[发明专利]封装基板以及半导体装置

权利要求书

1.一种封装基板，其特征在于，

上述封装基板包括芯层和位于上述芯层上的上部层，

上述芯层包括玻璃基板和芯通孔，

上述玻璃基板包括相向的第一表面和第二表面，

上述芯通孔在厚度方向上贯穿上述玻璃基板，且设置有多个，

上述芯层包括位于上述玻璃基板或上述芯通孔的表面上的芯分配层，

上述芯分配层的至少一部分通过上述芯通孔使上述第一表面上的导电层和上述第二表面上的导电层电连接，

上述上部层包括位于上述第一表面上且使上述芯分配层和外部的半导体元件部电连接的导电层。

2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

上述芯通孔具有变化的直径。

3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

上述芯通孔包括：

第一开口部，与上述第一表面相接；

第二开口部，与上述第二表面相接；以及

最小内径部，上述最小内径部为连接上述第一开口部和上述第二开口部的整个芯通孔中内径最窄的区域；

上述第一开口部的直径和上述第二开口部的直径彼此不同。

4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

上述芯通孔包括：

第一开口部，与上述第一表面相接；

第二开口部，与上述第二表面相接；以及

最小内径部，上述最小内径部为连接上述第一开口部和上述第二开口部的整个芯通孔中内径最窄的区域；

上述最小内径部的直径小于上述第一开口部的直径和上述第二开口部的直径中大的直径。

5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

上述封装基板不包括有机基板。

6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

上述封装基板使用单层玻璃基板作为基板。

7.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

作为上述芯分配层的导电层与上述玻璃基板具有3N/cm以上的粘合力。

8.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

上述芯分配层包括芯分配图案和芯绝缘层，上述芯分配图案为通过上述芯通孔电连接上述玻璃基板的上部和下部的导电层，上述芯绝缘层包围上述芯分配图案，

上述芯层通过上述芯层的内部的芯通孔形成有导电层，从而用作贯穿上述玻璃基板的电气路径，

上述芯分配图案位于上述芯通孔的内径面上。

9.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件部，具备半导体元件，以及

封装基板，与上述半导体元件部电连接；

上述封装基板包括芯层和位于上述芯层上的上部层，

上述芯层包括玻璃基板和芯通孔，

上述玻璃基板包括相向的第一表面和第二表面，

上述芯通孔在厚度方向上贯穿上述玻璃基板，且设置有多个，

上述芯层包括位于上述玻璃基板或芯通孔的表面上的芯分配层，

上述芯分配层的至少一部分通过上述芯通孔使上述第一表面上的导电层和上述第二表面上的导电层电连接，

上述上部层包括位于上述第一表面上且使上述芯分配层和外部的半导体元件部电连接的导电层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述芯通孔具有变化的直径。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述芯通孔包括：

第一开口部，与上述第一表面相接；

第二开口部，与上述第二表面相接；以及

最小内径部，上述最小内径部为连接上述第一开口部和上述第二开口部的整个芯通孔中内径最窄的区域；

上述第一开口部的直径和上述第二开口部的直径彼此不同。