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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310617857.7在审
发明人：李婕;黄家恩;李俊颖;刘逸青;王奕;曾晓梅;杨耀仁;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电路、确定电熔丝的状态的方法和集成电路结构-CN201910735001.3有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：一种电路包括在位线和编程节点之间串联耦接的电熔丝和第一编程器件，以及与第一编程器件并联配置的第二编程器件。第一编程器件和第二编程器件是可单独地控制的。本发明的实施例还涉及确定电熔丝的状态的方法和集成电路结构。
电路确定电熔丝状态方法集成电路结构

[发明专利]一次性可程序化位元单元与集成电路与方法-CN202210095680.4在审
发明人：陈建盈;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种一次性可程序化位元单元与集成电路与方法，一次性可程序化位元单元，包括具有正面和背面的基板、在正面上的主动区域、第一读取晶体管、程序晶体管、第一电性连接件、第二电性连接件以及第三电性连接件，其中第一读取晶体管包括第一栅极以及由第一栅极横切的主动区域的第一部分，程序晶体管包括第二栅极以及由第二栅极横切的主动区域的第二部分，第一电性连接件连接至第一栅极，第二电性连接件连接至第二栅极，以及第三电性连接件连接至主动区域。第一电性连接件、第二电性连接件或第三电性连接件中至少一者包括位于背面上的金属线。
一次性程序化位元单元集成电路方法

[发明专利]集成电路及制造集成电路的方法-CN202210351745.7在审
发明人：陈建盈;陈彦臻;杨耀仁;张盟昇;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种集成电路及制造集成电路的方法，集成电路包括在一第一金属层中的一正面水平导线、在一第二金属层中的一正面垂直导线、一正面熔丝元件及一背面导线。该正面水平导线经由一正面端子通孔连接器直接连接至一晶体管的漏极端子导体。该正面垂直导线经由一正面金属至金属通孔连接器直接连接至该正面水平导线。该正面熔丝元件具有导电连接至该正面垂直导线的一第一熔丝端子。该背面导线经由一背面端子通孔连接器直接连接至该晶体管的源极端子导体。
集成电路制造方法

[发明专利]集成电路布局、器件、系统和其生成方法-CN201910112255.X有效
发明人：张盟昇;洪哲民;周绍禹;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：生成IC布局图的方法包括使有源区与第一栅极区和第二栅极区相交以限定第一反熔丝结构和第二反熔丝结构的位置，利用第一导电区覆盖第一栅极区以限定第一导电区和第一栅极区之间的电连接的位置，以及利用第二导电区覆盖第二栅极区以限定第二导电区和第二栅极区之间的电连接的位置。第一导电区和第二导电区沿着与第一栅极区和第二栅极区延伸的方向垂直的方向对准，以及由计算机的处理器执行使有源区与第一栅极区相交、使有源区与第二栅极区相交、覆盖第一栅极区或覆盖第二栅极区中的至少一个。本发明的实施例还提供了集成电路布局、器件和系统。
集成电路布局器件系统生成方法

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN201910768199.5有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种结构包括第一字线、位线和反熔丝单元。反熔丝单元包括读取器件、编程器件和伪器件。读取器件包括耦合到第一字线的第一栅极、耦合到位线的第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区位于第一栅极的相对侧上。编程器件包括第二栅极、耦合到第二源极/漏极区的第三源极/漏极区以及第四源极/漏极区。第三源极/漏极区和第四源极/漏极区位于第二栅极的相对侧上。伪器件包括第三栅极、耦合到第四源极/漏极区的第五源极/漏极区以及第六源极/漏极区。第五源极/漏极区和第六源极/漏极区位于第三栅极的相对侧上。本发明的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
半导体结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路装置及其制造方法及位元单元阵列-CN202210107828.1在审
发明人：刘相玮;杨詠傑;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种集成电路装置及其制造方法及位元单元阵列，集成电路(integrated circuit，IC)装置包括晶体管及可程序化结构区域。晶体管区域包括用以接收参考电压的源极结构、漏极结构的第一部分、及在源极结构与漏极结构的第一部分之间定位并且用以接收启用信号的栅电极。可程序化结构区域包括漏极结构的第二部分、用以接收操作电压的第一信号线、第二信号线、在第一信号线下面并且电性连接到第一信号线的栅极通孔、及在漏极结构的第二部分与第二信号线之间定位并且电性连接到漏极结构的第二部分及第二信号线的漏极通孔。第一信号线包括栅极通孔位置的部分及第二信号线包括漏极通孔位置的部分在IC装置的相同金属层中平行定位。
集成电路装置及其制造方法位元单元阵列

