[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

第一半导体柱，其在第一方向上延伸并连接至导电材料的表面；

第二半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至所述导电材料的表面，所述第一半导体柱和所述第二半导体柱在与所述第一方向交叉的第二方向上排列；

第一绝缘层，其设置在所述第一半导体柱与所述第二半导体柱之间；

第一电极膜，其在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸；

第二电极膜，其在所述第三方向上延伸，所述第一电极膜和所述第二电极膜在所述第二方向上排列；

第一存储部分，用于存储在所述第一半导体柱和所述第一电极膜之间提供的电子；

第二存储部分，用于存储在所述第二半导体柱和所述第二电极膜之间提供的电子；

第三半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至导电材料的表面，所述第三半导体柱和所述第二半导体柱在所述第二方向上排列；

第四半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至导电材料的表面，所述第四半导体柱和所述第三半导体柱在所述第二方向上排列；

第二绝缘层，其设置在所述第三半导体柱和所述第四半导体柱之间；

第三电极膜，其在所述第三方向上延伸；

第四电极膜，其在所述第三方向上延伸，所述第三电极膜和所述第四电极膜在所述第二方向上排列；

第三存储部分，其设置在所述第三半导体柱和所述第三电极膜之间；

第四存储部分，其设置在所述第四半导体柱和所述第四电极膜之间；以及

导电层，其在所述第一方向上延伸并连接至所述导电材料的表面，所述导电层位于所述第四半导体柱的所述第二方向上，

其中，所述第二电极膜和所述第三电极膜设置在所述第二半导体柱和所述第三半导体柱之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体柱和所述半导体柱的材料不同于所述导电层的材料。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层在所述第一方向上的长度长于所述第一半导体柱和所述半导体柱在所述第一方向上的长度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层在所述第三方向和所述第一方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

第一互连，其在所述第二方向上延伸并且被设置在所述第一半导体柱和所述第二半导体柱上方。

6.根据权利要求5所述的装置，其中

所述导电层被设置在所述第一互连下方。

7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

第二互连，其被设置在所述导电层上方。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述导电层在所述第一方向上从所述第二互连线直延伸到所述导电材料。

9.根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一存储部分包括：

第三电极膜，其设置在所述第一半导体柱与所述第一电极膜之间；

第三绝缘层，其设置在所述第一半导体柱与所述第三电极膜之间；

第四绝缘层，其设置在所述第三电极膜与所述第一电极膜之间；

第四电极膜，其设置在所述第二半导体柱与所述第二电极膜之间；

第五绝缘层，其设置在所述第二半导体柱与所述第四电极膜之间；以及

第六绝缘层，其设置在所述第四电极膜与所述第二电极膜之间。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电极膜和所述第二电极膜未设置在所述第一半导体柱和所述第二半导体柱之间。