[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一绝缘层，在所述衬底的底表面上；

互连结构，设置在所述第一绝缘层中；

第二绝缘层，在所述第一绝缘层的底表面上；以及

多个下焊盘，设置在所述第二绝缘层中，

其中，所述多个下焊盘中的每个下焊盘被设置为使得该下焊盘的顶表面的宽度小于该下焊盘的底表面的宽度，

其中，所述多个下焊盘包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘，

其中，当在平面图中观察时，所述第一下焊盘与所述衬底的中心相邻，所述第三下焊盘与所述衬底的边缘相邻，以及所述第二下焊盘设置在所述第一下焊盘与所述第三下焊盘之间，

其中，所述第一下焊盘的底表面的宽度大于所述第二下焊盘的底表面的宽度，以及

其中，所述第二下焊盘的底表面的宽度大于所述第三下焊盘的底表面的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当在截面图中观察时，所述多个下焊盘中的每个下焊盘具有三角形形状、梯形形状、阶梯形形状之一。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当在平面图中观察时，所述多个下焊盘中的每个下焊盘具有圆形形状、三角形形状、矩形形状、以及具有五个或更多个边或角的多边形形状之一。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，当在平面图中观察时，随着到所述衬底的中心的距离减小，所述多个下焊盘的底表面的宽度逐渐增大，

其中，所述第一下焊盘的底表面的宽度是所述第二下焊盘的底表面的宽度的110％至150％，以及

其中，所述第一下焊盘的底表面的宽度大于所述第三下焊盘的底表面的宽度的150％，且等于或小于所述第三下焊盘的底表面的宽度的500％。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三绝缘层，在所述衬底的顶表面上；以及

多个上焊盘，设置在所述第三绝缘层中，

其中，所述多个上焊盘中的每个上焊盘被设置为使得该上焊盘的顶表面的宽度大于该上焊盘的底表面的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述多个上焊盘包括第一上焊盘、第二上焊盘和第三上焊盘，

其中，当在平面图中观察时，所述第一上焊盘与所述衬底的中心相邻，所述第三上焊盘与所述衬底的边缘相邻，以及所述第二上焊盘设置在所述第一上焊盘与所述第三上焊盘之间，

其中，所述第一上焊盘的顶表面的宽度大于所述第二上焊盘的顶表面的宽度，以及

其中，所述第二上焊盘的顶表面的宽度大于所述第三上焊盘的顶表面的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

贯穿通孔，被设置为贯穿所述衬底并耦接到所述互连结构，

其中，所述多个上焊盘与所述多个下焊盘通过所述贯穿通孔彼此电连接。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述多个下焊盘中的每个下焊盘的底表面是平坦的，以及

其中，所述多个上焊盘中的每个上焊盘的顶表面是平坦的。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，当在截面图中观察时，所述多个上焊盘中的每个上焊盘具有三角形形状、梯形形状、阶梯形形状之一。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，当在平面图中观察时，所述多个上焊盘中的每个上焊盘具有圆形形状、三角形形状、矩形形状、以及具有五个或更多个边或角的多边形形状之一。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，当在平面图中观察时，第一单元区域中的下焊盘的总面积大于第二单元区域中的下焊盘的总面积，

其中，所述第一单元区域与所述第二单元区域具有相同的面积，以及

其中，所述下焊盘的顶表面在所述第一单元区域中的宽度大于在所述第二单元区域中的宽度。