[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
申请号: | 201711265158.1 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN108242440B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 叶昶麟 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q7/06;H02J50/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子模块,包括:
衬底;
在所述衬底上的电子组件;
第一封装主体,其在所述衬底上并且覆盖所述电子组件;以及
线圈,其在所述第一封装主体上并且包括第一导电材料、第一区段以及与所述第一区段隔开的第二区段,其中所述第一区段及所述第二区段通过所述第一导电材料连接;
其中所述第一导电材料在所述衬底上的投影面积、所述第一区段在所述衬底上的投影面积、及所述第二区段在所述衬底上的投影面积未重合;
其中所述第一导电材料、所述第一区段的一部份及所述第二区段的一部份共同形成所述线圈的第一段直线;
其中所述线圈的所述第一段直线具有面对所述衬底的底面、与所述底面相对的顶面、及延伸于所述底面及所述顶面之间的侧面;
其中所述第一区段及所述第二区段属于同一回圈,且所述第一导电材料、所述第一区段及所述第二区段共面而形成所述线圈的所述第一段直线的所述侧面;以及
其中所述第一区段及所述第二区段具有转折。
2.根据权利要求1所述的电子模块,进一步包括电连接件,其位于所述衬底的中心处并将所述线圈的中心的端连接到所述衬底。
3.根据权利要求2所述的电子模块,进一步包括:
磁导性层,其在所述第一封装主体上且包括磁性层及导电层,其中所述导电层电连接到所述衬底的表面上的接地衬垫;
第二封装主体,其在所述磁导性层上;以及
粘合层,其在所述第一封装主体与所述磁导性层之间,其中所述电连接件通过所述粘合层。
4.根据权利要求3所述的电子模块,其中所述第二封装主体的第二填充物小于所述第一封装主体的第一填充物。
5.根据权利要求3所述的电子模块,其中所述磁导性层与所述电连接件间隔一距离。
6.根据权利要求3所述的电子模块,其中所述电连接件穿过所述第一封装主体及所述粘合层而延伸至所述第二封装主体中。
7.根据权利要求1所述的电子模块,进一步包括:
磁性层,其具有与所述第一封装主体接触的侧表面及从所述第一封装主体曝露的顶表面,其中所述磁性层界定通孔;
电连接件,其穿过所述通孔,且通过所述第一封装主体而与所述磁性层分隔开;
其中所述电连接件将所述线圈的中心端点电连接至所述衬底。
8.根据权利要求1所述的电子模块,进一步包括:
磁性层,其具有与所述第一封装主体接触的侧表面及从所述第一封装主体曝露的顶表面;
绝缘层,其位于所述磁性层及所述线圈之间;以及
第二封装主体;
其中所述绝缘层之一表面、所述第二封装主体之一表面及所述第一封装主体之一表面大体上共面;
其中所述绝缘层在所述衬底上的投影面大于所述磁性层在所述衬底上的投影面。
9.根据权利要求1所述的电子模块,其中所述第一导电材料、所述第一区段及所述第二区段共面而形成所述线圈的所述第一段直线的所述底面。
10.根据权利要求9所述的电子模块,其中所述第一导电材料、所述第一区段及所述第二区段共面而形成所述线圈的所述第一段直线的所述顶面。
11.根据权利要求1所述的电子模块,其中
所述线圈进一步包含第三区段及第四区段,所述第一区段与所述第四区段隔开并且所述第二区段与所述第三区段隔开;并且
所述第一区段通过第二导电材料连接到所述第四区段并共同形成所述线圈中的第二段直线,并且所述第二区段通过第三导电材料连接到所述第三区段并共同形成所述线圈中的第三段直线。
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