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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202310026104.9在审
  • 金孝燮;李基硕;李明东;金钟珉;金熙中;李志勋;李泓濬 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-09 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：器件隔离图案，设置在基底上以提供第一有源部分和第二有源部分；第一存储节点垫，设置在第一有源部分上；第二存储节点垫，设置在第二有源部分上；垫分离图案，设置在第一存储节点垫与第二存储节点垫之间；字线，设置在基底中以与第一有源部分和第二有源部分交叉；位线，设置在垫分离图案上并与字线交叉；缓冲层，设置在垫分离图案上；以及掩模多晶硅图案，置于缓冲层与位线之间，其中，掩模多晶硅图案的侧表面与位线的侧表面基本对齐，并且掩模多晶硅图案与垫分离图案竖直地叠置。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]具有连接到存储器元件的二极管的半导体元件的制备方法-CN202310081505.4在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2023-01-19 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该基底包括一第一井区，该第一井区具有一第一导电类型。该制备方法还包括形成一第一栅极结构在该基底上。该制备方法还包括形成一第一掺杂区在该基底中。该第一掺杂区具有一第二导电类型，该第二导电类型不同于该第一导电类型。该第一栅极结构与该第一掺杂区包含在一第一晶体管中。此外，该制备方法包括形成一电容结构以电性耦接到该基底的该第一掺杂区。该制备方法亦包括形成一第二掺杂区在该基底中。该第二掺杂区具有该第二导电类型，该第二掺杂区与该第一井区一起当作一个二极管，且该第二掺杂区电性耦接到该第一掺杂区。
  • 具有接到存储器元件二极管半导体制备方法
  • [发明专利]集成电路器件-CN202310261597.4在审
  • 朴正敏;林汉镇;丁炯硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-17 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 公开了集成电路器件。所述集成电路(IC)器件包括：下电极，在基底上，下电极包括包含第一金属的含金属膜；介电膜，覆盖下电极；以及上电极，面向下电极，介电膜在上电极与下电极之间。下电极包括：主下电极层，不包括与第一金属不同种类的金属掺杂剂，主下电极层与介电膜间隔开；以及界面下电极层，与介电膜接触，并且包括第一金属掺杂剂和第二金属掺杂剂。第一金属掺杂剂处于第一价态并且包括不同于第一金属的第二金属。第二金属掺杂剂处于小于第一价态的第二价态，并且包括不同于第一金属和第二金属的第三金属。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202310267630.4在审
  • 郑文泳;李基硕;崔贤根;卢亨俊;李相昊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-20 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体装置可包括：衬底，其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区；栅电极，其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区；背栅电极，其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸；竖直导电图案，其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；以及有源层，其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。有源层可在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且可电连接到竖直导电图案。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
  • 半导体装置
  • [发明专利]制造集成电路器件的方法-CN202310279606.2在审
  • 徐旻揆;金亮阧;金容焕;朴相郁;李建烨;李到瑾;洪定杓 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-21 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种制造集成电路器件的方法包括：在基板上形成具有依次堆叠的模制层和支撑层的模制结构；形成在垂直方向上穿过模制结构的垂直孔以及在第一垂直高度区域中在水平方向上从垂直孔向外延伸的弯曲空间；将垂直孔和弯曲空间暴露于预处理气氛，以使支撑层具有第一表面状态并且模制层具有不同于第一表面状态的第二表面状态；利用第一表面状态和第二表面状态之间的差异，通过选择性沉积工艺形成填充弯曲空间的弯曲互补图案；以及在垂直孔中形成与模制层、支撑层和弯曲互补图案接触的下电极。
  • 制造集成电路器件方法
  • [发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202310347388.1在审
  • 卢知训;金范书;金成吉 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-03 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括衬底上由元件隔离层限定的有源区；字线，与有源区交叉并沿第一方向延伸；位线，在衬底上与有源区交叉并沿第二方向延伸；以及位线接触部，直接连接到位线和有源区。位线接触部可以在衬底与位线之间。位线接触部可以包括下位线接触部和上位线接触部，下位线接触部直接连接到有源区，上位线接触部在下位线接触部上并与下位线接触部接触。下位线接触部的上表面在第二方向上的宽度可以大于上位线接触部的下表面在第二方向上的宽度。
  • 半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202310361496.4在审
  • 金范书;金成吉;卢知训 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-06 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 可以提供一种半导体存储器件，包括：衬底，包括由元件隔离层限定的有源区；位线，在衬底上沿第一方向延伸；存储接触部，在位线的两侧中的每一侧上，并连接到有源区；存储焊盘，在存储接触部上，并连接到存储接触部；以及信息存储部分，在存储焊盘上，并连接到存储焊盘，其中，存储接触部包括下存储接触部和在下存储接触部上的上存储接触部，下存储接触部的至少一部分在衬底中，下存储接触部的整个上表面与上存储接触部的整个下表面接触，并且下存储接触部和上存储接触部中的每一个包括半导体材料。
  • 半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310617857.7在审
  • 李婕;黄家恩;李俊颖;刘逸青;王奕;曾晓梅;杨耀仁;张琮永 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202310987574.1在审
  • 刘严华;冯伟;王淑奇;俞华亮 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-08-07 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 本公开提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，半导体结构包括：衬底、栅介质层和字线，衬底包括间隔设置的多个有源区，衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，字线沟槽暴露有源区；栅介质层覆盖字线沟槽的槽壁，字线包括第一导电层和第二导电层，第一导电层位于栅介质层上，第二导电层位于第一导电层上，第一导电层的功函数小于第二导电层的功函数。字线还包括功函数较大的第二导电层，从而可以提高字线的功函数，以增大晶体管的阈值电压，从而提升晶体管的抗干扰能力和可靠性。因此，本公开提供的半导体结构和半导体结构的制备方法，可以改善晶体管的抗干扰能力。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
  • 郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-28 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202310340749.X在审
  • 李珉浚;金容锡;金炫哲;柳民泰;李溶珍 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-31 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件包括在衬底上排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个可以包括在衬底上的第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区、第一栅电极、以及第一栅极绝缘层。第二晶体管可以包括：柱结构，具有依次堆叠在第一栅电极上的第二漏极区、第二沟道区和第二源极区；第二栅电极，在第二沟道区的一侧；以及第二栅极绝缘层，在第二沟道区和第二栅电极之间。第二漏极区和第二源极区可以分别具有第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202310354489.1在审
  • 李善行;裵相友;李南显 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-04 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍图案，从基底的顶表面突出并沿第一方向延伸；第一有源层和第二有源层，在第一鳍图案上沿第一方向延伸，第二有源层设置在比第一有源层的水平高的水平处；第一栅极和第二栅极，与第一有源层和第二有源层相交，围绕第一有源层和第二有源层中的每个的上表面、下表面和相对的侧表面，并沿第二方向平行地延伸；第一接触插塞至第三接触插塞，位于由第一有源层和第二有源层形成的第一有源层结构上。第一有源层包括从第一有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸第一长度的区域，第二有源层包括从第二有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸比第一长度短的第二长度的区域。
  • 半导体装置
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