[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，包括：

第一线路层；

第二线路层；

电容器，位于所述第一线路层和所述第二线路层之间并且与所述第一线路层和所述第二线路层电连接，所述电容器的杨氏模量大于所述第二线路层的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述电容器包括至少一个片状的单层结构，每个所述单层结构包括相应的导电部分和绝缘部分。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述电容器包括至少一个第一单层结构和至少一个第二单层结构，所述第一单层结构和所述第二单层结构交错堆叠，所述第一单层结构的第一导电部分用作所述电容器的正极，所述第二单层结构的第二导电部分用作所述电容器的负极。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述电容器包括至少两个第一单层结构和至少两个第二单层结构，所述至少两个第一单层结构相互电连接，所述至少两个第二单层结构相互电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述电容器的电介质的相对介电常数大于5。

6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述电容器的电介质的相对介电常数大于15并且小于30。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述电容器的电介质为陶瓷材料。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括第一导电孔，所述第一导电孔贯穿所述电容器，并且分别与所述第一线路层和所述第二线路层电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括第二导电孔，所述第二导电孔贯穿所述第二线路层，并且分别与所述第二线路层和所述电容器电连接。

10.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电孔具有中空结构。