[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110714994.3 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113594151A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 申请(专利权)人: 苏州汉天下电子有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人: 陈红;陈轶兰
地址: 215121 江苏省苏州市苏州工业园区金*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

基板,包括围绕芯片安装区的多个阻挡结构;

芯片,倒装焊接在芯片安装区上;

第一密封剂,在芯片安装区上包覆芯片;

第二密封剂,在基板上包覆第一密封剂。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,芯片包括相同或不同类型的多个芯片,多个阻挡结构围绕每个芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,不同类型的多个芯片周围的多个阻挡结构内或表面上加入不同的添加剂,或者不同类型的多个芯片上的第一密封剂中加入不同的添加剂。

4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,添加剂包括导电颗粒、有色颗粒、反光颗粒、化学改性剂、耐火剂颗粒、高硬度颗粒、波长转换颗粒或导热颗粒。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个阻挡结构是对基板表面加工得到的粗糙表面或凹凸结构,或者是在基板表面上形成的挡堤结构。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个阻挡结构是在基板法线上具有厚度的水平的周期性或非周期性结构,或者是在基板法线上具有高度差的曲线分布结构。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个阻挡结构的厚度为10至100微米。

8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,在平视图中,芯片或第一密封剂与多个阻挡结构部分地重叠。

9.一种半导体封装制造方法,包括步骤:

在基板上形成围绕一个或多个芯片安装区的多个阻挡结构;

将一个或多个芯片倒装安放在基板的一个或多个芯片安装区上;

在一个或多个芯片安装区内,形成一个或多个第一密封剂以覆盖一个或多个芯片;

在基板上形成第二密封剂,覆盖所有第一密封剂。

10.根据权利要求9所述的半导体封装制造方法,其中,形成第二密封剂之后,利用多个阻挡结构的一部分作为划片区域,切割分离各个芯片。

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