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[发明专利]一种正负光电导切换的场效应晶体管及其制备方法-CN202310220086.8在审
发明人：张金中;高照潭;姜睿琪;邓梦晗;王强飞;赵灿;洪子安;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种正负光电导切换的场效应晶体管及其制备方法，能够实现在不同激光功率密度下正/负光电导切换的功能，所制备晶体管以石墨烯作为沟道层，硒化铟作为光吸收层。制备过程如下：首先，采用机械剥离法制备六方氮化硼、石墨烯以及硒化铟；其次，借助转移台将其分别转移到经过超声处理的硅/二氧化硅衬底上；然后，利用铜网掩膜法对其进行图案化处理；最后，借助热蒸发镀膜仪沉积金电极，至此完成晶体管的制备。本发明所制备晶体管结构简单、制备过程易操作，进一步丰富了二维材料的功能特性。
一种正负电导切换场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法及器件-CN202211737046.2在审
发明人：刘辉;朱阳军;吴凯;张广银;徐真逸;杨飞;任雨 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法及器件，尤其是一种降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法及器件。按照本发明提供的技术方案，一种降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法，所述降低深槽侧壁粗糙度的方法包括：提供具有碳化硅深槽的碳化硅衬底；在上述碳化硅深槽内沉积覆盖所述碳化硅深槽侧壁的薄膜层，以利用所沉积的薄膜层平坦化碳化硅深槽的侧壁，其中，所述薄膜层的材料与碳化硅衬底相一致；对上述的薄膜层进行湿法牺牲氧化；基于湿法腐蚀工艺去除上述湿法牺牲氧化产生的氧化层。本发明能有效降低碳化硅深槽侧壁的粗糙度，与现有工艺兼容，安全可靠。
降低碳化硅侧壁粗糙方法器件

[发明专利]同位素30-CN202310379691.X在审
发明人：陆景彬;张跃辉;李承乾 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术与核技术利用技术领域，公开了同位素30Si在提高半导体器件抗质子辐射、导电性中的应用，利用同位素30Si提高单晶硅半导体器件抗质子辐射能力和导电能力。且本发明通过将同位素30Si制备成单晶硅半导体器件，且获得的30Si单晶硅半导体器件中，在质子能量处于10～20keV辐照下，单晶硅30Si产生的稳定点缺陷数比28Si低11％～14％，在室温300K下30Si的结合能比28Si略大，能带宽度有微弱的降低，证明将同位素30Si制备成单晶硅半导体器件后，能够有效提高单晶硅半导体器件的抗辐射性能和导电性，进而能够延长在轨器件的使用寿命和性能。
同位素 base sup 30

