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[其他]功率半导体模块-CN202190000307.5有效
发明人：柳春雷;J·舒德雷尔;F·莫恩;M·贝利尼;P·K·施特默尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种功率半导体模块，包括：基板；宽带隙材料裸芯，包括附接至基板的宽带隙材料裸芯中的多个半导体电路的阵列，其中，半导体电路通过边缘终止区彼此间隔开；金属预制件，压靠在多个半导体电路中的每个半导体电路上，以电接触多个半导体电路中的每个半导体电路，并且适于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料裸芯的至少临时导电路径，其中，半导体电路通过基板和金属预制件并联连接。
功率半导体模块

[其他]模块-CN202190000531.4有效
发明人：野村忠志;北良一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及模块。本实用新型涉及的模块(101)具备：基板(1)，具有第一面(1a)；第一部件(3a)，安装于第一面(1a)；第一突起电极(4a)，配置于第一面(1a)；第一树脂膜(5a)，沿着第一部件(3a)的形状覆盖第一部件(3a)，覆盖第一面(1a)的至少一部分，并且部分地覆盖第一突起电极(4a)；以及第一屏蔽膜(8a)，形成为与第一树脂膜(5a)重叠，第一突起电极(4a)包括第一尖锐部，在上述第一尖锐部的至少一部分，第一突起电极(4a)从第一树脂膜(5a)露出，第一屏蔽膜(8a)通过覆盖第一突起电极(4a)从第一树脂膜(5a)露出的部分从而与第一突起电极(4a)电连接。
模块

[发明专利]晶片接合-CN202180050535.8在审
发明人： S·奎德努;F·鲁斯塔;F·达辛格;奥拉夫·伯莱姆 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种将第一晶片元件(1)连接至第二晶片元件(2)的方法，其中，第一晶片元件(1)包括多个第一器件区(3)，所述多个第一器件区具有各自的电子结构(5)和各自的接触垫(6)，其中，第二晶片元件(2)包括多个第二器件区(4)，所述多个第二器件区具有各自的电子结构(5)和各自的接触垫(6)，其中，晶片元件(1、2)通过两个晶片元件(1、2)的接触垫(6)彼此连接，两个晶片元件(1、2)的接触垫(6)经由多个纳米线(7)彼此成对地连接起来。
晶片接合

[发明专利]高频模块-CN201780074489.9有效
发明人：大坪喜人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高频模块，在布线基板的两主面安装有部件的高频模块中，针对两主面中的任意部件都能够进行屏蔽。高频模块(1a)具备：多层布线基板(2)；部件(3a1～3a3)，该部件安装于该多层布线基板(2)的上表面(20a)；第1密封树脂层(4a)，该第1密封树脂层将各部件(3a1～3a3)密封；多个部件(3b1～3b3)，该多个部件安装于多层布线基板(2)的下表面(20b)；第2密封树脂层(4b)，该第2密封树脂层将各部件(3b1～3b3)密封；屏蔽电极(11b)，该屏蔽电极在第2密封树脂层(4b)的下表面(4b2)，配置在与规定的部件(3b3)重叠的区域；屏蔽壁(9)，该屏蔽壁配置在规定的部件(3b3)与其他的部件(3b1)之间，一部分从第2密封树脂层(4b)的下表面(4b2)露出而与屏蔽电极(11b)连接；以及屏蔽膜(6)，该屏蔽膜覆盖第1密封树脂层(4a)的上表面(4a1)和侧面(4a3)以及多层布线基板(2)的侧面(20c)。
高频模块

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180053666.1在审
发明人：上岛孝纪;北岛宏通 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1A)具备具有主面(91a以及91b)的模块基板(91)、配置于主面(91a)的第1电路部件、配置于主面(91b)的第2电路部件、配置于主面(91b)的外部连接端子(150)、和竖立设置于主面(91b)且被设定为接地电位的金属屏蔽板(81)，外部连接端子(150)包含对第1高频信号进行输入或输出的第1外部连接端子、和对电源信号、控制信号以及第2高频信号的任意者进行输入或输出的第2外部连接端子，在金属屏蔽板(81)的端部形成有凹部(81z)，在俯视模块基板(91)的情况下，金属屏蔽板(81)配置在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间或者第2外部连接端子与第2电路部件之间。
高频模块以及通信装置

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180054257.3在审
发明人：上岛孝纪;北岛宏通 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1A)具备模块基板(91)、配置在模块基板(91)的内部的第1电路部件以及第2电路部件、和被设定为接地电位的金属屏蔽板(80)，模块基板(91)具有包含第1电介质材料的电介质部(71)、和包含相对介电常数与第1电介质材料不同的第2电介质材料且形成在电介质部(71)的内部的电介质部(70)，金属屏蔽板(80)配置于第1电路部件与第2电路部件之间的电介质部(70)。
高频模块以及通信装置

[发明专利]一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法-CN202110169844.9有效
发明人：任丁;邵梦凡;刘波;昂然;林黎蔚 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法，该二级激发自毁芯片包括基底层和自毁结构；基底层为目标芯片；自毁结构设置于目标芯片的背面，包括加热电路、若干孔道以及含能材料层，道阵列式排布于目标芯片上的拟损毁区域，含能材料层覆盖加热电路的加热区以及孔道阵列区域，加热电路串联于外部控制单元和供电单元构成的电路回路中。该自毁芯片通过常规芯片制备工艺即可制备。该自毁芯片采用弱电流激发‑化学燃爆的二级激发结构，在半导体基体上设置阵列式孔道、深孔等三维结构以降低基体强度，从而实现目标芯片的粉碎性损伤，通过两种技术手段实现了低功耗工况条件下对目标芯片的彻底销毁，从而确保了芯片的信息安全。
一种基于阵列孔道二级激发自毁芯片及其制备方法

