[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：重布线层；隔离层，设置于重布线层上，隔离层的吸水性小于重布线层；填充层，设置于隔离层上；两个功能芯片，设置于填充层上，经过填充层和隔离层，与重布线层电连接，两个功能芯片之间具有空隙腔体，空隙腔体穿过填充层并抵接隔离层，使得热循环制程中隔离层能够阻挡重布线层的水气向填充层扩散，避免因水气积累在填充层产生的应力，并且，由于两个功能芯片具有穿过填充层的空隙腔体，可避免在热循环制程中两个功能芯片之间与填充层的挤压造成的填充层断裂。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

目前半导体封装，需要将不同材料整合在同一个半导体封装装置中，由于不同材料的热膨胀系数(CTE，Coefficient of thermal expansion)不同，因此需要考虑到不同材料在温度变化时所产生的形变量可能导致的各种问题。

底部填充剂(UF，Under Fill)通常设置于相邻两个芯片(chip)之间及各芯片的底部缝隙，通过模拟和测试得知，由于底部填充剂热膨胀系数远大于芯片的热膨胀系数，在高温加热时，会导致两个芯片之间互相推挤，易造成底部填充剂破裂(Crack)。

发明内容

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

重布线层；

隔离层，设置于所述重布线层上，所述隔离层的吸水性小于所述重布线层；

填充层，设置于所述隔离层上；

两个功能芯片，设置于所述填充层上，经过所述填充层和所述隔离层，与所述重布线层电连接，所述两个功能芯片之间具有空隙腔体，所述空隙腔体穿过所述填充层并抵接所述隔离层。

在一些可选的实施方式中，所述重布线层的上表面设置有凸块下金属，所述功能芯片下方设置有金属凸块，所述功能芯片的金属凸块与所述重布线层电的凸块下金属对应电连接。

在一些可选的实施方式中，所述隔离层对应所述凸块下金属上表面设置有开口。

在一些可选的实施方式中，所述隔离层在对应所述开口边缘处的厚度高于所述凸块下金属从所述重布线层的上表面所在平面暴露部分的厚度。

在一些可选的实施方式中，所述隔离层的吸水性小于0.85％。

在一些可选的实施方式中，所述隔离层包括二氧化硅。

在一些可选的实施方式中，所述隔离层包括干膜光阻。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

第一封装材，围设于所述重布线层上，与所述重布线层的上表面形成一容纳腔，所述两个功能芯片设置于所述容纳腔内，所述两个功能芯片的上表面与所述第一封装材的上表面基本共面，所述填充层充满所述容纳腔内除所述空隙腔体的空隙。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

第二封装材，设置于所述空隙腔体内，与所述容纳腔体相匹配。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

导热层，设置于所述两个功能芯片上，覆盖所述两个功能芯片的上表面和所述第一封装材的上表面。

在一些可选的实施方式中，所述隔离层与所述空隙腔体接触的表面具有凹陷。

在一些可选的实施方式中，所述填充层与所述空隙腔体接触的表面具有凹陷。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

基板，所述基板的上表面电连接所述重布线层的下表面。