[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

顶层；

底层，包括第一内连线结构及第一正面接合结构，其中所述第一内连线结构在第一半导体衬底上方，所述第一正面接合结构在所述第一内连线结构上方；以及

中间层，插设在所述顶层与所述底层之间并电耦合至所述顶层及所述底层，其中所述中间层包括：

第二内连线结构，在第二半导体衬底上方；

第二正面接合结构，插设在所述顶层与所述第二内连线结构之间，其中所述第二正面接合结构的第一接合特征包括与所述第二内连线结构接触的第一接合通孔、在所述第一接合通孔上方的第一接合接点以及位于所述第一接合接点的底部与所述第一接合通孔的顶部之间的阻障层界面；以及

背面接合结构，插设在所述第二半导体衬底与所述底层的所述第一正面接合结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述底层的所述第一正面接合结构包括第二接合特征，所述第二接合特征包括第二接合通孔及第二接合接点，其中所述第二接合通孔与所述第一内连线结构接触，所述第二接合接点在所述第二接合通孔上方；以及

所述中间层的所述背面接合结构包括第三接合接点，所述第三接合接点与所述中间层的第一贯通衬底通孔及所述底层的所述第二接合接点直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述底层的所述第一正面接合结构包括第一虚设特征；以及

所述中间层的所述背面接合结构包括第二虚设特征，所述第二虚设特征接合至所述底层的所述第一虚设特征并且为电性浮置。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述底层的所述第一正面接合结构及所述中间层的所述背面接合结构的接合界面包括金属对金属键结及介电质对介电质键结。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述顶层包括：

第三内连线结构，在第三半导体衬底下方；

第三正面接合结构，在所述第三内连线结构下方并面向所述中间层；以及

第二贯通衬底通孔，延伸穿过所述第三半导体衬底以耦合至所述第三内连线结构，其中从所述第三半导体衬底突出的所述第二贯通衬底通孔的一部分在剖视图中包括弯曲侧壁。

6.一种半导体结构，包括：

第一堆叠及第二堆叠，所述第二堆叠在所述第一堆叠下方并电耦合至所述第一堆叠，所述第二堆叠包括：

第一层，包括第一内连线结构，所述第一内连线结构在第一半导体衬底上方；以及

第二层，插设在所述第一堆叠与所述第一层之间并电耦合至所述第一堆叠及所述第一层，所述第二层包括：

第二内连线结构，在一第二半导体衬底上方；以及

第一贯通衬底通孔，延伸穿过所述第二半导体衬底，所述第一贯通衬底通孔包括第一端及第二端，所述第一端接合至所述第一层的所述第一内连线结构的第一金属图案，所述第二端落在所述第二内连线结构的一第二金属图案上。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述第一层还包括：

第一接合介电层，横向覆盖所述第一内连线结构的所述第一金属图案，其中所述第一接合介电层的主表面及所述第一金属图案的主表面大体上齐平。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述第二层还包括：

第二接合介电层，在所述第二半导体衬底下方并横向覆盖从所述第二半导体衬底突出的所述第一贯通衬底通孔的一部分，其中所述第二接合介电层的主表面及所述第一贯通衬底通孔的所述第一端的主表面大体上齐平。