[发明专利]芯片的扇出型封装结构和封装方法

说明书

本发明公开了一种芯片的扇出型封装结构和封装方法，包括：底面相对贴合的第一芯片和第二芯片；多个金属端子，分布在第一芯片周围，金属端子的一面与第一芯片的正面在同一平面；引线，连接在第二芯片正面和金属端子的另一面之间；封装层，包封第一芯片、第二芯片、引线以及金属端子；引出层，设置在封装层的第一表面上，分别与金属端子的一面和/或第一芯片的正面电连接。相比于采用载片整面封装的扇出型封装结构，分布设置多个金属端子，利用金属端子的体积比，平衡封装结构，例如，降低封装体等效热膨胀系数的数值，以便控制产品翘曲，降低封装形变翘曲。并且可以通过多个金属端子实现Z方向堆叠多芯片的信号互连。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片的扇出型封装结构和封装方法。

背景技术

现有技术中的芯片封装工艺中，例如扇出型封装结构，为人工重构的晶圆，重构晶圆含有塑胶、硅及金属材料，其中硅与塑胶之间的体积边和和热膨胀系数在X、Y、Z各个方向上的不同，都会导致工艺加热及冷却时，热涨冷缩效应影响封装体的翘曲现象。

发明内容

因此，本发明提供一种芯片的扇出型封装结构，降低封装体的翘曲变形。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种芯片的扇出型封装结构，至少包括：底面相对贴合的第一芯片和第二芯片；多个金属端子，分布在所述第一芯片周围，所述金属端子的一面与所述第一芯片的正面在同一平面；引线，连接在所述第二芯片正面和金属端子的另一面之间；封装层，包封所述第一芯片、第二芯片、引线以及金属端子，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，所述第一表面与所述金属端子的一面与所述第一芯片的正面在同一平面；引出层，设置在所述封装层的第一表面上，分别与所述金属端子的一面第一芯片的正面电连接。

可选地，所述引出层包括：第一重布线层，所述布线层形成在所述封装层的第一表面，与所述第一芯片正面和部分金属端子的一面电连接。过孔。

可选地，所述引出层还包括：介质层，设置在所述布线层的表面，具有多个过孔；第二重布线层，设置在所述介质层表面，通过所述过孔分别与所述第一重布线层、所述金属端子的一面以及所述第一芯片的正面中的至少之一电连接。

可选地，引出层还包括：引脚，分布在所述第二重布线层上。

可选地，所述封装层的第一表面暴露所述金属端子的一面和第一芯片的正面。

可选地，所述封装层包括塑封层。

可选地，所述第一芯片和所述第二芯片之间包括焊接层、烧结层或粘接层中的任意一种。

根据第二方面，本发明实施例提供了一种芯片的扇出型封装方法，包括：提供一载片；在所述载片上依次堆叠倒装第一芯片和正装第二芯片；在所述第一芯片周围设置多个金属端子；在所述第二芯片的正面和对应的所述金属端子之间连接引线；在所述载片上形成封装层，以包封所述第一芯片、所述第二芯片、所述引线和所述金属端子；拆除所述载片并在所述封装层拆除所述载片的一面形成引出层。

可选地，所述拆除所述载片并在所述封装层拆除所述载片的一面形成引出层包括：拆除所述载片并在所述封装层拆除所述载片的一面形成第一重布线层；在所述第一重布线层上形成介质层；在所述介质层上形成过孔；在所述介质层上形成第二重布线层，通过所述过孔分别与所述第一重布线层、所述金属端子的一面以及所述第一芯片的正面中的至少之一电连接；在第二重布线层上对应的位置形成多个引脚。

可选地，在所述载片上形成封装层包括：以注塑的方式在所述第一芯片、所述第二芯片和所述金属端子所在的区域形成封装层。

本发明技术方案，具有如下优点：