[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111188724.X | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114050138A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 涂顺财 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/485;H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，包括：
电子元件；
第一导线，设于所述电子元件的一侧；
第二导线，设于所述电子元件的有源面上且电连接所述电子元件，所述第二导线相对于所述第一导线倾斜；
模封层，包覆所述电子元件、所述第一导线以及所述第二导线且暴露所述第一导线的端部和所述第二导线的端部。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述半导体封装结构还包括：
重布线层，设于所述模封层上且分别与所述第一导线和所述第二导线电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一导线和所述第二导线是由一次引线形成的。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一导线与所述模封层的底表面的第一接合端包括第一结球，所述第一结球与所述模封层的底表面之间的夹角在87度到92度之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第二导线与所述电子元件的第二接合端包括第二导线切断区和第二结球。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，所述第二结球设于所述第二导线切断区上。
7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，所述第二导线切断区设于所述第二结球上。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述半导体封装结构还包括：
热耗散结构，通过所述第一导线将所述电子元件的热量传递至所述热耗散结构。
9.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述半导体封装结构还包括：
外部电连接件，设于所述重布线层上且与所述重布线层电连接。
10.一种制造半导体封装结构的方法，包括：
在载板上放置电子元件；
将导线的两端分别连接所述载板和所述电子元件；
形成包覆所述电子元件和所述导线的模封层；
薄化所述模封层以露出第一导线和第二导线。
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