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[发明专利]一种改善CVD表面缺陷的方法-CN202110523983.7在审
发明人：谈林乖;曹威;王博;时功权;洪杜桥;王贵;杨晓东;何静;陈侃 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善CVD表面缺陷的方法，包括以下步骤：把陪片与硅片进行清洗后，将两者的背面贴上白膜并放入CVD反应炉中进行化学气相沉淀过程，此过程分为两个阶段，第一阶段是使硅烷和一氧化二氮充满整个工艺腔，开始沉积为硅片做衬底；第二阶段是通入硅烷进行沉积，完成化学气相沉淀过程将两者取出，最后去除两者背面的白膜。所述白膜为耐高温的高分子塑料白膜，其光滑的高分子化合物使得硅片表面粗糙度进一步降低，并且白膜的粘性不会对硅片背面的氧化层造成影响，从而在化学气相沉淀过程中有效的抵挡住各种杂质，显著的减少CVD多晶硅中的雾状区域和颗粒数量。
一种改善 cvd 表面缺陷方法

[发明专利]真空处理装置、真空处理装置的清洁方法-CN201980087734.9在审
发明人：宫谷武尚;神保洋介;山本良明;江藤谦次;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述簇射极板通过贯穿设置在所述簇射极板的周缘部的长孔的支撑部件而被支撑到所述电极框。所述长孔被形成为所述支撑部件对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够在所述长孔内相对移动。在所述长孔中设置有与所述长孔连通并供给吹扫气体的气孔。所述气孔与由所述簇射极板、所述电极凸缘、所述电极框和所述滑动板包围的空间连通。
真空处理装置清洁方法

[发明专利]附着物除去方法和成膜方法-CN201980083535.0在审
发明人：谷本阳祐;长田师门 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够在不拆解腔室的状态下将附着在腔室的内表面或者与腔室连接的配管的内表面的含硫的附着物除去的附着物除去方法和成膜方法。使附着在腔室(10)的内表面以及与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者的含硫的附着物，与含有含氢化合物气体的清洁气体反应，由此将该附着物除去。
附着物除去方法

[发明专利]多晶硅薄膜衬底的制备方法-CN202110389647.8在审
发明人：魏星;戴荣旺;薛忠营;刘赟;魏涛;栗展;李名浩;刘文凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。
多晶薄膜衬底制备方法

[发明专利]成膜方法、成膜装置、基座单元以及基座单元所使用的间隔件组-CN201980078629.9在审
发明人：醍醐佳明 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：成膜方法包括如下步骤：在基座单元上载置晶片，所述基座单元包括：支承部件，用于载置所述晶片；侧面引导件，设置于所述支承部件上，包围所述晶片的外周的至少一部分；以及间隔件，用于调整所述晶片的上表面与所述侧面引导件的上表面的位置；在所载置的所述晶片的上表面成膜出规定的膜并且在所述侧面引导件上形成膜；基于所成膜出的所述规定的膜的厚度，使用所述间隔件来调整所述侧面引导件的上表面相对于所述晶片的上表面的位置；以及在被调整了所述位置后的所述基座单元上载置新的晶片，成膜出新的规定的膜。
方法装置基座单元以及使用间隔

[发明专利]氮化物半导体器件的制造方法-CN201980080761.3在审
发明人：真壁勇夫;中田健 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：氮化物半导体器件的制造方法具有：使用将H2作为载气、将TMG和NH3作为原料、设定为第一温度的立式MOCVD炉在SiC基板上生长GaN沟道层的工序；在设定为比第一温度高的第二温度、将H2作为载气、供给有NH3的MOCVD炉内将生长有GaN沟道层的SiC基板保持的工序；和使用将N2作为载气、将TMI和TMA以及NH3作为原料、设定为比第一温度低的第三温度的MOCVD炉在GaN沟道层上生长InAlN层的工序。
氮化物半导体器件制造方法

[发明专利]外延生长方法、外延结构及光电器件-CN202110351699.6在审
发明人：魏铁石;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨文献;张雪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示了一种外延生长方法、外延结构及光电器件，所述方法包括：S1、对硅衬底表面进行处理；S2、采用迁移增强外延法，在380～510℃低温条件下交替通入/关断ⅢA族源和ⅤA族源，在硅衬底上外延生长III‑V族化合物形核层。本发明在初始形核阶段采用低温生长，能够有效抑制界面的起伏，获得光滑平整的界面，提高外延薄膜的结晶质量；能够抑制异质生长阶段的反相畴，减少孪晶、堆垛层错，降低位错密度。
外延生长方法结构光电器件

