[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202211138856.6 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN116264190A 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 李政泌 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/10;H01L25/065
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘林果;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

封装基底,具有安装区域和围绕安装区域的外围区域;

半导体器件,位于封装基底的安装区域上;

封装盖,位于封装基底的外围区域上,封装盖包括围绕半导体器件的分隔部和覆盖半导体器件的延伸部;以及

粘合层,位于封装基底与封装盖的底表面之间,

其中,封装盖的底表面具有沟槽,

其中,沟槽具有其宽度在从封装盖的底表面后退的方向上减小的梯形剖面,

其中,粘合层与封装基底的顶表面和封装盖的底表面接触,并且

其中,粘合层填充沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,沟槽具有沿着封装盖的分隔部的内侧表面和外侧表面之间延伸的环形状,分隔部的内侧表面面对半导体器件,并且分隔部的外侧表面与分隔部的内侧表面相对。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,封装盖具有从沟槽的底表面朝向封装基底突出的至少一个突起,并且

其中,突起的宽度在从沟槽的底表面后退的方向上减小。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,突起的突出高度小于沟槽的深度。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,突起的剖面具有梯形形状、半圆形形状和三角形形状中的一种形状,所述梯形形状、所述半圆形形状和所述三角形形状均具有在从沟槽的底表面后退的方向上减小的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,封装盖的底表面在封装盖的分隔部的内侧表面和外侧表面之间具有多个沟槽,分隔部的内侧表面面对半导体器件,并且分隔部的外侧表面与分隔部的内侧表面相对。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述多个沟槽的深度在从所述内侧表面与所述外侧表面之间的中心接近所述内侧表面和所述外侧表面的方向上增大。

8.根据权利要求6所述的半导体封装件,其中,封装盖的底表面具有与所述内侧表面相邻的外部区域和与所述外侧表面相邻的外部区域以及位于外部区域之间的内部区域,并且

其中,外部区域中的第一沟槽的深度大于内部区域中的第二沟槽的深度。

9.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

封装基底;

中介体,位于封装基底上;

芯片堆叠件,设置在中介体上并且包括竖直地堆叠的多个第一半导体芯片;

第二半导体芯片,设置在中介体上并且与芯片堆叠件水平地间隔开;以及

封装盖,设置在封装基底上并围绕中介体,

其中,封装盖通过位于封装盖的底表面上的粘合层附着到封装基底,

其中,封装盖在封装盖的底表面上具有沟槽,并且

其中,沟槽具有在从封装盖的底表面后退的方向上减小的宽度。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,沟槽的剖面具有梯形形状、半圆形形状和三角形形状中的一种形状,所述梯形形状、所述半圆形形状和所述三角形形状均具有在从封装盖的底表面后退的方向上减小的宽度。

11.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,沟槽具有围绕中介体的环形状。

12.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,封装盖具有从沟槽的底表面朝向封装基底突出的至少一个突起,并且

其中,突起的宽度在从沟槽的底表面后退的方向上减小。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,突起的突出高度小于沟槽的深度。

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