[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

本申请要求于2016年8月26日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0108941号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种被构造为将来自电子组件的热散发到外部的半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。

背景技术

随着对半导体封装件的小型化和薄型化的需求，半导体封装件包括集成地形成在其内部的大量电子组件。然而，在如上所述这种半导体封装件中，因为多个电子组件被集成在单个基板上，所以至少一个电子组件可能由于热而容易发生故障。

因此，有必要开发一种有效地散发由半导体封装件中的电子组件产生的热的半导体封装件。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在下面具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

示例描述了被构造为有效地散发由电子组件产生的热的半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。

根据实施例，提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基板，其中，在所述第一基板的两个表面上设置电子组件；第二基板，设置在所述第一基板的表面上；密封构件，设置在所述第一基板的两个表面上以覆盖所述电子组件；第一传导构件，设置在所述第二基板上；及第二传导构件，设置在所述密封构件上，并连接到所述第一传导构件。

所述第二传导构件可设置在所述密封构件的表面上。

所述第二基板可具有中央敞开的矩形。

所述第一基板可包括连接到所述第一传导构件的第一连接焊盘。

所述第二基板可包括连接到所述第一传导构件的第二连接焊盘。

所述第一传导构件可设置在所述第二基板的侧表面上。

从所述第一基板的一个表面到所述第二传导构件的外表面的高度可大于从所述第一基板的所述一个表面到所述第二基板的外表面的高度。

所述第二传导构件可包括：接地构件，连接到所述第一基板的接地焊盘；热辐射构件，连接到所述第一基板的连接焊盘。

根据另一实施例，提供一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在第一基板的一个表面上设置电子组件和第二基板；在所述第二基板上形成第一传导构件；在所述第一基板的所述一个表面上形成密封构件以覆盖所述电子组件；打磨所述密封构件；在所述密封构件上形成第二传导构件。

可执行打磨所述密封构件的步骤，以使所述密封构件的高度与所述第二基板的高度相同。

根据实施例，提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基板，包括形成在所述第一基板的两个表面上的电子组件，其中，所述电子组件通过所述第一基板的印刷电路互连；第二基板，设置在所述第一基板的一个表面上；第一密封构件，形成在所述第一基板的另一表面上；第二密封构件，形成在所述第一基板的所述一个表面上，其中，所述第一密封构件和所述第二密封构件被构造为覆盖所述电子组件；第一传导构件，被构造为限定所述第二基板的内部区域，所述第二基板的所述内部区域围绕形成在所述第二密封构件内的所述电子组件；以及第二传导构件，设置在所述第二密封构件的外表面上，并覆盖所述内部区域，其中，所述第一传导构件和所述第二传导构件连接到所述印刷电路。

从所述第一基板的所述一个表面到所述第二传导构件的外表面的第一高度可大于从所述第一基板的所述一个表面到所述第二基板的外表面的第二高度。

所述第一传导构件可设置在所述第二基板的两个侧表面上。

所述半导体封装件还可包括：第一连接焊盘，连接到所述第一传导构件，并设置在所述第一基板上。

所述半导体封装件还可包括：第二连接焊盘，连接到所述第一传导构件，并设置在所述第二基板中。

所述第二传导构件可形成在所述第二密封构件的预定部分上。

所述第一传导构件可形成并设置在所述第二基板的由所述第二密封构件划分的两个侧表面上，所述两个侧表面为第一侧表面和第二侧表面，其中，所述第一侧表面和所述第二侧表面在所述第二密封构件的相对侧上。

所述第一传导构件可连接到所述第一基板的第一连接焊盘和接地焊盘。

所述第二传导构件可包括：热辐射构件，连接到所述第一传导构件的与所述第一基板的所述第一连接焊盘连接的第一部分；接地构件，连接到所述第一传导构件的与所述第一基板的所述接地焊盘连接的第二部分。