[发明专利]半导体结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111198977.5 申请日: 2021-10-14
公开(公告)号: CN114284295A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 杨柏峰;杨世海;吕士濂;黄家恩;王奕;林佑明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/1159 分类号: H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/11587
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 薛恒;徐川
地址: 中国台湾新竹科学工业园区新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,包括:

存储阵列,设置在所述半导体结构的阵列区中,其中所述存储阵列包括多条字线;

阶梯单元,设置在所述半导体结构的阶梯区中且被所述阵列区围绕,其中所述阶梯单元包括从所述存储阵列的所述多条字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶,且所述第一阶梯台阶和所述第二阶梯台阶彼此面对;

导电桥接结构,将所述第一阶梯台阶电连接到所述第二阶梯台阶;

字线驱动器,设置于所述存储阵列与所述阶梯单元下方,其中所述字线驱动器的中央部分与所述阶梯单元的中央部分交叠;以及

导电布线,从所述第一阶梯台阶和所述第二阶梯台阶延伸到所述字线驱动器。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述导电布线包括:

第一导电布线从所述第一阶梯台阶沿着第一方向延伸到所述字线驱动器的第一半部;以及

第二导电布线从所述第二阶梯台阶沿着第二方向延伸到所述字线驱动器的第二半部,其中所述第一方向与所述第二方向相反。

3.根据权利要求2所述的半导体结构,其中所述第一阶梯台阶和所述第二阶梯台阶各自包括奇数台阶以及偶数台阶,且其中

在所述第一阶梯台阶中,所述奇数台阶通过所述第一导电布线直接电连接到所述字线驱动器,而所述偶数台阶通过所述导电桥接结构和所述第二导电布线电连接到所述字线驱动器;以及

在所述第二阶梯台阶中,所述奇数台阶通过所述导电桥接结构和所述第一导电布线电连接到所述字线驱动器,而所述偶数台阶通过所述第二导电布线直接电连接到所述字线驱动器。

4.根据权利要求1所述的半导体结构,还包括:

多条源极线以及多条位线电连接到所述存储阵列,其中所述多条源极线以及所述多条位线的延伸方向垂直于所述多条字线的延伸方向。

5.根据权利要求4所述的半导体结构,还包括:

第二阶梯单元,设置在所述半导体结构的第二阶梯区中且被所述阵列区围绕,其中所述第二阶梯单元包括从所述存储阵列的所述多条字线延伸的第三阶梯台阶和第四阶梯台阶,且所述第三阶梯台阶和所述第四阶梯台阶彼此面对,且其中所述第二阶梯单元与所述第一阶梯单元在所述多条源极线与所述多条位线的所述延伸方向上不交叠,且在所述多条字线的所述延伸方向上不交叠;以及

第二字线驱动器,设置于所述存储阵列与所述第二阶梯单元下方,其中所述第二字线驱动器的中央部分与所述第二阶梯单元的中央部分交叠。

6.一种半导体结构,包括:

底部互连阵列,包括在第一方向上彼此间隔开的第一字线驱动器和辅助字线驱动器;

存储装置,设置在所述底部互连阵列上,其中所述存储装置包括:

阵列区,设置在所述底部互连阵列上并与所述第一字线驱动器部分交叠;

第一阶梯区,设置在所述第一字线驱动器上并且被所述阵列区围绕,其中所述第一阶梯区包括镜像台阶;

子阵列区,设置在所述底部互连阵列上并与所述辅助字线驱动器部分交叠;

辅助阶梯区,设置在所述辅助字线驱动器上并且被所述子阵列区围绕,其中所述辅助阶梯区包括镜像台阶;

导电桥接结构,设置在所述第一字线驱动器和所述辅助字线驱动器上,其中所述导电桥接结构沿着所述第一方向延伸,且电连接到所述第一阶梯区的所述镜像台阶与所述辅助阶梯区的所述镜像台阶;以及

导电布线,从所述第一阶梯区的所述镜像台阶延伸到所述第一字线驱动器,以及从所述辅助阶梯区的所述镜像台阶延伸到所述辅助字线驱动器。

7.根据权利要求6所述的半导体结构,其中所述导电布线包括:

第一导电布线从所述第一阶梯区的所述镜像台阶的一侧延伸到所述第一字线驱动器;

第二导电布线从所述第一阶梯区的所述镜像台阶的另一侧延伸到所述第一字线驱动器;

第一辅助导电布线从所述辅助阶梯区的所述镜像台阶的一侧延伸到所述辅助字线驱动器;以及

第二辅助导电布线从所述辅助阶梯区的所述镜像台阶的另一侧延伸到所述辅助字线驱动器。

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