[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含︰

一硬板结构，其包含：一第一硬板表面；一第二硬板表面，相反于所述第一硬板表面；一容置槽，由所述第一硬板表面贯穿至第二硬板表面；数个线路层，形成在所述第一及第二硬板表面之间；及数个接垫，设置在所述第一硬板表面且电性连接所述线路层；

一软板结构，其具有不小于所述硬板结构的可挠性，且包含：一第一软板表面，贴附在所述第二硬板表面；一第二软板表面，相反于所述第一软板表面；至少一重分布层，形成在所述第一及第二软板表面之间且电性连接所述硬板结构的线路层；及数个垂直导通孔，形成在所述第一及第二软板表面之间且对位于所述容置槽；

一晶片，设置在所述容置槽中，并电性连接所述垂直导通孔；及

一封装胶体，填充于所述容置槽且包覆所述晶片。

2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含至少一晶片元件或至少一封装元件，设置在所述第二软板表面且电性连接所述垂直导通孔。

3.如权利要求2所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含至少一散热装置，设置在所述第二软板表面，且位于上述晶片元件或上述封装元件的周边。

4.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述第二软板表面具有至少一天线图案或电磁遮蔽图案，电性连接至所述重分布层。

5.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含至少一无源元件，设置在所述第二软板表面，且电性连接所述重分布层。

6.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述软板结构包含交替堆迭的至少1组的介电层及所述重分布层。

7.如权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于：每一组所述介电层及重分布层的厚度为5微米以上。

8.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一暂时性保护膜；

在所述暂时性保护膜上形成一硬板结构，其包含：一第一硬板表面，贴附于所述暂时性保护膜；一第二硬板表面，相反于所述第一硬板表面；一容置槽，由所述第一硬板表面贯穿至第二硬板表面；及数个线路层，形成在所述第一及第二硬板表面之间；

在所述容置槽中填充一剥离层，其包含：一第一剥离层表面，贴附于所述暂时性保护膜；及一第二剥离层表面，相反于所述第一剥离层表面且齐平于所述第二硬板表面；

在所述第二剥离层表面及第二硬板表面形成一软板结构，其具有不小于所述硬板结构的可挠性，且包含：一第一软板表面，贴附在所述第二剥离层表面及第二硬板表面；一第二软板表面，相反于所述第一软板表面；至少一重分布层，形成在所述第一及第二软板表面之间且电性连接所述硬板结构的线路层；及数个垂直导通孔，形成在所述第一及第二软板表面之间且对位于所述容置槽；

移除所述剥离层及暂时性保护膜；

将一晶片设置在所述容置槽中，并电性连接所述垂直导通孔；及

在所述容置槽填充一封装胶体且包覆所述晶片。

9.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：形成一硬板结构，其包含：一第一硬板表面；一第二硬板表面，相反于所述第一硬板表面；及数个线路层，形成在所述第一及第二硬板表面之间；将一离型层形成在部分所述第二硬板表面；

在所述第二硬板表面及离型层上形成一软板结构，其具有不小于所述硬板结构的可挠性，且包含：一第一软板表面，贴附在所述第二硬板表面；一第二软板表面，相反于所述第一软板表面；至少一重分布层，形成在所述第一及第二软板表面之间且电性连接所述硬板结构的线路层；及数个垂直导通孔，形成在所述第一及第二软板表面之间；

沿着所述离型层周边切割所述硬板结构；

移除部分所述硬板结构层，以暴露部分所述离型层的表面；

移除所述离型层，以形成一容置槽，由所述第一硬板表面贯穿至第二硬板表面；

将一晶片设置在所述容置槽中，并电性连接所述垂直导通孔；及

在所述容置槽填充一封装胶体且包覆所述晶片。