[发明专利]半导体结构、重布线层结构及其制造方法

说明书

本公开是关于一种重布线层结构、重布线层结构的制造方法以及半导体结构。该重布线层结构包括：重布线层，设置于衬底上，所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部；其中，所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。本公开提供的重布线层结构，焊垫部相对导线部具有较厚的厚度，较厚的焊垫部能够在封装金或铜打线时提供较多的撞击缓冲区，以避免衬底受力破裂，同时也避免了在增加焊垫部厚度时而引起增加导线间的寄生电容的问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种重布线层结构、重布线层结构的制造方法以及半导体结构。

背景技术

重新布线(RDL，Re-distribution Layer)是将原来设计的集成电路(IC，Integrated Circuit)线路接点位置(I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使IC能适用于不同的封装形式。晶圆级金属布线制程，是在IC上涂布一层绝缘保护层，再以曝光显影的方式定义新的导线图案，然后利用电镀技术制作新的金属线路，以连接原来铝焊垫和新的凸块或者铜焊垫，达到线路重新分布的目的。

相关技术中，在铝焊垫的重布线层面对引线键合(Wire Bond)的金/铜焊球制程加工时，不够厚的重布线层的铝焊垫往往会被金或铜焊球挤压从焊垫中央外移，焊球可能会直接撞击在衬底上，造成衬底破裂或变形造成IC短路失效。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种能够在封装铜打线时提供较多的撞击缓冲区的重布线结构。

根据本公开的一个方面，提供了一种重布线层结构。该重布线层结构包括：

重布线层，设置于一衬底上，所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部；

其中，所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊垫部包括焊垫本体部和设于所述焊垫本体部远离所述衬底一侧上的焊接部。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊垫本体部与所述焊接部形成的所述焊垫部呈凸台状，所述焊垫本体部正投影的长度和宽度大于所述焊接部正投影的长度和宽度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接部的侧边与所述焊垫本体部的侧边具有预设距离，所述预设距离在0.5μm-3μm之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊垫本体部与所述焊接部为一体结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导线部的厚度与所述焊垫本体部的厚度相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接部的厚度在1μm-2.5μm之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接部的正投影的形状为矩形、六边形、八边形、圆形或椭圆形，所述焊垫本体部的正投影的形状为矩形、六边形、八边形、圆形或椭圆形，所述焊垫本体部的正投影的形状与所述焊接部的正投影的形状相同或不同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接部和所述焊垫本体部的侧面剖视形状呈矩形或梯形。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接部的侧面剖视形状呈梯形，包括顶面、底面及侧面，所述顶面为远离所述衬底的一侧面，所述顶面的面积小于所述底面的面积，所述焊垫本体部的侧面剖视形状呈矩形，所述焊接部的底面与所述焊垫本体部连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊垫本体部的侧面剖视形状呈梯形，包括顶面、底面及侧面，所述顶面为远离所述衬底的一侧面，所述顶面的面积小于所述底面的面积，所述焊接部的侧面剖视形状呈矩形，所述焊接部与所述焊垫本体部的顶面连接。