“H01L23/00”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1331个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高频模块-CN201980012421.7有效
发明人：大坪喜人;森本裕太 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-02-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高频模块，能够在通过接合线形成部件间屏蔽件时，通过在接合的终点部配置突起电极，来使线的环形状稳定。高频模块(1a)具备：多层布线基板(2)、安装于该多层布线基板(2)的上表面(20a)的部件(3a～3d)、由多个接合线(11)形成为覆盖部件(3a)的屏蔽部件(13)、以及设置于各接合线(11)的接合的终点部(12b)的突起电极(5a)。通过在各接合线(11)的接合的终点部(12b)设置突起电极(5a)，能够抑制在接合线(11)的第二接合侧的不期望的弯曲，能够容易地形成覆盖部件(3a)的侧面以及顶面的屏蔽部件(13)。
高频模块

[发明专利]用于将微电子芯片结合到导线元件的工艺-CN201880024863.9有效
发明人： D·罗兰德;C·马克卡尼克;G·安蒂亚·维拉;E·阿雷纳 -专利权人：普里莫1D公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将微电子芯片(1)接合到至少一个导线元件(7a,7b)的方法。所述接合方法包括：·将覆盖件(5)施加到所述微电子芯片(1)的第一面的第一步骤，所述覆盖件(5)被构造为与所述第一面(11)一起形成至少一个临时侧凹槽；·将所述导线元件(7a,7b)插入到所述临时凹槽中的步骤；·将所述导线元件(7a,7b)附接到所述微电子芯片(1)的步骤；·从所述微电子芯片(1)移除所述覆盖件(5)的步骤。
用于微电子芯片结合导线元件工艺

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180072477.9在审
发明人：上岛孝纪;北岛宏通 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1)具备：模块基板(91)；第1部件，配置在模块基板(91)的主面(91a)；金属屏蔽壁(81)，配置在第1部件的上表面(61a)，设定为接地电位；树脂构件(92)，覆盖模块基板(91)的主面(91a)、第1部件的上表面(61a)以及侧面、和金属屏蔽壁(81)的侧面；以及金属屏蔽层(95)，覆盖树脂构件(92)的上表面(92a)，设定为接地电位。金属屏蔽壁(81)的上端(81a)与金属屏蔽层(95)接触。第1部件包含与模块基板(91)连接的第1端子(61c)以及第2端子(61d)。在主面(91a)的俯视下，金属屏蔽壁(81)配置在第1端子(61c)与第2端子(61d)之间。
高频模块以及通信装置

[发明专利]用于低温接合的结构和方法-CN201780064766.8有效
发明人：塞普里昂·艾米卡·乌卓 -专利权人：艾德亚半导体科技有限责任公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种制造组件的方法，其可包含将在第一基板的第一表面处的第一电性传导元件的顶表面与在第二基板的主要表面处的第二电性传导元件的顶表面并置。其中为下列中之一者：所述第一传导元件的所述顶表面可下凹至所述第一表面之下，或所述第二基板的所述顶表面可下凹至所述主要表面之下。电性传导纳米粒子是被设置在所述第一传导元件和所述第二传导元件的所述顶表面之间。所述传导纳米粒子具有的长度尺寸是小于100纳米。所述方法亦可包含至少在所述经并置的第一传导元件和第二传导元件的界面处提高温度到一结合温度，在所述结合温度时所述传导纳米粒子可造成冶金结合形成于所述经并置的第一传导元件和第二传导元件之间。
用于低温接合结构方法

