[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110590730.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113539984A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
电子元件，具有相对设置的第一面和第二面；
线路层，设置在所述第一面上；
沟槽，设置在所述第二面上；
所述沟槽具有至少两个不同的延伸方向。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
填充材料，设置在所述沟槽中。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述填充材料的比重和散热系数大于与所述填充材料相邻的材料的比重和散热系数。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的深度约等于所述线路层的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的面积比例约等于所述线路层的面积比例。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的侧壁呈波浪状。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
硅化物，包封所述电子元件，所述沟槽从所述硅化物的外表面延伸至所述电子元件的所述第二面。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘材料，包封所述硅化物及位于所述硅化物中的所述电子元件。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿从所述第二面远离所述电子元件的方向，所述沟槽的宽度变宽。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多条所述沟槽的深度一致。
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