[发明专利]一种半导体HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体HEMT器件，其特征在于，包括：

衬底基板；

导热层，所述导热层位于所述衬底基板一侧的表面；

所述导热层包括：间隔设置的多个支持结构和导热结构，所述支持结构位于所述衬底基板的一侧表面；所述导热结构位于所述衬底基板上与所述支持结构同侧的表面，所述导热结构填充所述多个支持结构之间的空隙；

绝缘层，所述绝缘层覆盖所述导热结构背向所述衬底基板一侧的表面，所述绝缘层还覆盖所述多个支持结构背向所述衬底基板一侧的表面；

所述支持结构的高度高于所述导热结构的高度；

所述导热结构为碳薄膜；所述支持结构的材料为二氧化硅纳米线；所述绝缘层的材料为旋涂玻璃。

2.根据权利要求1所述的半导体HEMT器件，其特征在于，

所述支持结构在平行于所述衬底基板表面的截面上呈六边形、圆形、方形或三角形。

3.根据权利要求2所述的半导体HEMT器件，其特征在于，

所述支持结构在平行于所述衬底基板表面的截面上呈正六边形。

4.根据权利要求1所述的半导体HEMT器件，其特征在于，

所述支持结构的高度为100nm-1μm；所述导热结构的高度为50nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的半导体HEMT器件，其特征在于，

所述导热结构在所述衬底基板的表面上占比为30％-70％，所述支持结构在所述衬底基板的表面上占比为70％-30％。

6.根据权利要求1所述的半导体HEMT器件，其特征在于，

所述碳薄膜为碳纳米管或石墨烯。

7.根据权利要求1所述的半导体HEMT器件，其特征在于，

所述绝缘层的厚度为5nm-25nm。

8.一种半导体HEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底基板；

形成导热层，所述形成导热层的步骤包括：在所述衬底基板的一侧表面间隔的形成多个支持结构；之后在所述衬底基板上形成有所述支持结构的一侧表面形成导热结构，所述导热结构填充所述多个支持结构之间的空隙；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述导热结构背向所述衬底基板一侧的表面，所述绝缘层还覆盖所述多个支持结构背向所述衬底基板一侧的表面；

所述支持结构的高度高于所述导热结构的高度；

所述导热结构为碳薄膜构成；所述支持结构的材料为二氧化硅纳米线；

所述衬底基板为硅基板或碳化硅基板；所述在所述衬底基板的一侧表面间隔的形成多个支持结构的步骤为：在所述衬底基板的一侧表面进行光刻图形化，再进行感应耦合等离子体刻蚀；在所述感应耦合等离子体刻蚀形成所述多个支撑结构的步骤后，对所述多个支持结构进行热生长，形成二氧化硅纳米线构成的多个支持结构；

形成绝缘层的步骤为：在所述支持结构背向所述衬底基板一侧的表面和所述导热结构背向所述衬底基板一侧的表面旋涂旋涂玻璃，之后烘干。

9.根据权利要求8所述的半导体HEMT器件的制造方法，其特征在于：

所述在所述衬底基板上形成有所述支持结构的一侧表面形成导热结构的步骤为：采用化学气相沉积或生长转移的方法在所述多个支持结构之间的空隙形成碳薄膜。

10.根据权利要求8所述的半导体HEMT器件的制造方法，其特征在于：还包括以下步骤：

所述烘干步骤为：在氮气氛围保护下，加热到400℃之后保温。