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[发明专利]一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器-CN202110200722.1有效
发明人：祝冉冉;徐礼磊;周家伟;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％/T(栅电压为0V，漏电压为5V时)，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。
一种基于 cavet 晶体管结构灵敏度磁场传感器

[发明专利]一种可调控偏振发光模式的发光二极管-CN202211412638.7在审
发明人：谢思扬;宋敏航;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。
一种调控偏振发光模式发光二极管

[发明专利]基于Fe3-CN201910171051.3有效
发明人：方贺男;李影;彭祥;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
基于 fe base sub

[发明专利]一种基于SAW的紫外光电探测器-CN202210099617.8在审
发明人：葛凡;张玉;宋敏航;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。
一种基于 saw 紫外光电探测器

[发明专利]一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro-LED-CN202210099338.1在审
发明人：张玉;葛凡;谢思扬;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。
一种基于 lsps 耦合增强紫外 micro led

[发明专利]高落差台阶结构的多色LED外延芯片及其制备方法-CN201911251245.0有效
发明人：智婷;陶志阔;薛俊俊 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
落差台阶结构多色 led 外延芯片及其制备方法

[发明专利]基于Fe₃N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法-CN201910171314.0在审
发明人：方贺男;彭祥;李影;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：基于Fe₃N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，所述自旋发光二极管结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层、Fe₃N薄膜层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe₃N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。本发明通过自旋注入层材料的选择，使得自旋注入层与自旋输运层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
制备自旋发光二极管发光二极管自旋注入层异质结构薄膜层粘结层基板源层自旋欧姆接触电极二极管标准技术磁控溅射样品表面注入效率电极输运层电导溅射取向匹配

[发明专利]利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器-CN201610179774.4有效
发明人：陈将伟;宦杰;杨晓霞;陶志阔;谢国治 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器，其结构式是G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，为一维单缺陷磁光光子晶体，其中，G1为厚度0.1210微米的五氧化二钛；G2为厚度0.3454微米的低介电常数超材料；M是厚度4.3462微米的掺铋钇铁石榴石。本发明旨在中心波长1.053微米附近实现克尔旋转角接近45°，能量反射率大于98％，且具有厚度薄(7.2657微米)、层数较少的特征。
利用介电常数材料制备隔离器

[发明专利]基于电磁损耗的开关电源共模干扰抑制器-CN201610179852.0在审
发明人：陈将伟;杨晓霞;宦杰;陶志阔;谢国治 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电磁损耗的开关电源共模干扰抑制器,抑制器电路采用集总元件的梯形网络形式，单元结构为串联电感线圈、并联电容器构成的低通电路。针对开关电源输出电缆‑大地传导的、5‑500MHz频率范围的共模电流，考虑到单元结构长度P_u要远小于共模电流波长以及电路制备的方便，取P_u≈1cm，电感线圈中填充磁导率实部、虚部均在10量级的以铁氧体为主要成分的复合磁性材料，电容器中填充介电常数实部、虚部均在10量级的复合介电材料。把共模干扰抑制器串联到开关电源的电缆上，由于抑制器具有较大的衰减系数，使得共模电流以指数形式迅速衰减，强烈地抑制后续电路中的共模电流。本发明结构简单、可方便地用于制备低电磁干扰的开关电源、改进已有电源的电磁兼容性能。
基于电磁损耗开关电源干扰抑制器

[发明专利]一种基于GaN衬底的Fe₃N多晶薄膜制备方法-CN201510197896.1在审
发明人：方贺男;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe₃N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe₃N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe₃N多晶薄膜，有利于Fe₃N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
一种基于 gan 衬底 fe sub 多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种InxFe4-xN/Fe3N复合材料制备方法-CN201510052072.5有效
发明人： 陶志阔;顾伟成;商耀珺;谌静;方贺南 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明为一种InxFe4-xN/Fe3N复合材料制备方法，本发明属于复合材料技术领域。通过溶胶凝胶与高温氮化相结合的方法制备磁性InxFe4-xN/Fe3N复合颗粒。本发明的InxFe4-xN/Fe3N复合材料的制备方法，其工艺简单；并且该复合磁性材料特性可调，在磁性存储、相关磁性器件设计领域有着重要应用前景。
一种 inxfe4 xn fe3n 复合材料制备方法

[发明专利]一种基于电磁损耗的电动汽车共模电流抑制器-CN201410529845.X有效
发明人：陈将伟;张小凯;王林;陶志阔;谢国治 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电磁损耗的电动汽车共模电流抑制器。抑制器电路采用集总元件的梯形网络形式，单元结构为串联电感线圈、并联电容器构成的低通电路。针对电动汽车中沿电缆-底盘传导的、1-30MHz频率范围的共模电流，考虑到单元结构长度P_u要远小于共模电流波长以及电路制备的方便，取P_u≈2cm，电感线圈中填充磁导率实部、虚部均在10量级的复合磁性材料，电容器中填充介电常数实部、虚部均在10量级的复合介电材料。把共模电流抑制器串联到电动汽车的电缆上，由于抑制器具有较大的衰减系数，使得共模电流以指数形式迅速衰减，强烈地抑制后续电路中的共模电流。本发明结构简单、便于制备、可有选择性地高效抑制较宽频段范围的共模电流。
一种基于电磁损耗电动汽车电流抑制器

[发明专利]一种Fe₃N材料的生长方法-CN201010128576.8有效
发明人：张荣;谢自力;陶志阔;刘斌;修向前;华雪梅;赵红;陈鹏;韩平;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种Fe3N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N2、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度升高，生长GaN支撑层；4)通入二茂铁FeCp2做Fe源，在GaN支撑层上生长Fe3N材料；得到Fe3N颗粒薄膜材料和Fe3N单晶薄膜材料。本发明实现了高质量Fe3N薄膜材料生长，针对材料生长困难的问题，通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铁源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明方法简单，生长过程可控，在生长方法以及生长工艺的过程控制都具有一定的先进性。
一种 fe sub 材料生长方法

[发明专利]GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用-CN200810124346.7有效
发明人：谢自力;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;韩平;陈鹏;赵红;刘斌;李弋;宋黎红;崔颖超;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
gamnn 稀释磁性半导体薄膜材料制备方法及其应用

[发明专利]一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途-CN200810024894.2有效
发明人：谢自力;张荣;陶志阔;崔旭高;陈鹏;修向前;韩平;赵红;刘斌;李弋;宋黎红;崔颖超;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H₂、N₂或H₂和N₂气体对蓝宝石衬底进行1000－1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um－2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900－1150℃温度下通入流量范围分别为0.1－5slm、1－10sccm和15－200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP₂Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5－500Torr。
一种 fe 掺杂生长 gafen 稀释磁性半导体方法及其用途

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