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111448618.0在审
发明人：孔真真;王桂磊;张毅文;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成有锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐变缓冲层上方形成有第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上形成有锗量子阱层，锗量子阱层上形成有第二锗硅限制层，在第二锗硅限制层上形成有硅帽层。通过依次形成锗虚拟衬底层和锗硅逆渐变缓冲层，然后在锗硅逆渐变缓冲层上依次形成第一锗硅限制层、锗量子阱层和第二锗硅限制层，通过调节锗硅逆渐变缓冲层的过度程度，可调控锗量子阱层的应变大小，形成可限制载流子的包含高迁移率二维空穴气的异质结结构，改善核自旋干扰现象，便于与大规模硅基CMOS相兼容，降低制备成本。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]功率半导体器件以及操作方法-CN202080105641.7在审
发明人： M·贝利尼;J·伏贝基;L·克诺尔;G·罗马诺;G·阿尔菲里 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：在至少一个实施方案中，功率半导体器件(1)包括：‑源极区(21)，‑在半导体本体(2)中的沟道区(22)，以及‑在所述沟道区(22)处的栅极电极(3)，所述栅极电极与所述半导体本体(2)电绝缘，其中‑所述沟道区(22)是不同于所述第一导电类型的第二导电类型的，‑所述沟道区(22)包括具有至多0.15eV的活化能的第一掺杂物，并且‑所述沟道区(22)包括具有至少0.3eV的活化能的第二掺杂物。
功率半导体器件以及操作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110486503.4有效
发明人：白杰;赵文礼 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底、SiGe外延层、保护层及PMOS栅极，该衬底的表面至少包括一个PMOS区域；SiGe外延层生长于衬底的表面，且位于PMOS区域；保护层覆盖于SiGe外延层的表面；PMOS栅极位于保护层的表面。即本申请通过在SiGe外延层的表面生成一保护层，可以在PMOS器件制造过程中，有效保护SiGe外延层表面不被损伤，提高PMOS器件的载流子迁移率，进而提升PMOS器件的电学性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种杀菌结构、显示基板及显示装置-CN201811375954.5有效
发明人：李广耀;丁录科;程磊磊;胡迎宾;方金钢;刘宁;王庆贺;王东方;闫梁臣 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种杀菌结构、显示基板及显示装置，该杀菌结构包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层，有源层的表面具有裸露区域，且有源层的材料为激光诱导的石墨烯材料。本发明通过采用激光诱导的石墨烯材料制作薄膜晶体管的有源层，有源层的表面具有裸露区域，激光诱导的石墨烯材料通电之后，激光诱发石墨烯依靠锋利的边缘刺破细菌的细胞膜，有源层中的载流子电解产生电荷，细菌通过与有源层的表面、电荷以及局部产生的过氧化氢毒性相结合而导致死亡，从而本发明提供的杀菌结构可以防止细菌聚集以及实现灭菌的效果。
一种杀菌结构显示显示装置

[发明专利]一种半导体器件以及制备方法-CN202310104444.9在审
发明人：刘靖雄;王桂磊;吴振华;孔真真;张毅文;任宇辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;合肥国家实验室
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件以及制备方法，在该半导体器件中，第一缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐增加从而逐渐缩小了晶格失配，同时第二缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐减小从而给后续生长的外延层提供了张应力，进一步降低了缓冲叠层的表面的粗糙度，两者结合实现了位错容纳，将大部分位错和缺陷限制在缓冲叠层中，相比于现有技术，在衬底上生长该缓冲叠层可以得到更高的驰豫和更低的表面粗糙度，为之后半导体器件形成高质量的外延层提供了基础。
一种半导体器件以及制备方法

[发明专利]具有改善的坚固性的垂直半导体装置-CN202180052045.1在审
发明人： D·J·里施顿瓦尔纳;柳世衡;韩基琼;E·R·范布朗特 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：一种垂直半导体装置包括基板、基板之上的缓冲层、缓冲层之上的一个或多个漂移层以及一个或多个漂移层之上的扩散层中的一个或多个。
具有改善坚固垂直半导体装置

[发明专利]一种增强型金刚石场效应晶体管的制备方法及器件-CN202211691889.3在审
发明人：陈军飞;李逸江;任泽阳;苏凯;孟金涛;朱潦亮;王东;吴勇;陈兴;许琦辉;丁森川;李俊鹏;黄思源;费一帆;马源辰;何琦;张金风 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型金刚石场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在本征金刚石层上生长p型掺杂金刚石层；对p型掺杂金刚石层的器件表面进行氢终端处理，以在p型掺杂金刚石层的器件表面形成氢终端导电层；去除栅极位置区域的氢终端导电层，并在栅极位置区域两侧的氢终端导电层上分别淀积源电极和漏电极；在p型掺杂金刚石层上的栅极位置区域生长栅介质层，并在栅介质层上淀积栅电极。本发明中的方法，能够制备得到大电流增强型金刚石场效应晶体管器件。
一种增强金刚石场效应晶体管制备方法器件

