[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一线路层；第二线路层；电容器，位于第一线路层和第二线路层之间并且与第一线路层和第二线路层电连接，电容器的杨氏模量大于第二线路层的杨氏模量。该半导体封装装置有利于提高半导体封装装置的抗翘曲能力，减小半导体封装装置受热时出现的翘曲程度，进而提高产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

在扇出型基板(FOSub)结构中，重布线层(Redistribution Layer，RDL)线路和基板(Substrate)线路之间存在耦合状况导致线路中出现信号噪声。为了消除上述耦合状况，可以在基板和重布线层之间设置去耦电容。但是，现有的去耦电容与基板的热膨胀系数差异较大，在受热时会导致整体结构出现翘曲(warpage)。

因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

发明内容

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

第一线路层；

第二线路层；

电容器，位于所述第一线路层和所述第二线路层之间并且与所述第一线路层和所述第二线路层电连接，所述电容器的杨氏模量大于所述第二线路层的杨氏模量。

在一些可选的实施方式中，所述电容器包括至少一个片状的单层结构，每个所述单层结构包括相应的导电部分和绝缘部分。

在一些可选的实施方式中，所述电容器包括至少一个第一单层结构和至少一个第二单层结构，所述第一单层结构和所述第二单层结构交错堆叠，所述第一单层结构的第一导电部分用作所述电容器的正极，所述第二单层结构的第二导电部分用作所述电容器的负极。

在一些可选的实施方式中，所述电容器包括至少两个第一单层结构和至少两个第二单层结构，所述至少两个第一单层结构相互电连接，所述至少两个第二单层结构相互电连接。

在一些可选的实施方式中，所述电容器的电介质的相对介电常数大于5。

在一些可选的实施方式中，所述电容器的电介质的相对介电常数大于15并且小于30。

在一些可选的实施方式中，所述电容器的电介质为陶瓷材料。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括第一导电孔，所述第一导电孔贯穿所述电容器，并且分别与所述第一线路层和所述第二线路层电连接。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括第二导电孔，所述第二导电孔贯穿所述第二线路层，并且分别与所述第二线路层和所述电容器电连接。

在一些可选的实施方式中，所述第一导电孔具有中空结构。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：

将电容器粘合在第一线路层上；

在所述电容器上形成第一导电孔，以将所述电容器和所述第一线路层电连接；

将第二线路层粘合在所述电容器上；

在所述第二线路层上形成第二导电孔，以将所述第二线路层和所述电容器电连接。

在一些可选的实施方式中，在所述将电容器粘合在第一线路层上之前，所述方法还包括：

将金属材料印刷在未烧结陶瓷材料上，以得到单层结构；

将至少两个所述单层结构堆叠，以得到堆叠结构；

在所述堆叠结构上形成开孔；