[发明专利]气相外延方法-CN202011353183.7在审
发明人： G·凯勒;C·瓦赫特;T·维尔茨科夫斯基 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从p掺杂改变至n掺杂的掺杂变化曲线的III‑V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的至少一个第二前体，其中，在达到第一生长高度时，借助于所述外延气流中的所述第一前体的第一质量流相对于所述第二前体的第二质量流的比例调设出第一掺杂初始值，随后通过所述第一前体的所述第一质量流相对于所述第二前体的所述第二质量流的比例的逐步的或连续的改变并且通过所述外延气流中的用于n掺杂剂的第三前体的质量流的逐步的或连续的增大，所述III‑V层的掺杂跨越具有至少10μm的生长高度的过渡区域层改变，直至达到n掺杂目标值。
外延方法

[发明专利]气相外延方法-CN202011360606.8在审
发明人： C·瓦赫特;G·凯勒;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面上或在前面层上生长具有从第一传导类型改变至第二传导类型的掺杂的III‑V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的至少一个第二前体，其中，在达到第一生长高度时，借助于外延气流中的第一前体的第一质量流相对于第二前体的第二质量流的比例调设出第一传导类型的第一掺杂初始值，随后，将第一掺杂初始值降低为第一或低的第二传导类型的第二掺杂初始值，随后跨越具有至少10μm的生长高度的过渡区域层逐步地或连续地改变第一掺杂初始值，直至达到第二传导类型的掺杂目标值。
外延方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统-CN201710118278.2有效
发明人：渡桥由悟;汤浅和宏;森谷敦;中矶直春 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。其目的在于，提高形成于衬底上的膜的膜品质。通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成晶种层的工序，循环包含对衬底供给卤系的第一处理气体的工序，对衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，和对衬底供给含氢气体的工序；以及对衬底供给第三处理气体从而在晶种层上形成膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置气体供给系统

[实用新型]一种堆叠态半导体芯片结构-CN202022035136.X有效
发明人：涂波;郑香奕 -专利权人：深圳市洁简达创新科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种堆叠态半导体芯片结构，本实用新型堆叠态半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为2层。本实用新型通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率。
一种堆叠半导体芯片结构

[发明专利]处理装置及处理方法-CN202080005934.8在审
发明人：内田健哉;福井博之;植松育生;岩本武明;权垠相 -专利权人：株式会社东芝;铠侠股份有限公司;国立大学法人东北大学
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据实施方式，本申请提供一种处理装置，其对在包含硅及卤族元素的原料物质的反应或者包含硅的原料物质与包含卤族元素的原料物质的反应中产生的副产物进行处理。处理装置具备处理液罐、处理槽、供给机构和排气机构。在处理液罐中贮液包含碱性的水溶液处理液。向处理槽中投入包含副产物被处理构件。供给机构从处理液罐向处理槽供给处理液，通过所供给的处理液，在处理槽中对副产物进行处理。排气机构将通过处理液与副产物的反应而产生的气体从处理槽排气。
处理装置方法

[发明专利]掺杂源供应管路及化学气相沉积系统-CN201710773823.1有效
发明人：鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示了掺杂源供应管路及化学气相沉积系统，掺杂源供应管路包括载气源以及用于盛装有机金属源的水浴系统，还包括载气输送管路，连接所述载气和水浴系统，以将载气通入到有机金属源内；有机金属源气体输送管路，使水浴系统与反应腔及废弃处理系统连接，并且其与反应腔连接的第一支路上有且仅有一个第一质量流量控制器；稀释管路，连接载气源和有机金属源气体输送管路的主管路，用于对主管路中掺杂源气体的浓度进行稀释。本发明只需要一个质量流量控制器就能够满足掺杂源气体浓度大跨度的调整需求，省去了多个质量流量控制器带来的管路成本，并且输出区域的管路结构更加简洁；同时，浓度的调整更加便利。
掺杂供应管路化学沉积系统

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202011214947.4在审
发明人：熊谷圭惠;久松亨;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
处理方法装置

[发明专利]用于间隙特征中的ALD沉积轮廓调整的添加剂-CN201710679512.9有效
发明人：帕特里克·范克利姆普特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及用于间隙特征中的ALD沉积轮廓调整的添加剂。提供了一种在衬底上进行原子层沉积(ALD)的方法，其包括：将所述衬底同时暴露于第一反应物和添加剂，所述第一反应物和所述添加剂被配置成吸附在所述衬底的暴露表面上，所述添加剂的分压被配置为使得吸附在所述衬底的间隙特征中的所述添加剂随着在所述间隙特征中的深度的增加而减少；在将所述衬底暴露于所述第一反应物和所述添加剂之后，将所述衬底暴露于第二反应物，所述第二反应物被配置为与吸附的所述第一反应物反应以形成薄膜产物，所述第二反应物被配置为与吸附的所述添加剂反应以从衬底表面除去吸附的所述添加剂。
用于间隙特征中的 ald 沉积轮廓调整添加剂