[发明专利]陶瓷针栅阵列外壳针引线保护垫片-CN201710826088.6有效
发明人：彭博;于斐;张旭;杨振涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷针栅阵列外壳针引线保护垫片，涉及陶瓷针栅阵列外壳技术领域，包括绝缘垫片，绝缘垫片设有通孔，通孔个数与位置和陶瓷针栅阵列外壳针引线的个数与位置相对应。在陶瓷针栅阵列外壳的生产、传递、封装和测试过程中将针引线插入垫片上的通孔中，由于针引线在通孔中，因此垫片可将针引线和外界隔离，起到保护针引线的作用，当需要将陶瓷针栅阵列外壳安装在印制板上时将垫片取下即可进行安装。通过此技术手段实现陶瓷针栅阵列外壳在生产、传递、封装和测试过程中针引线与外界隔离不受损坏，提高产品的质量。
陶瓷阵列外壳引线保护垫片

[发明专利]一种超疏水FeFET器件及其制备方法-CN202310397026.3在审
发明人：谢欣瑜;戚佳斌;赵毅;李忠贤 -专利权人：中国电子科技南湖研究院
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水FeFET器件及其制备方法，超疏水FeFET器件包括FeFET器件本体，FeFET器件本体表面覆盖超疏水功能层，超疏水功能层表面具有柱体阵列，并且超疏水功能层上嫁接有低表面能基团。制备方法包括在FeFET器件本体上沉积超疏水功能层，并通过光刻和刻蚀使超疏水功能层表面形成柱体阵列；在超疏水功能层上嫁接低表面能基团，得到超疏水FeFET器件。本发明利用传统的CMOS工艺，通过光刻和刻蚀的方式形成柱体阵列改变表面粗糙度，增加了工艺操作的可行性，同时蒸发法操作简单，且不会影响FeFET器件本身的性能。
一种疏水 fefet 器件及其制备方法

[发明专利]用于集成电路封装的通用无电活性装置-CN202180071393.3在审
发明人： X·布吕诺;T·戈瑟兰 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：可以采用通用虚设装置，而不是利用匹配集成电路封装的电子基板的凸块层的虚设装置，来制作集成电路封装。在一个实施例中，通用虚设装置可以包括具有附接表面的装置基板和位于附接表面上的金属化层，其中，金属化层用于形成与集成电路封装的电子基板的连接。在具体实施例中，金属化层可以是在整个附接表面上延伸的单一结构。在另一个实施例中，金属化层可以被图案化以实现通用虚设装置与电子基板之间的间隙控制。
用于集成电路封装通用活性装置

[发明专利]直接接合方法和结构-CN202180078542.9在审
发明人： C·E·尤佐 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种接合方法可以包括抛光第一元件的第一接合层以进行直接接合，第一接合层包括第一导电焊盘和第一非导电接合区域。在抛光之后，可以对经抛光的第一接合层执行最后的化学处理。在执行最后的化学处理之后，可以在没有中间粘合剂的情况下将第一元件的第一接合层直接接合到第二元件的第二接合层，包括将第一导电焊盘直接接合到第二接合层的第二导电焊盘并且将第一非导电接合区域直接接合到第二接合层的第二非导电接合区域。在执行最后的化学处理与直接接合之间不对第一接合层执行处理或冲洗。
直接接合方法结构

[发明专利]高频模块和通信装置-CN202180073723.2在审
发明人：山口幸哉;播磨史生;上岛孝纪;竹松佑二;吉见俊二;荒屋敷聪;佐俣充则;后藤聪;青池将之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电子电路；第二基材(20)，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子(150)，其配置于主面(80b)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a及80b)中的主面(80b)一侧，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，第二基材(20)与第一基材(10)接合，第二基材经由电极(23)来与主面(80b)连接。
高频模块通信装置

[发明专利]具有到电路板的直接芯片附连的集成电路组合件-CN202180073737.4在审
发明人： W·戈梅斯;A·A·夏尔马;D·B·英格利;S·伽内山;M·J·科布林斯基;K·J·菲舍尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开的各种方面提出与管芯和电路板的直接芯片附连相关的IC管芯、微电子组合件以及相关装置和封装。示例微电子组合件包括管芯，其中在管芯的正侧之上提供IC组件以及在管芯的背侧之上提供金属化堆叠。管芯进一步包括在管芯的正侧与背侧之间延伸的管芯互连，以电耦合IC组件和金属化堆叠。组合件进一步包括背侧传导接触部，所述背侧传导接触部在金属化堆叠背对管芯的侧之上被提供，背侧传导接触部配置成经由金属化堆叠和管芯互连向/从IC组件路由信号，并且配置成在没有管芯与电路板之间的封装衬底的情况下被耦合到电路板的相应传导接触部。
具有电路板直接芯片集成电路组合

