[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

一种半导体结构，包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器以及导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并且包括字线。阶梯单元配置于被阵列区围绕的阶梯区中。阶梯单元包括从存储阵列的字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。导电桥接结构电连接第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。字线驱动器设置于存储阵列与阶梯单元下方，其中字线驱动器的中央部分与阶梯单元的中央部分交叠。导电布线从第一阶梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。

技术领域

本揭露是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用(例如个人计算机、手机、数字照相机及其他电子装备)中。半导体装置通常是借由以下方式制作而成：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层；以及使用光刻及刻蚀技术将各种材料层图案化以在其上形成电路组件及配件。

半导体行业借由不断减小最小特征大小(minimum feature size)来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，此使得能够将更多的组件整合到给定面积中。然而，随着最小特征大小的减小，出现了应解决的附加问题。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体结构包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器和导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中，其中存储阵列包括多条字线。阶梯单元配置于半导体结构的阶梯区内并被阵列区围绕，其中阶梯单元包括从存储阵列的多条字线延伸出的第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。导电桥接结构电连接第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。字线驱动器设置于存储阵列与阶梯单元下方，其中字线驱动器的中央部分与阶梯单元的中央部分交叠。导电布线从第一阶梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。

本公开实施例提供一种半导体结构包括底部互连阵列和存储装置。底部互连阵列包括在第一方向上彼此间隔开的第一字线驱动器和辅助字线驱动器。存储装置配置于底部互连阵列上方且包括阵列区、第一阶梯区、子阵列区、辅助阶梯区、导电桥接结构以及导电布线。阵列区设置于底部互连阵列上并与第一字线驱动器部分交叠。第一阶梯区设置于第一字线驱动器上并被阵列区围绕，其中第一阶梯区包括镜像台阶。子阵列区设置于底部互连阵列上并与辅助字线驱动器部分交叠。辅助阶梯区配置于辅助字线驱动器上并被子阵列区围绕，其中辅助阶梯区包括镜像阶梯。导电桥接结构配置于第一字线驱动器与辅助字线驱动器上，其中导电桥接结构沿着第一方向延伸，且电连接到第一阶梯区的镜像台阶与辅助阶梯区的镜像台阶。导电布线从第一阶梯区的镜像台阶延伸到第一字线驱动器，并从辅助阶梯区的镜像台阶延伸到辅助字线驱动器。

本公开描述了一种半导体结构的制备方法。该方法包括以下步骤。在半导体衬底上提供字线驱动器。形成电连接到字线驱动器的第一部分布线。在字线驱动器上方与第一部分布在线形成多层堆叠。图案化多层堆叠以形成存储阵列和阶梯单元，其中存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并包括多条字线，且阶梯单元设置在半导体结构的阶梯区中并被阵列区包围，其中阶梯单元包括从存储阵列的多条字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶，并且第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。形成将第一阶梯台阶电连接到第二阶梯台阶的导电桥接结构。形成电连接到第一部分布线与阶梯单元的第二部分布线，其中由第一部分布线与第二部分布线构成的导电布线是从第一阶梯台阶与第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，将最佳地理解本揭露的各态样。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1C示出根据本揭露的一些实施例的半导体结构的简化透视图、电路图及俯视图。

图2到图21示出根据本揭露的一些实施例的制造半导体结构的方法的各种视图。

图22示出根据本揭露的一些其他实施例的半导体结构的简化俯视图。