[发明专利]半导体装置以及半导体模块

说明书

在半导体装置(1)中，在半导体基板(3)的表面侧的区域配置有元件形成区域，在该元件形成区域形成有对电流进行控制的半导体元件。终端区域以包围该元件形成区域的方式而配置。在栅极电极(9)配置有针抵接区域(13)和导线区域(15)。针抵接区域和导线区域由形成于栅极电极的表面处的绝缘体(17)进行了分隔。因此，针抵接区域的表面和导线区域的表面位于相同的高度。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体模块，特别地，涉及具有高耐压半导体元件的半导体装置、和应用了该半导体装置的半导体模块。

背景技术

在以半导体晶圆或半导体芯片的状态对半导体装置(被测定物)评价电气特性时，首先，将半导体装置载置于半导体评价装置的卡盘台的表面。然后，通过真空吸附等，将半导体装置固定于卡盘台。然后，通过将接触探针与半导体装置的规定的表面电极接触，进行电气式的输入输出，从而对电气特性进行评价。

在对沿半导体装置的纵向(厚度方向)流过大电流的纵向型半导体装置的电气特性进行评价时，卡盘台的表面成为电极。另外，为了将上述的大电流或高电压施加于半导体装置，开展了接触探针的多针化。

在对电气特性进行评价时将大电流或高电压施加于半导体装置的要求日益提高，另一方面，为了削减制造成本，不断进行用于使各个半导体芯片小型化或者缩小化的开发，不断地增加每1片半导体晶圆的半导体芯片的数量。

为了避免形成功率半导体元件的元件形成区域(活性区域)变窄，并且实现半导体芯片的小型化，将包围元件形成区域的终端区域变窄是有效的。作为公开了将上述终端区域的占用面积缩小的半导体装置的专利文献的例子，存在专利文献1(日本特开2014－204038号公报)。

与半导体装置的小型化相伴，作为表面电极而形成的、例如栅极电极或发射极电极等也大多被缩小。特别地，关于栅极电极，有时与半导体装置的小型化无关地，以使元件形成区域(活性区域)扩大这一点为理由，使栅极电极的占用面积缩小。在将半导体装置作为半导体模块而进行组装时，导线与该栅极电极等连接。如果使栅极电极等的占用面积缩小，则在对该导线进行连接时会发生问题。说明该情况。

如上所述，在对半导体装置的电气特性进行评价时，接触探针与栅极电极等电极的表面接触。接触探针的前端部分形成为尖锐的针状。因此，通过接触探针的前端部与电极的表面接触，从而有时会使电极的表面受到损伤，导致电极的表面变粗糙，或者在电极的表面形成与接触探针的前端部相对应的凹凸。

如果与导线连接的电极的表面变粗糙、或者形成凹凸，则导线和电极的密接性下降。因此，即使是在对电气特性进行评价时判定为合格品的半导体装置，在作为半导体模块而被组装后，有时也会发生导线脱落等，产生不能进行通电等故障。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其一个目的在于提供能够可靠地将导线与电极连接的半导体装置，另一个目的在于提供应用了上述半导体装置的半导体模块。

本发明所涉及的半导体装置具有半导体基板、元件形成区域、终端区域和第1主面侧电极。半导体基板具有彼此相对的第1主面及第2主面。元件形成区域规定于半导体基板的第1主面侧。终端区域规定于半导体基板的第1主面侧，以包围元件形成区域的方式而配置。第1主面侧电极形成于元件形成区域，包含第1电极，该第1电极配置有第1区域及第2区域。第1区域和第2区域由形成于第1电极的表面处的分隔部件进行了分隔。第1区域形成为具有长边和短边的矩形状。第2区域配置于第1区域的长边侧。

本发明所涉及的半导体模块是应用了上述半导体装置的半导体模块，在该半导体模块中，导线与第1电极的第2区域连接。

根据本发明所涉及的半导体装置，第1主面侧电极包含第1电极，该第1电极配置有接触探针所接触的第1区域以及与导线连接的第2区域，从而能够将导线可靠地与第1电极连接。