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[发明专利]功率半导体器件-CN202280017485.8在审
发明人： G·罗马诺;L·克诺尔;Y·阿朗戈;S·沃思;A·米哈埃拉 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在至少一个实施例中，功率半导体器件(1)包括：半导体本体(2)；在半导体本体(2)中的至少一个源极区域(21)；在半导体本体(2)处的栅电极(3)；在半导体本体(2)与栅电极(3)之间的栅极绝缘体(4、41、42)；以及在所述至少一个源极区域(21)处和栅极绝缘体(4、41、42)处的至少一个阱区域(22)，其中：栅极绝缘体(4、41、42)具有变化的介电电容，该介电电容在每种情况下都是介电常数与栅极绝缘体(4、41、42)在其特定位置处的几何厚度的商；并且所述至少一个阱区域(22)处的介电电容大于栅极绝缘体(4、42)的其余区域中的介电电容。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法-CN202180085693.7在审
发明人： S·沃思;L·克诺尔;A·米哈埃拉 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：描述了一种功率半导体器件(1)，包括：第一主电极(3)；第二主电极(4)；栅极电极层(5)，位于第一主电极(3)和第二主电极(4)之间；半导体层堆叠(2)，位于第一主电极(3)和第二主电极(4)之间并与它们电接触，半导体层堆叠(2)包括：不同掺杂的半导体层，其中，至少两个半导体层在它们的导电类型和掺杂浓度中的至少一个方面不同；多个柱状或鳍状分区(20)，延伸穿过栅极电极层(5)并且分别包括布置在第一主电极(3)的、具有第一掺杂浓度和第一导电类型的接触层(21)，其中，每个接触层(21)延伸到栅极电极层(5)的、面向第一主电极(3)的一侧(5A)，相邻的柱状或鳍状分区(20，930)的接触层(21)在栅极电极层(5，94)的、面向第一主电极(3，921)的一侧上合并，使得相邻的柱状或鳍状分区(20，930)的接触层(21)连续布置在栅极电极层(5，94)的、面向第一主电极(3，921)的一侧。
功率半导体器件用于制造方法

[发明专利]碳化硅功率器件及其制造方法-CN202180085616.1在审
发明人： L·克诺尔;S·沃思 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：提供了一种具有低的导通电阻Ron的碳化硅功率器件(100)及其制造方法。碳化硅功率器件(100)包括第一导电型衬底(20)、多个碳化硅层堆叠(30)、连续绝缘层(40)和栅电极层(45)。每个碳化硅层堆叠(30)包括堆叠在衬底(20)上的以下各层：第一导电型漏极层(35)、第二导电型沟道层(37)和第一导电型源极层(36)。多个第一绝缘层部分(42)横向地覆盖和包围每个碳化硅层堆叠(30)的至少漏极层(35)和沟道层(37)。每个沟道层(37)的每个点横向地夹在栅电极层(45)的两个相对部分之间，其中，这两个相对部分沿着延伸穿过该沟道层(37)的该点的直线具有小于2μm的距离(d)。
碳化硅功率器件及其制造方法

[发明专利]绝缘栅结构、具有绝缘栅结构的宽带隙材料功率器件及其制造方法-CN202180019925.9有效
发明人： L·克诺尔;S·沃思;A·米哈埃拉 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种绝缘栅结构，其包括：宽带隙材料层(50)，包括第一导电类型的沟道区(53)；栅极绝缘层(100a)，直接布置在沟道区(53)上，该栅极绝缘层(100a)包括直接布置在沟道区(53)上的第一氮化物层；以及导电栅电极层(200)，在栅极绝缘层(100a)上，使得栅电极层(100a)通过栅极绝缘层(100a)与宽带隙材料层(50)间隔开。在与碳化硅层(50)和第一氮化物层之间的界面(151)距离3nm的距离处，栅极绝缘层(100a)中的碳原子浓度小于1018个原子/cm‑3。第一氮化物层(102)包括化学计量的氮化硅层、氮化铝层、氮化硼层或氮化磷层。
绝缘结构具有宽带材料功率器件及其制造方法

