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- [发明专利]差动放大电路-CN202110682801.0有效
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本多悠里;榎本纯;播磨史生;田中聪
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株式会社村田制作所
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2021-06-18
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2023-10-17
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H03F3/45
- 本发明的差动放大电路具备输出高频频带的差动信号的放大器(222、224)、一端与放大器(222)的输出端连接的电感器(LC1)、一端与放大器(224)的输出端连接的电感器(LC2)、与电感器(LC1、LC2)的另一端连接的扼流电感器(245)、电容器(254、250)、以及对电容器(254)并联连接电容器(250)或解除并联连接的开关(252)，电感器(LC1)或(LC2)与电容器(254)的串联连接所构成的谐振电路的谐振频率、和电感器(LC1)或(LC2)与并联连接的电容器(254、250)的串联连接所构成的谐振电路的谐振频率相互不同，这些谐振频率相当于差动信号的二次谐波的频率。由此，使得在不对差动信号的基波信号造成影响的情况下使二次谐波不输出。
- 差动放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN201910728083.9有效
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本多悠里;向井谦治;播磨史生
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株式会社村田制作所
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2019-08-07
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2023-04-14
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H03F1/02
- 本发明提供一种在使放大器与前级的电路的阻抗匹配的同时使线性提高的功率放大电路，具备：放大晶体管；偏置电路，对放大晶体管供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压且发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，在以第一模式动作的情况下，电压生成电路被控制为接通状态，在以功率电平比第一模式小的第二模式动作的情况下，电压生成电路被控制为断开状态。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN201810160395.X有效
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本多悠里;播磨史生;田中聪
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株式会社村田制作所
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2018-02-26
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2022-04-29
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H03F1/32
- 本发明提供一种功率放大电路，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。
- 功率放大电路
- [发明专利]半导体装置-CN202111220186.8在审
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高桥新之助;青池将之;长谷昌俊;播磨史生
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株式会社村田制作所
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2021-10-20
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2022-04-22
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H01L23/367
- 提供能够实现从晶体管的散热特性的提高的半导体装置。在由半导体构成的基板的表层部之上配置有在俯视时包含至少一个金属区域的粘合层。在粘合层之上配置有半导体元件。半导体元件包含配置在作为粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上的第一晶体管。第一晶体管包含与第一金属区域电连接的集电极层、配置在其上的基极层、以及配置在其上的发射极层。在第一晶体管的发射极层之上配置有第一发射极电极。在第一发射极电极之上配置有第一导体突起。基板的表层部的半导体材料的导热率比第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高。
- 半导体装置
- [发明专利]高频模块-CN202080056304.3在审
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小野麻由香;津田基嗣;播磨史生;姫田高志;德矢浩章
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株式会社村田制作所
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2020-06-22
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2022-04-01
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H01L23/29
- 本发明提供高频模块，抑制电子部件从安装基板剥离，且减少在将高频模块安装于外部基板时对电子部件施加的应力。安装基板(2)具有一个主面(第一主面21)。电子部件(3)具有第一面(31)、第二面(32)以及侧面(33)，且设置在安装基板(2)的一个主面上。焊锡凸块(5)配置在安装基板(2)与电子部件(3)之间，电连接安装基板(2)和电子部件(3)。树脂层(7)设置在安装基板(2)的一个主面上以覆盖电子部件(3)。第一面(31)是电子部件(3)中的与安装基板(2)相反侧的面。电子部件(3)的侧面(33)与树脂层(7)接触。在安装基板(2)的厚度方向(D1)上，在第一面(31)的至少一部分与树脂层(7)之间设置有空间(10)。
- 高频模块
- [发明专利]功率放大电路-CN202110945757.8在审
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榎本纯;本多悠里;田中聪;播磨史生
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株式会社村田制作所
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2021-08-17
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2022-03-01
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H03F3/21
- 本发明提供一种抑制功率效率的下降的功率放大电路。功率放大电路包含：高通滤波器，在一端输入高频输入信号；第1放大器，将从高通滤波器的另一端输出的高频输入信号放大，并输出放大后的高频信号；第2放大器，将高频信号放大，并输出放大后的高频输出信号；自耦变压器，进行第1放大器与第2放大器之间的阻抗匹配；和阻抗电路，一端与高通滤波器的另一端电连接，另一端与向第1放大器输出偏置电压或偏置电流的偏置电路的输出端子电连接，并将从高通滤波器的另一端输出的高频输入信号输出到偏置电路。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN202110456672.3在审
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荒屋敷聪;田中聪;播磨史生;后藤聪
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株式会社村田制作所
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2021-04-26
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2021-10-29
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H03F3/20
- 本发明提供一种功率放大电路，能够在宽频带中高效地供给RF信号并且抑制电路规模的增大。功率放大电路具备：第1放大电路，对第1频带的第1信号进行放大，并输出具有第1功率的第1放大信号；第2放大电路，对所述第1频带或者与所述第1频带不同的第2频带的第2信号进行放大，并输出具有与所述第1功率不同的第2功率的第2放大信号；和第1可变调整电路，设置在所述第2放大电路与所述第2放大电路的后级的第1电路之间，构成为能够调整从所述第2放大电路对所述第1电路进行了观察时的第1阻抗。
- 功率放大电路
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