[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

衬底，所述衬底包括间隔排列的有源区，所述有源区包括源极、漏极和沟道区；

字线，所述字线与所述沟道区连接，沿第一方向延伸；

位线，所述位线与所述漏极或源极连接，所述位线沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；

磁存储单元，所述磁存储单元与所述源极或漏极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线设置在所述有源区内，相邻的两条所述字线位于同一所述有源区中并把所述有源区分为所述源极或所述漏极；

所述位线设置在所述衬底表面，与相邻的两条所述字线中间的所述漏极或源极连接。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区为垂直设置在所述衬底上的柱状结构，所述柱状结构沿第一方向和第二方向排列；

所述字线包覆沿所述第一方向排列的多个所述沟道区的侧壁；

所述位线位于所述柱状结构底部，与沿所述第二方向排列的多个所述柱状结构连接。

4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述磁存储单元包括：

第一磁畴壁，所述第一磁畴壁和所述字线中的第一字线连接；

第二磁畴壁，所述第二磁畴壁和所述字线中的第二字线连接，所述第一字线和所述第二字线不同。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一字线和所述第二字线分别连接不同的所述有源区。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一磁畴壁连接至与所述第一字线连接的所述源极或漏极，所述第二磁畴壁连接至与所述第二字线连接的所述源极或漏极。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述磁存储单元还包括：

磁轨，所述磁轨位于所述第一磁畴壁和所述第二磁畴壁的顶部，并连接所述第一磁畴壁和所述第二磁畴壁；

磁性隧道结，所述磁性隧道结位于所述磁轨上方，所述磁性隧道结和所述磁轨通过磁感应连接，沿远离所述磁轨的方向，所述磁性隧道结包括依次设置的磁自由层、非磁间隔层和磁参考层；

选择器，所述选择器位于所述磁性隧道结上，所述选择器与所述磁参考层接触连接。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述磁自由层具有方向可变的垂直磁场，所述磁参考层具有方向固定的垂直磁场。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一磁畴壁和所述第二磁畴壁均具有磁化段，所述第一磁畴壁的磁化段和所述第二磁畴壁的磁化段的磁化方向不同。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一写入导线，所述第一写入导线沿第一方向延伸，所述第一写入导线位于所述磁性隧道结上方，多个所述磁性隧道结通过所述选择器和位于其上方的所述第一写入导线连接；

第二写入导线，所述第二写入导线沿第二方向延伸，所述第二写入导线位于所述磁性隧道结的底部，多个所述磁性隧道结与位于其底部的所述第二写入导线连接。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一写入导线和所述第二写入导线交叉设置，所述磁性隧道结设置在所述第一写入导线和所述第二写入导线的交叉位置。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括位于所述磁轨和所述第二写入导线之间的绝缘层。