[发明专利]半导体封装件及其制法在审
申请号: | 201310348855.9 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN104347528A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 马光华;邱世冠;陈仕卿;柯俊吉;吕长伦;卢俊宏;陈贤文;林畯棠;赖顗喆;邱启新;曾文聪;袁宗德;程吕义;叶懋华 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件,其包括:
半导体组件,其具有相对的作用侧与非作用侧、及相邻接该作用侧与该非作用侧的侧面;
粘着材,其设于该半导体组件的侧面周围;
介电层,其设于该粘着材与半导体组件的作用侧上方;以及
线路层,其设于该介电层上并电性连接该半导体组件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件为多芯片模块或单一芯片结构。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的厚度为10至300微米。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该介电层的材质不同于该粘着材。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,形成该介电层的材质为无机材质或有机材质。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该介电层包覆该半导体组件的侧面周围。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该线路层具有多个导电盲孔,以藉其电性连接该半导体组件。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括线路重布结构,设于该介电层与该线路层上并电性连接该线路层。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件,其特征在于,该线路重布结构包含相叠的介电部与线路部。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其特征在于,形成该介电部的材质为无机材质或有机材质。
11.根据权利要求8所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括封装基板,其设于该线路重布结构上并电性连接该线路重布结构。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括封装基板,其设于该线路层上并电性连接该线路层。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括支撑部,其包围该粘着材。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其特征在于,该支撑部为含硅框体。
15.根据权利要求13所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的厚度未大于该支撑部的高度。
16.根据权利要求13所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的厚度大于该支撑部的高度。
17.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括止蚀层,其设于该半导体组件的作用侧与该介电层之间。
18.根据权利要求17所述的半导体封装件,其特征在于,形成该止蚀层的材质为氮化硅。
19.根据权利要求17所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括介电材,其设于该粘着材与半导体组件的作用侧上,并包覆半导体组件的侧面周围,且具有外露该半导体组件的开口,使该止蚀层设于该半导体组件的作用侧与该介电层之间。
20.根据权利要求19所述的半导体封装件,其特征在于,该介电材为无机材质或有机材质。
21.根据权利要求5、10或20所述的半导体封装件,其特征在于,该无机材质为氧化硅或氮化硅。
22.根据权利要求5、10或20所述的半导体封装件,其特征在于,该有机材质为聚酰亚胺、聚对二唑苯或苯环丁烯。
23.一种半导体封装件的制法,其包括:
置放一半导体组件于一承载件的凹部中,该半导体组件具有相对的作用侧与非作用侧、及相邻接该作用侧与该非作用侧的侧面;
形成粘着材于该凹部中与该半导体组件的侧面周围;
形成介电层于该粘着材与半导体组件的作用侧上方;
形成线路层于该介电层上,且该线路层电性连接该半导体组件;以及
移除该承载件的凹部下方的部分,以保留该承载件的凹部侧壁的部分,以供作为支撑部。
24.根据权利要求23所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该承载件为含硅的板体。
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