[发明专利]具有绝缘沟槽栅电极的功率半导体器件-CN202180080867.0在审
发明人： M·贝利尼;L·克诺尔;G·罗马诺 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种功率半导体器件(1)包括：沿竖直方向在第一主表面(21)与第二主表面(22)之间延伸的半导体本体(2)；沿竖直方向从第一主表面(21)延伸到半导体本体(2)中的沟槽(4)，并且指定了绝缘沟槽栅电极(3)，绝缘沟槽栅电极形成在第一主表面(21)上并且延伸到沟槽(4)中，其中，沟槽(4)沿着沟槽(4)的主延伸方向被细分为多个区段(41)，并且绝缘沟槽栅电极(3)在多个区段(41)上面连续地延伸。
具有绝缘沟槽电极功率半导体器件

[发明专利]沟槽式SiC功率半导体装置-CN202180067862.4在审
发明人： M·贝利尼;L·克诺尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体装置，其包括第一导电类型的漂移层(3)、在漂移层(3)上的第一导电类型的源极层(4)、延伸穿过源极层(4)进入漂移层(3)中的绝缘沟槽栅电极(5)、以及不同于第一导电类型的第二导电类型的植入层(6)，该植入层具有均质掺杂区域(6a)，该均质掺杂区域具有至多8％的掺杂变化，该均质掺杂区域布置在源极层(4)与漂移层(3)之间并且具有至少150nm的均质掺杂区域厚度。此外，本发明涉及一种用于制造具有绝缘沟槽栅电极(5)的功率半导体装置的方法。
沟槽 sic 功率半导体装置

[发明专利]用于制造包括设有表面结构的表面的构件的方法-CN201980028894.6有效
发明人： M·弗里德里希;L·克诺尔 -专利权人：宝马股份公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B29C59/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造包括设有表面结构(1)的表面(2)的构件(3)的方法，该方法包括以下步骤：‑构造或提供包括要设有表面结构(1)的至少一个表面(2)的构件体(4)，通过增材制造过程由可增材制造的、可硬化的材料构成或已构成所述构件体(4)，其中，所述构件体(4)至少在要设有表面结构(1)的所述至少一个表面(2)的区域中是可硬化的；‑至少硬化所述构件体(4)的所述表面(2)以构成要制造的构件，在至少硬化所述构件体(4)的所述表面(2)之前和/或期间将表面结构(1)构造在所述构件体(4)的所述至少一个表面(2)中。
用于制造包括设有表面结构构件方法

[发明专利]功率半导体器件以及操作方法-CN202080105641.7在审
发明人： M·贝利尼;J·伏贝基;L·克诺尔;G·罗马诺;G·阿尔菲里 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：在至少一个实施方案中，功率半导体器件(1)包括：‑源极区(21)，‑在半导体本体(2)中的沟道区(22)，以及‑在所述沟道区(22)处的栅极电极(3)，所述栅极电极与所述半导体本体(2)电绝缘，其中‑所述沟道区(22)是不同于所述第一导电类型的第二导电类型的，‑所述沟道区(22)包括具有至多0.15eV的活化能的第一掺杂物，并且‑所述沟道区(22)包括具有至少0.3eV的活化能的第二掺杂物。
功率半导体器件以及操作方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201980017492.6有效
发明人： L·克诺尔;A·米哈埃拉;L·克兰兹 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，功率半导体器件包括：宽带隙半导体层(1)，宽带隙半导体层沿着横向延伸并且包括有源区域(AR)和围绕有源区域(AR)的终端区域(TR)；第一凹陷部(9)，第一凹陷部在所述终端区域(TR)内从第一主侧(2)凹陷，第一凹陷部围绕有源区域(AR)；场板(5)，场板在宽带隙半导体层(1)的第一主侧(2)上，场板在终端区域(TR)内暴露宽带隙半导体层(1)的第一部分；以及第一凹陷部的侧壁(9e)，侧壁临近有源区域(AR)并与场板(5)的周向边缘(5e)横向地对准。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]碳化硅晶体管器件-CN202080055783.7有效
发明人： M·贝利尼;L·克诺尔;S·沃思 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种碳化硅(SiC)晶体管器件包括：具有顶表面的SiC半导体衬底(1)；形成在SiC半导体衬底(1)的顶表面上的SiC外延层(2)，该SiC外延层(2)具有顶表面；形成在SiC外延层的顶表面中的源极结构，该源极结构具有顶表面，并且包括p阱区(3)、n型源极区(4)和p型接触区(5)；沟道区(10)；和形成在源极结构的顶表面之上并且电连接至该顶表面的源极接触结构(9)，其中该源极接触结构(9)包括碳化钛(TiC)、碳化钨(WC)和碳化镍(NiC3)中的一者；包括栅极电介质(7)和栅极流道(6)的栅极结构；其中栅极电介质(7)覆盖沟道区(10)、源极结构的至少部分和源极接触结构(9)的至少部分；以及通过栅极电介质(7)而与沟道区(10)、源极结构和源极接触结构(9)电绝缘的栅极流道(6)与源极接触结构(9)的至少部分和沟道区(10)重叠。
碳化硅晶体管器件

