，且所述第一子层中掺有Mg，所述第二子层为MgN层，所述第一子层和所述第三子层呈镓极性，所述第二子层呈氮极性。由于氮极性材料相比于镓极性材料具有更低的欧姆接触电阻，因此通过设置第二子层从而可以降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。
子层氮化镓基发光二极管外延片超晶格结构氮极性镓极性半导体技术领域欧姆接触电阻发光效率工作电压依次层叠制造

[发明专利]AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法-CN201910061774.8在审
发明人：刘旺平;张武斌;王坤;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法。AlN模板的制备方法包括：提供衬底，并将所述衬底放置于物理气相沉积设备的工艺腔室中；对所述衬底进行加热，并向所述工艺腔室通入反应气体，所述反应气体包括Ar和N₂；当所述工艺腔室的压力达到第一压力且所述衬底的温度达到沉积温度时，连通Al靶材和脉冲电源并保持所述衬底的温度为所述沉积温度不变，以开始在所述衬底上沉积AlN薄膜；在沉积时间内将所述工艺腔室的压力从所述第一压力逐渐调节至第二压力，在所述沉积时间后停止对所述衬底进行加热、停止通入所述反应气体、且断开所述Al靶材和所述脉冲电源，以结束所述AlN薄膜的沉积，所述第一压力大于所述第二压力。
衬底沉积工艺腔室反应气体制备氮化镓基发光二极管脉冲电源外延片靶材加热物理气相沉积设备断开连通

[发明专利]AlN模板、发光二极管外延片及其制造方法-CN201910060014.5在审
发明人：陶章峰;张武斌;程金连;乔楠;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN模板、发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。AlN模板包括衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，AlN薄膜包括依次层叠的第一AlN薄膜、插入层和第二AlN薄膜，插入层包括多个AlNO子层，且多个AlNO子层中的氧含量沿多个AlNO子层的层叠方向先逐层增加再逐层减少。AlNO子层中的一部分O原子会替代N原子，另一部分O原子会形成填隙原子，而替位O原子和填隙O原子都会使AlN晶格产生一定的畸变，增加AlN薄膜的晶格常数，使AlN薄膜和后续GaN外延薄膜的晶格常数更接近，有利于减小GaN材料中的压应力，改善外延片的翘曲，进而改善外延层的波长均匀性。
子层发光二极管外延晶格常数插入层衬底半导体技术领域波长均匀性层叠方向填隙原子外延薄膜依次层叠外延层外延片压应力畸变沉积减小晶格翘曲填隙制造替代

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811376957.0在审
发明人：陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括第一InGaN层，所述量子垒层包括顺次层叠的第一AlInGaN层、GaN层、以及第二AlInGaN层，靠近所述低温应力释放层的阱垒层中的量子阱层与所述低温应力释放层接触。
应力释放层量子阱层垒层多量子阱层量子垒层外延片衬底制备发光二极管外延非掺杂GaN层电子阻挡层缓冲层沉积

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制备方法-CN201910041239.6在审
发明人：张武斌;陶章峰;刘旺平;周盈盈;王坤;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述方法包括：提供AlN模板，所述Al模板包括蓝宝石衬底和沉积在所述蓝宝石衬底上的AlN缓冲层；在至少包括H₂的气氛中对所述AlN模板进行退火处理，所述退火处理时间为5～13min；在退火处理后的AlN模板的AlN缓冲层上顺次沉积非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层。
退火处理蓝宝石外延片衬底沉积制备非掺杂GaN层电子阻挡层多量子阱层

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811548981.8在审
发明人：曹阳;乔楠;张武斌;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。方法包括：提供图形化蓝宝石衬底；在所述图形化蓝宝石衬底上沉积GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上沉积低压GaN层，所述低压GaN层中掺杂Al、且掺杂的Al的摩尔浓度小于0.3，所述低压GaN层的生长压力小于或等于200torr；在所述低压GaN层上顺次沉积N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层。
沉积图形化蓝宝石外延片衬底制备电子阻挡层多量子阱层生长压力掺杂的掺杂

[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201811608887.7在审
发明人：刘旺平;张武斌;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：在衬底上依次生长AlN缓冲层。其中，在衬底上生长AlN缓冲层包括：将衬底放至物理气相沉积设备的反应腔中，将反应腔抽真空；向反应腔中通入氩气和氮气，并向Al靶材施加脉冲电源，对Al靶材进行溅射，在衬底上沉积第一AlN缓冲层；增加脉冲电源的占空比，在第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层；继续增加脉冲电源的占空比，在第二AlN缓冲层上生长第三AlN缓冲层。采用该制造方法可以改善Al靶材表面形成AlN薄膜区域的沉积速率下降，导致的AlN缓冲层的波长均匀性和发光强度均匀性变差的问题。
衬底脉冲电源反应腔沉积发光二极管外延占空比制造靶材生长物理气相沉积设备半导体技术领域波长均匀性氮气靶材表面氩气抽真空均匀性变差溅射施加

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201811552304.3在审
发明人：周盈盈;曹阳;张武斌;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。设置在多量子阱层与低温P型GaN层之间的第一MgAlGaN层较高的势垒可以起到限制电子由多量子阱层溢流至低温P型GaN层的作用，保证更多的电子可在多量子阱层内与空穴复合发光。而第一MgAlGaN层本身可起到提供空穴的作用，增加进入多量子阱层的空穴数量，在多量子阱层内复合发光的电子与空穴数量增加，发光二极管的发光效率能够得到进一步提高。
多量子阱层发光二极管空穴外延片制备发光效率复合发光空穴复合势垒溢流发光制造保证

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201811554799.3在审
发明人：陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的量子阱层为BInGaN层，量子垒层包括依次层叠在量子阱层上的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层均为GaN层，第二子层为BAlGaN层。调整BInGaN阱层中B和In的摩尔比，即可使得BInGaN材料与GaN材料之间具有较好的晶格匹配性，从而可以缓解量子阱层与量子垒层之间的压应力，减少量子阱层内产生的压电极化效应，增加电子和空穴的波函数在空间分布上的交叠，提高LED的发光效率。同时量子垒层的GaN层与BAlGaN层之间会形成异质结界面，可以提高电子和空穴在多量子阱层进行辐射复合发光的发光效率。
子层量子阱层发光二极管外延量子垒层空穴发光效率半导体技术领域多量子阱层晶格匹配性异质结界面复合发光空间分布压电极化依次层叠波函数摩尔比压应力交叠阱层制造辐射缓解