[发明专利]镍-锡微凸块结构及其制造方法-CN201780049772.6有效
发明人： R·贾因;K·O·李;A·E·舒克曼;S·S·卓 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：用于在集成电路封装衬底上提供与表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在实施例中，以各种方式对不同的金属进行电镀以形成微凸块，所述微凸块穿过衬底的表面水平电介质延伸到包括铜的种子层。微凸块包括镍和锡，其中镍有助于减轻种子层铜的吸收。在另一个实施例中，微凸块具有锡的质量分数或镍的质量分数，其在沿着微凸块的高度的各个区域中是不同的。
锡微凸块结构及其制造方法

[发明专利]新型衬底、新型衬底制作方法及无源器件-CN202310326022.6在审
发明人：安治东 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型衬底、新型衬底制作方法及无源器件，该新型衬底包括硅基底；设置于所述硅基底内，且位于所述硅基底上表面一侧的微槽；所述微槽内设有填充体，所述填充体的介电常数大于或等于1；第一介质层，设置于包括所述填充体的硅基底上方。本发明通过在新型衬底上设置微槽，然后在微槽内设置具有良好的介电常数的填充体，可以利用该填充体有效的抑制衬底中的涡流效应，提升无源器件的性能。
新型衬底制作方法无源器件

[发明专利]包括桥接器的微电子结构-CN202180077093.6在审
发明人： O·G·卡尔哈德;X·孙;N·A·德什潘德;S·阿加阿拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本文中公开了包括桥接器的微电子结构以及相关的组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括基板和桥接器。
包括桥接器微电子结构

[发明专利]键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备-CN202310246317.2在审
发明人：卢奕鹏;郑磊;杨冲;赵雷 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请属于传感器技术领域，具体涉及一种键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备。本申请中的键合结构包括：第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆、第二晶圆之间设有至少一组键合区域与至少两组错位结构，错位结构位于键合区域两侧；键合区域包括形成于第一晶圆表面的铝键合层、形成于第二晶圆表面的锗键合层，锗键合层与铝键合层键合接触；错位结构包括位于铝键合层两侧的凸起，及位于锗键合层两侧的沟槽，凸起伸入沟槽形成错位结构。解决了现有传感器，尤其是压电MEMS传感器中的铝锗共晶键合存在共晶流动和延展现象导致的键合工艺窗口以及均匀性难以控制，及铝锗键合精细度不足、尺寸大等问题。包含该键合结构的压电MEMS传感器在可穿戴设备中具备较好应用前景。
结构及其形成方法 mems 传感器穿戴设备

[发明专利]一种防红外探测芯片布局结构-CN202310341249.8在审
发明人：童元满;戴葵 -专利权人：北京安信智芯科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种防红外探测芯片布局结构，包括：芯片、若干金属块、防红外探测薄膜层和若干导电纳米线，其特征在于：在芯片顶层分布若干金属块和随机生长或分布若干导电纳米线，且每根导电纳米线通过一金属块与芯片内部信号相连，芯片实时监测所有导电纳米线的连接状态；防红外探测薄膜层包裹所有导电纳米线，并进一步覆盖整个芯片。当外部侵入式攻击试图去除防红外探测薄膜层时，必将引起导电纳米线的破坏，并将其转变为芯片内部敏感信号的变化，最终反映至芯片密钥的变化，以真正同时实现红外探测攻击防护和侵入式攻击防护。
一种红外探测芯片布局结构