[发明专利]芯片的扇出型封装结构和封装方法在审
申请号: | 201811565276.9 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109786347A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 孙鹏;任玉龙 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属端子 芯片 扇出型封装 封装 封装层 等效热膨胀系数 产品翘曲 第一表面 分布设置 封装结构 芯片正面 信号互连 电连接 多芯片 封装体 面封装 体积比 形变 包封 底面 堆叠 翘曲 贴合 载片 平衡 | ||
1.一种芯片的扇出型封装结构,其特征在于,至少包括:
底面相对贴合的第一芯片和第二芯片;
多个金属端子,分布在所述第一芯片周围,所述金属端子的一面与所述第一芯片的正面在同一平面;
引线,连接在所述第二芯片正面和金属端子的另一面之间;
封装层,包封所述第一芯片、第二芯片、引线以及金属端子,具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面,所述第一表面与所述金属端子的一面与所述第一芯片的正面在同一平面;
引出层,设置在所述封装层的第一表面上,分别与所述金属端子的一面和/或第一芯片的正面电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片的扇出型封装结构,其特征在于,所述引出层包括:第一重布线层,所述布线层形成在所述封装层的第一表面,与所述第一芯片正面和部分金属端子的一面电连接。
3.根据权利要求2所述的芯片的扇出型封装结构,其特征在于,所述引出层还包括:
介质层,设置在所述布线层的表面,具有多个过孔;
第二重布线层,设置在所述介质层表面,通过所述过孔分别与所述第一重布线层、所述金属端子的一面以及所述第一芯片的正面中的至少之一电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片的扇出型封装结构,其特征在于,引出层还包括:
引脚,分布在所述第二重布线层上。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的芯片的扇出型封装结构,其特征在于,所述封装层的第一表面暴露所述金属端子的一面和第一芯片的正面。
6.根据权利要求5所述的芯片的扇出型封装结构,其特征在于,所述封装层包括塑封层。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的芯片的扇出型封装结构,其特征在于,所述第一芯片和所述第二芯片之间包括焊接层、烧结层或粘接层中的任意一种。
8.一种芯片的扇出型封装方法,其特征在于,包括:
提供一载片;
在所述载片上依次堆叠倒装第一芯片和正装第二芯片;
在所述第一芯片周围设置多个金属端子;
在所述第二芯片的正面和对应的所述金属端子之间连接引线;
在所述载片上形成封装层,以包封所述第一芯片、所述第二芯片、所述引线和所述金属端子;
拆除所述载片并在所述封装层拆除所述载片的一面形成引出层。
9.如权利要求8所述的芯片的扇出型封装方法,其特征在于,所述拆除所述载片并在所述封装层拆除所述载片的一面形成引出层包括:
拆除所述载片并在所述封装层拆除所述载片的一面形成第一重布线层;
在所述第一重布线层上形成介质层;
在所述介质层上形成过孔;
在所述介质层上形成第二重布线层,通过所述过孔分别与所述第一重布线层、所述金属端子的一面以及所述第一芯片的正面中的至少之一电连接;在第二重布线层上对应的位置形成多个引脚。
10.如权利要求8或9所述的芯片的扇出型封装方法,其特征在于,在所述载片上形成封装层包括:
以注塑的方式在所述第一芯片、所述第二芯片和所述金属端子所在的区域形成封装层。
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