[发明专利]高频模块和通信装置-CN202180056239.9在审
发明人：中川大;上岛孝纪;竹松佑二;山口幸哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：实现散热性的提高。高频模块(100)具备安装基板(130)、第一发送滤波器(11、12)、第二发送滤波器(13、14)、树脂层(15)以及屏蔽层(16)。第二发送滤波器(13、14)的功率等级比第一发送滤波器(11、12)的功率等级高。树脂层(15)覆盖第一发送滤波器(11、12)的外周面(103)的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器(13、14)的外周面(103)的至少一部分。在从安装基板(130)的厚度方向(D1)俯视时，屏蔽层(16)与第二发送滤波器(13、14)的至少一部分重叠。第二发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
高频模块通信装置

[发明专利]用于键合结构的保护元件-CN202080027953.0有效
发明人： B·哈巴;J·A·德拉克鲁斯;R·卡特卡尔;A·R·西塔拉姆 -专利权人：隔热半导体粘合技术公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种键合结构。键合结构可以包括半导体元件，该半导体元件包括有源电路装置和第一键合层。键合结构可以包括保护元件，该保护元件沿键合界面被直接键合到半导体元件而无需粘合剂。保护元件可以包括被设置在有源电路装置之上的阻碍材料和在阻碍材料上的第二键合层。第二键合层可以被直接键合到第一键合层而无需粘合剂。阻碍材料可以被配置为阻碍对有源电路装置的外部接入。
用于结构保护元件

[发明专利]一种新型芯片保护环结构-CN202211656513.9在审
发明人：蔡巧明;张美丽 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型芯片保护环结构，保护环围绕设于芯片上的电路区域外侧，包括第一保护环段和第二保护环段，第一保护环段位于第一子电路区域的对应侧，自下而上包括相连位于衬底的有源区上的第一绝缘层、第一过孔层和第一金属层，第二保护环段自下而上包括相连位于衬底的有源区上的第二过孔层和第二金属层，第一过孔层、第一金属层与第二过孔层、第二金属层对应相连，第一绝缘层与第二过孔层通过各自的侧壁相紧密接触，以使来源于第二子电路区域的噪音电流在沿第二金属层流至第一金属层时，被第一绝缘层阻断向下流至衬底的通路，从而不会对芯片中的模拟电路或/和射频电路等敏感器件性能造成破坏，同时又起到应力保护和阻挡水汽的作用。
一种新型芯片保护环结构

[发明专利]集成电路组件、显示模组和电子设备-CN202310140494.2在审
发明人：郭一博;杨文昌 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路组件、显示模组和电子设备。其中，集成电路组件，包括：集成电路；充气结构，设于集成电路的一侧，充气结构包括触发件和充气膜层；供气结构，与触发件电连接，触发件在受压时触发供气结构工作，供气结构工作时向充气膜层供气。
集成电路组件显示模组电子设备

[发明专利]具有高热效率的高密度光学/电气互连布置-CN202180056574.9在审
发明人：卡尔彭杜·夏斯特里;索哈姆·帕塔克;比平·D·达玛;斯里兰·特亚加拉詹;阿努吉特·夏斯特里;拉奥·耶拉马蒂 -专利权人：艾尤纳公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：光学以及电子集成电路的布置以并排排列的形式形成在单个基板上，只需最少的中介元件即可将电子信号流从一个IC引导到另一个IC。各种光学连接组(通常是连接到互连之外的组件的光纤阵列)以允许有效访问的方式设置在互连的外周围。以基板为堆叠的顶层，散热器可以直接耦合到暴露的基板表面，并提供从互连组件导出的热传递的有效路径。
具有高热效率高密度光学电气互连布置

[发明专利]高频模块及通信装置-CN202180056008.8在审
发明人：北岛宏通;上岛孝纪;田中塁 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1A)具备配置于模块基板(91)的主面(91a)的第一电感器及第二电感器、树脂构件(92)、覆盖树脂构件(92)的表面的金属屏蔽层(95)、以及配置在主面(91a)上且配置在第一电感器与第二电感器之间的金属屏蔽板(70)，金属屏蔽板(70)与主面(91a)的接地电极及金属屏蔽层(95)相接，第一电感器配置于发送路径(AT)、接收路径(AR)及收发路径(CTR)中的任意一方，第二电感器配置于发送路径(AT)、接收路径(AR)及收发路径(CTR)中的除了配置有第一电感器的路径之外的路径中的任意一方。
高频模块通信装置

[发明专利]电子装置及其制造方法-CN202210936434.7在审
发明人：丁景隆;傅裕君;蔡成阳 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开提供一种电子装置。所述的电子装置包括电子模块、位于电子模块上的保护基板、以及位于保护基板上的功能层，其中该功能层的硬度在4H～9H的范围内。
电子装置及其制造方法

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180056565.X在审
发明人：泽田曜一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1)具备：模块基板(91)，具有主面(91a、91b)；1个以上的模块部件，配置于主面(91a)；树脂构件(92)，覆盖主面(91a)；和金属屏蔽层(95)，覆盖树脂构件(92)以及1个以上的模块部件各自的顶面，被设定为接地电位。作为1个以上的模块部件之一的子模块部件(190)具有：子模块基板(191)，具有主面(191a、191b)；第1电路部件，配置于主面(191a)；1个以上的第2电路部件，配置于主面(191a或191b)；树脂构件(192)，覆盖主面(191a)；和侧面屏蔽层(194)，覆盖树脂构件(192)以及子模块基板(191)各自的侧面，被设定为接地电位。侧面屏蔽层(194)的顶面侧的端面与金属屏蔽层(95)相接。
高频模块以及通信装置