[发明专利]透镜元件的制造方法-CN202180010272.8在审
发明人： F·皮尔茨;S·弗勒利希;S·克莱内海斯曼;L·克诺尔 -专利权人：博士光学欧洲股份公司;海拉有限双合股份公司
申请日： 2021-02-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B29C45/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造特别是用于照明目的的光学透镜元件的方法，特别是制造用于车辆大灯，特别是用于汽车大灯(10)的大灯透镜的方法，其中借助于至少一个模具由通过加热而液化的透明塑料注射成型预制透镜元件(42，43)，其中如此地冷却所述预制透镜元件(42，43)，使得所述塑料凝固，且其中随后如此地加热所述预制透镜元件(42，43)的至少一个光学有效表面，使得所述塑料在所述光学有效表面上是可塑的，可塑深度特别是最高不超过1000微米，其中在最终轮廓模具中将具有所述光学有效表面的所述预制透镜元件(42，43)压制成所述透镜元件。
透镜元件制造方法

[发明专利]用于制造结构构件的方法-CN201980020962.4有效
发明人： M·弗里德里希;L·克诺尔 -专利权人：宝马股份公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B22D25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造结构构件(1)的方法，所述结构构件包括通过使可发泡的材料(6)发泡形成的泡沫结构(8)，该方法包括以下步骤：‑增材地构造包括用于接纳可发泡的材料(6)的接纳空间(5)的接纳构件(7)，该接纳构件至少部分复刻、尤其是完全复刻要制造的结构构件(1)的外部几何形状；‑将至少一种可发泡的材料(6)引入到接纳构件(7)的接纳空间(5)中；‑实施用于使引入到接纳构件(7)的接纳空间中的可发泡的材料(6)发泡的至少一种措施，以便构成泡沫结构(8)。
用于制造结构构件方法

[发明专利]具有MOS结构和应力件的碳化硅功率器件-CN201980082208.3有效
发明人： M·贝利尼;L·克诺尔;L·克兰兹 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了具有MOS结构的碳化硅功率器件(100)，其中由两个应力件(410、420)将应力引入沟道区(115、125)，以将存在于栅极绝缘层(131)与沟道区(115、125)之间的界面处的陷阱的能级推进导带，以便陷阱不会对器件特性产生负面影响。
具有 mos 结构应力碳化硅功率器件

[发明专利]垂直碳化硅功率MOSFET和IGBT及其制造方法-CN201980080450.7有效
发明人： S·沃思;A·米哈埃拉;L·克诺尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种垂直碳化硅功率MOSFET，其具有作为漏极的n+型4H‑SiC衬底和外延地生长在4H‑SiC衬底上的充当漂移区的n‑型4H‑SiC外延层、以及注入漂移区中的p++型源极区、p型阱区、p型沟道区和n++型接触区、以及通过栅氧化层与源极和漂移区绝缘的金属栅极。在4H‑SiC外延层与栅氧化层之间的界面处提供垂直厚度在0.1nm至50nm范围内(示例性地在0.5nm至10nm范围内)的高迁移率层。
垂直碳化硅功率 mosfet igbt 及其制造方法

[发明专利]应变增强型SiC功率半导体器件和制造方法-CN202080056228.6在审
发明人： S·沃思;L·克诺尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：公开了一种SiC晶体管器件，包括：SiC半导体衬底，SiC半导体衬底具有顶表面和底表面；形成在SiC半导体衬底的顶表面上的SiC外延层，该SiC外延层具有顶表面；形成在SiC外延层的顶表面中的源极结构，该源极结构具有顶表面；源极接触结构，源极接触结构电耦接到源极结构的顶表面；栅极结构，栅极结构包括栅极氧化物、金属栅极和栅极绝缘部；在SiC半导体衬底的底表面上的第一背侧金属接触件；在第一背侧金属接触件上的应力诱导层；在应力诱导层上的第二背侧金属接触件。
应变增强 sic 功率半导体器件制造方法

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