“坂本涉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201911282806.3在审
发明人： 坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也;荒井史隆 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间的第二绝缘膜。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]流式细胞术用荧光探针和荧光标记细胞的分选方法-CN201780026144.6在审
发明人：林幸一朗;坂本涉;余语利信;丸冈弘规 -专利权人：国立大学法人名古屋大学;仓敷纺绩株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种流式细胞术用荧光探针，其包含载体分子和与所述载体分子结合的卟啉，并且激发波长在350～650nm的范围内。本发明还涉及一种利用流式细胞仪进行的荧光标记细胞的分选方法，其包含用所述的流式细胞术用荧光探针对细胞进行荧光标记的工序、和利用流式细胞仪对用流式细胞术用荧光探针标记的荧光标记细胞进行分选的工序，所述利用流式细胞仪进行的荧光标记细胞的分选通过对荧光标记细胞照射波长为350～650nm的激发光、对荧光进行检测来进行。
荧光标记细胞流式细胞术分选流式细胞仪荧光探针荧光荧光探针标记分子结合激发波长荧光标记载体分子照射波长激发光卟啉细胞检测

[发明专利]荧光探针、荧光检测方法及荧光探针的使用方法-CN201780026210.X在审
发明人：林幸一朗;坂本涉;余语利信;丸冈弘规 -专利权人：国立大学法人名古屋大学;仓敷纺绩株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光探针，其包含载体分子、和与载体分子结合的荧光色素a和荧光色素b，荧光色素a和荧光色素b的激发波长不同，并且荧光色素a与荧光色素b之间不产生荧光FRET。本发明还涉及一种荧光检测方法，其包含：用上述荧光探针对目标细胞进行标记的工序、和向用荧光探针标记的目标细胞照射激发光，观察来自荧光探针的荧光的工序。本发明还涉及一种荧光探针的使用方法，其包含：利用所述荧光探针对细胞进行荧光标记的工序、利用流式细胞仪或荧光显微镜对荧光标记细胞进行分选的工序、将分选出的荧光标记细胞移植到生物体内的工序、和利用体内荧光成像装置观察生物体内的荧光标记细胞的工序。
荧光色素荧光探针荧光荧光标记细胞目标细胞荧光检测载体分子体内荧光探针标记流式细胞仪荧光显微镜成像装置激发波长体内荧光荧光标记激发光分选观察照射细胞移植

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201410250359.4有效
发明人： 坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：基板；设置在所述基板上且沿上下方向延伸的半导体柱；设置在所述半导体柱的侧方、沿第1方向延伸且沿所述上下方向彼此分离地配置的多张第1电极膜；设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间、且沿所述上下方向彼此分离地配置的多个第2电极膜；设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间的第1绝缘膜；和设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间的第2绝缘膜。
电极膜半导体柱半导体存储装置彼此分离上下方向绝缘膜配置的基板上下方向延伸方向延伸侧方制造

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201580004157.4在审
发明人： 坂本涉;铃木亮太;冈本达也;加藤龙也;荒井史隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间的第二绝缘膜。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]电池状态监视电路以及电池装置-CN201010274130.6有效
发明人：小池智幸;樱井敦司;佐野和亮;坂本涉;前谷文彦;塚本尚平 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供电池状态监视电路以及电池装置，即使在二次电池的电压降低到0V附近时也能够可靠地控制充电器的充电。作为解决手段，采用下述结构：通过与二次电池的两端连接的分压电阻电路(23)来提供构成电压检测电路的PMOS晶体管(16)与NMOS晶体管(17)的栅极电压，其中，该电压检测电路检测二次电池的0V附近电压。
电池状态监视电路以及装置

[发明专利]充放电控制电路及充电式电源装置-CN201010272802.X有效
发明人：佐野和亮;坂本涉 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供具备低消耗电流的中间端子断路检测电路的充放电控制电路及充电式电源装置。由耗尽型MOS晶体管和在耗尽型MOS晶体管的栅极端子与源极端子间连接的电阻构成在充放电控制电路的连接有二次电池的端子设置的中间端子断路检测电路的恒流电路。
放电控制电路充电式电源装置

[发明专利]电池状态监视电路及电池装置-CN201010118830.6有效
发明人：佐野和亮;坂本涉;小池智幸;川名宗治 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明提供一种电池状态监视电路及电池装置，可在电池状态监视电路无需追加端子，且通过过电流检测电路检测到放电过电流时，使过放电电池平衡不会发挥作用而禁止放电。将过电流检测电路的检测信号输入至设有过电流检测电路一侧的电池状态监视电路的过放电信号的通信端子和过充电信号的通信端子。过放电电池平衡电路在过放电检测信号不是过放电检测状态、过放电信号为过放电状态、过充电信号不是过充电状态时，输出电池平衡信号。
电池状态监视电路装置

[发明专利]过热保护电路-CN200910002441.4无效
发明人：吉川清至;小池智幸;塚本尚平;佐野和亮;前谷文彦;坂本涉;樱井敦司;川名宗治;田家良久 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明提供安装面积小的过热保护电路。该过热保护电路具备：多个电阻具有温度系数的电阻桥电路；以及输入端子与电阻桥电路的输出端子连接的比较电路，部件分别接近具有温度系数的多个电阻地配置，若部件的温度成为过热检测温度以上，则比较电路输出过热检测信号。以最小限的过热保护电路，能够从过热状态保护很多部件，因此电路规模变小，并降低用于过热保护的成本。
过热保护电路

1
共 9 条