[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202110629020.5 | 申请日: | 2021-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN113506778A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
| 发明(设计)人: | 庄劭萱;张皇贤 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人: | 唐华东 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置,包括:
重布线层;
隔离层,设置于所述重布线层上,所述隔离层的吸水性小于所述重布线层;
填充层,设置于所述隔离层上;
两个功能芯片,设置于所述填充层上,与所述重布线层电连接,所述两个功能芯片之间具有空隙腔体,所述空隙腔体穿过所述填充层并抵接所述隔离层。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述重布线层的上表面设置有凸块下金属,所述功能芯片下方设置有金属凸块,所述功能芯片的金属凸块与所述重布线层电的凸块下金属对应电连接。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述隔离层对应所述凸块下金属上表面设置有开口。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括:
第一封装材,围设于所述重布线层上,与所述重布线层的上表面形成一容纳腔,所述两个功能芯片设置于所述容纳腔内,所述两个功能芯片的上表面与所述第一封装材的上表面基本共面,所述填充层充满所述容纳腔内除所述空隙腔体的空隙。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述装置还包括:
第二封装材,设置于所述空隙腔体内,与所述容纳腔体相匹配。
6.根据权利要求4所述的装置,其中,所述装置还包括:
导热层,设置于所述两个功能芯片上,覆盖所述两个功能芯片的上表面和所述第一封装材的上表面。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述隔离层与所述空隙腔体接触的表面具有凹陷。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述填充层与所述空隙腔体接触的表面具有凹陷。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括:
基板,所述基板的上表面电连接所述重布线层的下表面。
10.一种制造半导体封装装置的方法,包括:
提供重布线层,所述重布线层的上表面设置有凸块下金属;
在除凸块下金属上表面以外的所述重布线层的上表面设置隔离层,所述隔离层的吸水性小于所述重布线层;
提供两个功能芯片,所述功能芯片下方设置有金属凸块;
分别将所述两个功能芯片键合至所述重布线层,以使得各所述功能芯片的金属凸块电连接所述重布线层的凸块下金属;
在所述两个功能芯片与所述重布线层之间填充底部填充剂,形成填充层;
模封以形成第一封装材,所述第一封装材围设于所述重布线层上,与所述重布线层的上表面形成一容纳腔,所述两个功能芯片设置于所述容纳腔内;
研磨所述第一封装材上表面以使得所述两个功能芯片的上表面与所述第一封装材的上表面基本共面;
在所述两个功能芯片之间形成空隙腔体,所述空隙腔体穿过所述填充层并抵接所述隔离层。
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