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202211500026.3在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/167 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化剂基MOSFET器件及其制备方法，器件包括依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、Ga2O3漂移层、注入有第一受主离子的Ga2O3层、高掺杂Ga2O3层、源极；高掺杂n型Ga2O3外延层表面设置有向Ga2O3衬底方向凹陷底部抵至Ga2O3漂移层中的凹槽；凹槽的底部垂直向下延伸至Ga2O3漂移层中预设深度处的区域注入有第二受主离子，还包括：层叠设置在凹槽内壁及高掺杂n型Ga2O3层上的绝缘栅介质层、栅极。本发明在凹槽底部注入第二受主离子作为补偿受主实现电子耗尽，形成Ga2O3高阻区，将场强集中区域从绝缘栅介质转移至此Ga2O3高阻区，提升器件的耐压能力、击穿电压及可靠性。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种碳材料二极管及其制备方法-CN201810385967.4有效
发明人：鄢勇;李梦瑶;冯晓静;赵星;杨柳 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳材料二极管，所述碳材料二极管包括依次设置的带电子的碳纳米管层、带电子的氧化石墨烯层、带空穴的氧化石墨烯层和带空穴的碳纳米管层。本发明提供了一种全部是碳材料的二极管，所述二极管中的PN结通过带正电的氧化石墨烯和带负电的氧化石墨烯的堆叠实现，在所述二极管中，两层氧化石墨烯上的对离子相互扩散，成功构建内建电场，从而实现整流，获得了较高的整流比和工作电流。
一种材料二极管及其制备方法

[发明专利]一种控制TSD缺陷的4H-SiC外延结构及生长方法-CN202211581942.4在审
发明人：徐玉超;潘恩赐;郑晨扬;左万胜;袁松 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：一种控制TSD缺陷的4H‑SiC外延结构及生长方法，属于半导体技术领域，该控制TSD缺陷的4H‑SiC外延结构，包括4H‑SiC衬底及其上依次生长的外延缓冲层Ⅰ、4H‑SiC缓冲层Ⅱ和4H‑SiC漂移层，外延缓冲层Ⅰ设置为6H‑SiC缓冲层或4H‑SiC缓冲层Ⅰ，本发明的有益效果是，本发明可有效减少TSD缺陷和TSD衍生缺陷密度，减少了器件漏电流，增大了器件反向击穿电压，提高了外延片的质量。
一种控制 tsd 缺陷 sic 外延结构生长方法

[发明专利]碳化硅基板及其制造方法-CN202211122844.4在审
发明人：小西红実子;冲野泰之;广冈泰典 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅基板及其制造方法，通过提高在碳化硅基板内，将作为导致通电可靠性劣化的缺陷的基底面位错(BPD)转换为作为无害缺陷的贯通刃状位错(TED)的效率，进而防止向基板注入少数载流子，从而提高碳化硅基板的可靠性。在具有SiC基板(1)和依次形成于SiC基板(1)上的作为外延层的第一半导体层(11)、第二半导体层(2)以及漂移层(3)的碳化硅基板中，使第一半导体层(11)的杂质浓度低于SiC基板(1)及第二半导体层(2)的杂质浓度，第二半导体层(2)以高杂质浓度或厚膜形成。
碳化硅及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅功率二极管器件的制备方法-CN202010626793.3有效
发明人：陶永洪;蔡文必;彭志高 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率二极管器件的制备方法，在SiC衬底的第一表面生长具有N型有源区的SiC外延层；在SiC外延层表面沉积第一阻挡层，通过蚀刻打开N型有源区内的注入窗口，在N型有源区的注入窗口进行离子注入；通过高温激活，N型有源区形成间隔设置的P型区；在与P型区形成欧姆接触的第一金属层上覆盖第二金属层，防止在湿法腐蚀去除第二阻挡层的过程中造成BOE溶液腐蚀第一金属层，极大地保证第一金属层的完整性，避免产生金属颗粒沾污器件的问题，进而降低了由于金属颗粒沾污带来的可靠性风险，大大提高器件制造的良率。
一种碳化硅功率二极管器件制备方法