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[发明专利]场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法-CN202310664202.5在审
发明人：陈端阳;齐红基;包森川 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法，在场效应晶体管的漂移层中制备凹槽结构的方法包括步骤：提供表面上设置有第一漂移层的衬底；将掩膜版放置在第一漂移层上预形成凹槽结构底部的位置；然后在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延生长出第二漂移层；利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，在场效应晶体管的第二漂移层中制备得到凹槽结构。本发明采用选区外延的方式，在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延第二漂移层，利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，制备得到凹槽结构，避免了干法刻蚀带来的凹槽结构内壁的刻蚀损伤，有效改善了MOS界面质量，对降低器件漏电流、提升器件耐压性能和阈值电压稳定性具有良好的促进作用。
场效应晶体管及其制备方法漂移凹槽结构

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202310687652.6在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法，器件包括：依次层叠设置的漏极、氧化镓衬底、电流孔径，设置在氧化镓衬底上、并设置在电流孔径相对的两侧且与电流孔径贴合设置的第一电流阻挡层，设置在第一电流阻挡层上并设置在电流孔径相对的两侧且与电流孔径贴合设置的第二电流阻挡层，设置在第一电流阻挡层上并设置在电流孔径相对的两侧且与第二电流阻挡层贴合设置的第一氧化镓漂移层，层叠设置在氧化镓漂移层上并设置在电流孔径相对的两侧且与第二电流阻挡层间隔设置的高导层和源极；层叠设置在第二电流阻挡层、电流孔径及氧化镓漂移层上的绝缘栅介质层和栅极。所述器件具有合适的阈值电压，较低的漏电流，较高的开关比。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202211500010.2在审
发明人：陈端阳;齐红基;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法，器件包括依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、第一Ga2O3外延层、注入有受主离子的Ga2O3层、高掺杂n型Ga2O3层、源极；高掺杂n型Ga2O3外延层表面设置有向Ga2O3衬底方向凹陷、底部抵至第一Ga2O3外延层中的凹槽；还包括：设置在凹槽内壁上的第二Ga2O3外延层；层叠设置在第二Ga2O3外延层及高掺杂n型Ga2O3层上的绝缘栅介质层、栅极。本发明中第二Ga2O3外延层的引入将导电通道从注入有受主离子的Ga2O3层转移至第二Ga2O3外延层，可大幅提升器件的饱和电流，可通过提高受主离子注入浓度来降低器件关态下漏电。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种p型栅增强型氧化镓基CAVET器件及其制备方法-CN202211705932.7在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种p型栅增强型氧化镓基CAVET器件及其制备方法，CAVET器件包括从下至上依次层叠设置的漏极、氧化镓衬底、氧化镓漂移层；还包括：电流孔径，设置在氧化镓漂移层上；电流阻挡层，设置在氧化镓漂移层上并设置在电流孔径相对的两侧；沟道层，设置在电流孔径和电流阻挡层上；高导层，设置在电流阻挡层上并设置在沟道层相对的两侧；p型半导体层，设置在沟道层上并与沟道层形成PN结；栅极，设置在p型半导体层上；源极，设置在高导层上。本发明在栅下方设置p型半导体层，形成p型栅结构，利用p型半导体层将沟道层中的电子耗尽的同时又不增加器件导通电阻，实现了垂直增强型氧化镓基CAVET器件。
一种增强氧化 cavet 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202211500351.X在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法，氧化镓肖特基势垒二极管包括：Ga2O3衬底；设置在Ga2O3衬底一表面上的Ga2O3漂移层，Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底的一侧设置有若干个凹槽，凹槽中设置有p型半导体；p型半导体与Ga2O3漂移层形成PN异质结；Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底一侧的外侧面为斜面；设置在所述Ga2O3衬底远离Ga2O3漂移层的一侧的阴极；设置在Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底一侧的表面及p型半导体上的阳极。本发明中通过PN异质结分担结终端的场强以提升器件耐压性能；通过斜面进一步分担结终端的场强，从而进一步提高了器件的耐压性能，避免了结终端区域被击穿。
