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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310268888.6在审
发明人： 金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件具有：下部结构；多个有源层，其沿着与下部结构的表面平行的方向水平定向；多个位线，分别耦接到有源层，并在相对于下部结构的表面的垂直方向上延伸；字线，其在有源层之上在与有源层交叉的方向上水平延伸；以及设置在位线和字线之间的覆盖层，该覆盖层包括设置在位线和字线之间的气隙。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310268758.2在审
发明人：权正敏;金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：第一字线堆叠，其中第一字线竖直堆叠；第二字线堆叠，其中第二字线竖直堆叠；字线隔离狭缝，设置在第一字线堆叠和第二字线堆叠之间；以及第一竖直隔离层，设置在第一字线堆叠和第二字线堆叠之间并与字线隔离狭缝交叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310255337.6在审
发明人：金志娟;金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：在牺牲焊盘之上形成堆叠体；形成牺牲竖向结构，该牺牲竖向结构穿过堆叠体以耦接至牺牲焊盘；对堆叠体进行刻蚀，以形成与牺牲竖向结构间隔开的竖向开口；通过将牺牲焊盘去除来形成牺牲凹陷部，该牺牲凹陷部使牺牲竖向结构的底部暴露；形成刻蚀阻挡内衬层，该刻蚀阻挡内衬层围绕牺牲竖向结构的底部；以及将牺牲竖向结构选择性地去除。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]外部相机镜头清洗系统和清洗方法-CN201811441248.6有效
发明人：朴钟旼;孔珞敬;李骐泓;金承焕;张承赫;金龙焕;南真植 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;SL株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B60S1/60 文献下载
摘要：本申请提供一种外部相机清洗系统和清洗方法。外部相机系统包括：固定到车辆的底座单元；与底座单元可旋转地耦接的壳体；以及成像装置，其包括相机模块并具有插入壳体以在壳体的纵向方向上运动的至少一个部分。洗刷器设置于壳体的内表面上以面向相机模块，洗涤流体喷嘴设置在洗刷器附近。控制器从相机模块接收视频，以基于车辆的行驶条件设置壳体的旋转角度，并调节成像装置的延伸。
外部相机镜头清洗系统方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310228707.7在审
发明人：姜明辰;金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件具有设置在下部结构之上的字线堆叠，并且包括在与下部结构的表面垂直的方向上堆叠的多个字线。半导体器件具有穿透字线的边缘部分的狭缝，并且包括刻蚀阻挡件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310180019.8在审
发明人：尹慧媛;金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在衬底之上通过交替地堆叠多个半导体层和多个刻蚀阻挡层来形成堆叠体；通过对堆叠体的第一部分进行刻蚀来形成多个台阶以停止在刻蚀阻挡层处；通过对堆叠体的第二部分进行刻蚀来形成狭缝；通过狭缝用牺牲电介质层代替台阶的刻蚀阻挡层；用字线代替牺牲电介质层；以及形成耦接至字线的接触插塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310180086.X在审
发明人：宋东一;金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：下部结构；有源层，其在下部结构之上；位线，其耦接到有源层的一侧并且从下部结构垂直地延伸；数据储存元件，其耦接到有源层的另一侧；字线，其设置成与有源层相邻并且在与有源层交叉的方向上延伸；以及覆盖层，其设置在字线和数据储存元件之间并且包括与有源层接触的陷阱抑制材料。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种可更换支脚的烤箱-CN202320913331.9有效
发明人：李定中;金承焕 -专利权人：李定中;易恩得贸易（上海）有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A47J37/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可更换支脚的烤箱，包括烤箱本体,所述烤箱本体的底部连接有若干只短支脚,还包括若干只与短支脚数量相同的长支脚,所述长支脚的顶端开设有适配短支脚形状的插接腔，所述长支脚通过插接腔套接在短支脚外并对烤箱本体进行支撑；此款烤箱采用长支脚直接套接在短支脚上调整烤箱本体的高度，能够根据个人喜好使烤箱适应不同的使用场景，使烤箱高度调节更加灵活、造型可变。
一种更换烤箱

[外观设计]烤箱-CN202330178275.4有效
发明人：李定中;金承焕 -专利权人：李定中;易恩得贸易(上海)有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： 07-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：烤箱。2.本外观设计产品的用途：用于烹调食物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
烤箱

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211404076.1在审
发明人： 金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：字线叠置件，该字线叠置件在衬底之上；多个支撑件，多个支撑件包括竖向地延伸的阻挡间隔件以支撑字线叠置件；以及电容器的储存节点，该储存节点被横向地设置在支撑件之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202211399601.5在审
发明人： 金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：通过在下部结构之上交替地堆叠多个半导体层和多个牺牲半导体层来形成堆叠体；通过刻蚀堆叠体来形成开口；通过经由开口刻蚀半导体层和牺牲半导体层，形成多个有源层和多个横向凹部；形成部分地填充横向凹部并接触有源层的牺牲电介质层；以及利用字线来替代牺牲电介质层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202211402871.7在审
发明人： 金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：导电线叠置件，该导电线叠置件包括多个双导电线，所述多个双导电线在与衬底的表面垂直的方向上被叠置在衬底之上；导电线焊盘，该导电线焊盘在每个双导电线的边缘部分之间横向地定向；以及接触插塞，该接触插塞接触双导电线的边缘部分。
半导体器件

[发明专利]垂直存储器件-CN201911394600.X有效
发明人： 金承焕;郑璲钰;车宣龙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：衬底；相对于衬底垂直取向的位线；相对于衬底垂直取向的板线；以及存储单元，被提供有按照横向布置置于位线与板线之间的晶体管和电容器，其中该晶体管包括：有源层，其在位线和电容器之间横向取向为平行于衬底；以及线形下字线和线形上字线，其与它们之间的有源层垂直地层叠以及取向为与有源层相交。
垂直存储器件

[发明专利]封装衬底和包括该封装衬底的半导体封装-CN202211283754.3在审
发明人：朴埈祐;金祥洙;金承焕;金正柱;李镕官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：封装衬底，该封装衬底包括具有再分布层的基础衬底、设置在基础衬底的第一表面和第二表面上并连接到再分布层的焊盘、以及具有安装区域的保护层，在该安装区域中，分别暴露焊盘中的第一焊盘的第一开口以及暴露焊盘中的第二焊盘和第二表面的一部分的第二开口设置在第二表面上；半导体芯片，设置在安装区域上并通过第一开口和第二开口连接到焊盘；以及密封材料，覆盖半导体芯片的一部分并延伸到第二开口中。第一开口中的四个第一开口分别与安装区域的各个拐角相邻设置。第二开口被设置为将这四个第一开口分成至少两组。
封装衬底包括半导体

[发明专利]制造半导体封装件的方法-CN202211184904.5在审
发明人： 金承焕;高炅焕;金埩周;金钟完;朴埈祐;白亨吉;李镕官;张童柱;全泰俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种制造半导体封装件的方法可以包括：提供衬底，所述衬底具有分别沿着所述衬底的彼此相对的第一侧部和第二侧部设置的第一切割区域和第二切割区域，以及位于第一切割区域和第二切割区域之间的安装区域；在安装区域上设置至少一个半导体芯片；在衬底上形成模制构件；以及从模制构件去除虚设流道部分的至少一部分和虚设卷边部分。模制构件可以包括密封部分、设置在衬底的第二侧部外侧的虚设卷边部分以及在第二切割区域上连接密封部分和虚设卷边部分的多个虚设流道部分。衬底可以包括位于第二切割区域中的粘附力减小焊盘，所述粘附力减小焊盘可以分别接触虚设流道部分。
制造半导体封装方法

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