[发明专利]半导体装置及其熔断方法-CN201910454213.4有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明的实施例可以提供金属熔丝结构。该金属熔丝结构可以包括第一熔丝元件和第二熔丝元件。第二熔丝元件可以与第一熔丝元件相邻长度L。第二熔丝元件可以与第一熔丝元件间隔开宽度W。根据本发明的实施例，提供了半导体装置和半导体装置的熔断方法。
半导体装置及其熔断方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质-CN202210060016.6在审
发明人： 杨耀仁;张盟昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种方法包括接收设计规则组，设计规则组包括与有源区域相关联的宽度和间距的预定集合。该方法还包括提供包括具有相应有源区域的单元的单元库，其中有源区域的宽度和间距选自设计规则组的预定集合。该方法包括在设计布局中放置来自单元库的第一单元和第二单元。第一单元在第一方向上具有单元高度，并且第一单元具有在第一方向上具有第一宽度的第一有源区域。第二单元具有单元高度，并且第二单元具有在第一方向上具有第二宽度的第二有源区域。第二宽度不同于第一宽度。该方法还包括根据设计布局制造半导体器件。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质。
制造半导体器件方法暂时性计算机可读存储介质

[发明专利]集成电路及其结构与程序化半导体元件的方法-CN202110654631.5在审
发明人：张盟昇;陈建盈;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种集成电路及其结构与程序化半导体元件的方法，特别是反熔丝结构及具有此等反熔丝结构的IC元件，其中反熔丝结构包括介电反熔丝结构，介电反熔丝结构形成于主动区域上且具有：第一介电反熔丝电极；第二介电反熔丝电极，第二介电反熔丝结构平行于第一介电反熔丝电极延伸；第一介电组合物，第一介电组合物在第一介电反熔丝电极与第二介电反熔丝电极之间；及第一程序化晶体管，第一程序化晶体管电连接至第一电压供应源，其中在程序化操作期间，将一程序化电压选择性地施加至介电反熔丝结构中的某些以在第一介电反熔丝电极与第二介电反熔丝电极之间形成电阻性直接电连接。
集成电路及其结构程序化半导体元件方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202210073446.1在审
发明人：陈建盈;杨耀仁;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本公开涉及存储器件及其制造方法。公开了一种存储器件。存储器件包括第一晶体管以及电耦合到第一晶体管的第一电容器，第一晶体管和第一电容器形成第一一次性可编程(OTP)存储单元。第一电容器具有第一底部金属端子、第一顶部金属端子、以及介于第一底部金属端子与第一顶部金属端子之间的第一绝缘层。第一绝缘层包括第一部分、与第一部分分开的第二部分、以及在第一部分和第二部分之间垂直地延伸的第三部分。第一底部金属端子位于第一绝缘层的第一部分的正下方并与该第一部分接触。
存储器件及其制造方法

[发明专利]存储器单元阵列、存储器电路及其制造方法-CN201910768194.2有效
发明人：张盟昇;吴旻信;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：存储器电路阵列包括第一读取器件和第一编程器件。第一读取器件耦合至第一位线。第一读取器件包括耦合至第一字线的第一晶体管，以及耦合至第一字线的第二晶体管。第一编程器件耦合至第一读取器件。第一编程器件包括耦合至第二字线的第三晶体管，以及耦合至第二字线的第四晶体管。本发明的实施例涉及存储器单元阵列、存储器电路及其制造方法。
存储器单元阵列电路及其制造方法

[发明专利]存储器器件，集成电路器件及其操作方法-CN202110838165.6在审
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种存储器器件、集成电路器件及其操作方法。存储器器件，包括至少一个位线、至少一个源极线、至少一个编程字线、至少一个读取字线以及至少一个包括编程晶体管和读取晶体管的存储器单元。编程晶体管包括耦接到至少一个编程字线的栅极端子、耦接到至少一个源极线的第一端子以及第二端子。读取晶体管包括耦接到至少一个读取字线的栅极端子、耦接到至少一个位线的第一端子以及耦接到编程晶体管的第二端子。
存储器器件集成电路及其操作方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202110244060.8在审
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：揭露一种集成电路及其制造方法。集成电路包含晶体管、第一熔丝元件及第二熔丝元件。晶体管形成于第一导电层中。第一熔丝元件形成于设置于第一导电层上方的第二导电层中。第二熔丝元件形成于第二导电层中且耦接至第一熔丝元件。晶体管经由第一熔丝元件耦接至用于接收第一数据信号的第一数据线，且晶体管经由第二熔丝元件耦接至用于接收第二数据信号的第二数据线。
集成电路及其制造方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN201810981272.2有效
发明人：张盟昇;彭绍栋;周绍禹;张良川;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了集成电路结构及其形成方法。集成电路结构包括：形成在第一金属层中的第一熔丝线；形成在第一金属层中的第二熔丝线；形成在第一金属层中且位于第一熔丝线的第一端的相对两侧上的第一对熔丝翼；形成在第一金属层中且位于第二熔丝线的第一端的相对两侧上的第二对熔丝翼；形成在第一金属层中且位于第一熔丝线的第二端的相对两侧上的第三对熔丝翼；以及形成在第一金属层中且位于第二熔丝线的第二端的相对两侧上的第四对熔丝翼。第一对熔丝翼和第二对熔丝翼共用第一共用熔丝翼并且第三对熔丝翼和第四对熔丝翼共用第二共用熔丝翼。
集成电路结构及其形成方法

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