一种氧化肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202211500026.3在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/167 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化剂基MOSFET器件及其制备方法，器件包括依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、Ga2O3漂移层、注入有第一受主离子的Ga2O3层、高掺杂Ga2O3层、源极；高掺杂n型Ga2O3外延层表面设置有向Ga2O3衬底方向凹陷底部抵至Ga2O3漂移层中的凹槽；凹槽的底部垂直向下延伸至Ga2O3漂移层中预设深度处的区域注入有第二受主离子，还包括：层叠设置在凹槽内壁及高掺杂n型Ga2O3层上的绝缘栅介质层、栅极。本发明在凹槽底部注入第二受主离子作为补偿受主实现电子耗尽，形成Ga2O3高阻区，将场强集中区域从绝缘栅介质转移至此Ga2O3高阻区，提升器件的耐压能力、击穿电压及可靠性。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种垂直增强型FinFET器件及其制备方法-CN202211562789.0在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直增强型FinFET器件及其制备方法，所述器件包括从下至上依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、具有凸起的鳍部的Ga2O3漂移层，所述器件还包括：依次层叠设置在Ga2O3漂移层凸起的鳍部上的Ga2O3高阻层、Ga2O3高导层、源极；Ga2O3高阻层中掺杂有受主离子；设置在Ga2O3漂移层凸起的鳍部侧壁及Ga2O3漂移层表面上的绝缘栅介质层；以及，设置在绝缘栅介质层上的栅极。本发明在FinFET器件的鳍型电子沟道中形成掺杂有受主离子的Ga2O3高阻层，实现电子耗尽，然后利用栅压促进电子在绝缘栅介质附近形成电子积累层，从而实现垂直增强型FinFET器件。
一种垂直增强 finfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法-CN202211374999.7在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，探测器包括：导电衬底；氧化镓薄膜，设置在导电衬底一表面上，氧化镓薄膜远离导电衬底的一侧设置有凹槽；氧化镓纳米线阵列，设置在凹槽中；二维材料层，覆盖在氧化镓纳米线阵列及氧化镓薄膜上，并与氧化镓纳米线阵列形成异质结结构；阴极，设置在导电衬底远离所述氧化镓薄膜的一侧；阳极，设置在二维材料层远离氧化镓纳米线阵列的一侧。本发明通过异质结形成的内建电场与氧化镓纳米线阵列压电效应产生的压电势构建的内建电场相叠加，加快载流子分离和迁移，降低载流子的复合率，大幅提高探测器在日盲紫外光照下的电流，提高探测器的响应度和响应速度，提高探测器的光电探测性能。
一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种垂直增强型MOSFET器件及其制备方法-CN202211375332.9在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直增强型MOSFET器件及其制备方法，垂直增强型MOSFET器件包括：依次层叠设置的漏极、n型Ga2O3衬底、Ga2O3漂移层、p型半导体层、n型半导体层；所述n型半导体层表面设置有向所述n型Ga2O3衬底方向凹陷的凹槽，所述凹槽的底部抵至所述Ga2O3漂移层中；所述垂直增强型MOSFET器件还包括设置在所述凹槽中和所述n型半导体层上的绝缘栅介质层、设置在所述绝缘栅介质层上的栅极以及设置在所述n型半导体层上并与所述栅极间隔设置的源极。本发明在Ga2O3漂移层上设置p型半导体层实现电子耗尽，然后在p型半导体上设置n型半导体以使得源极与n型半导体形成欧姆接触，从而实现垂直增强型MOSFET器件的制备，对提升Ga2O3基功率器件的性能和可靠性具有重要的意义。
一种垂直增强 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种主动气氛调节的晶体生长方法-CN202210589866.5在审
发明人：赛青林;齐红基;陈端阳;包森川 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动气氛调节的晶体生长方法，包括：在坩埚中装入晶体原料，启动真空装置第一次抽真空至预设真空度后关闭真空装置；启动供气组件通入惰性气体后，启动温控装置升温至预设温度；预设温度大于坩埚的最大氧化温度且小于晶体原料的分解温度；通过供气组件通入氧气和惰性气体后，通过温控装置升温至目标温度进行晶体生长。在晶体生长过程中，在升温阶段通过供气组件提供氧气以避免坩埚氧化，在高温生长阶段通过供气组件提供将气氛主动替换为氧气和惰性气体，利用氧气抑制晶体生长过程中的分解反应，且避免通过CO2气氛向晶体中引入杂质C，确保晶体的质量较高，从而实现兼顾较低成本和较高的晶体质量。
一种主动气氛调节晶体生长方法

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