[发明专利]具有桥型中介片的半导体封装

说明书

技术领域

本公开涉及具有桥型中介片(bridge interposer)的半导体封装。

背景技术

封装解决方案持续发展来满足由有着不断增大的集成电路密度的电子装置和系统施加的日益严格的设计约束。例如一个使单个的半导体封装中的有源芯片(active die)成倍增加的用于提供电源和接地的连接以及输入/输出信号的解决方案，采用一个以上的中介片来将有源芯片电耦接至封装基板。

为了该目的而实现的传统中介片通常包括形成在半导体基板上的中介片电介质。半导体通孔(TSV)通常用于提供电源和接地连接以及将I/O信号提供给有源芯片。然而，在TSV之中的寄生耦合导致的通过半导体基板的泄漏可以不利地影响通过传统中介片的电信号。

发明内容

基本上如结合至少一个附图所示出/描述的并且如在权利要求中更完整地提出的，本公开涉及具有桥型中介片的半导体封装。

本发明提供了一种半导体封装，包括：桥型中介片；第一有源芯片，具有位于桥型中介片之上的第一部分，以及不位于桥型中介片之上的第二部分；第二有源芯片，具有位于桥型中介片之上的第一部分，以及不位于桥型中介片之上的第二部分；第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分包括安装在封装基板上的焊球；第一有源芯片和第二有源芯片采用焊球而不采用半导体通孔将电信号通信至封装基板。

优选地，第一有源芯片和第二有源芯片通过桥型中介片来通信芯片至芯片信号。

优选地，第一有源芯片通过采用在桥型中介片中的AC信号垫来将AC信号通信至第二有源芯片。

优选地，桥型中介片由中介片电介质形成，该中介片电介质具有在其中形成的中介片内布线痕迹。

优选地，桥型中介片由包括味之素TM组成膜的中介片电介质形成，该味之素TM组成膜具有在其中形成的中介片内布线痕迹。

优选地，焊球通过各自的导电柱而耦接至第一有源芯片的第二部分以及第二有源芯片的第二部分。

优选地，第一有源芯片和第二有源芯片采用焊球和各自的导电柱将电信号通信至封装基板。

优选地，该半导体封装还包括在第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分上在各自的导电柱之间形成的钝化层。

本发明还提供了一种半导体封装，包括：桥型中介片；第一有源芯片，具有位于桥型中介片之上的第一部分，以及不位于桥型中介片之上的第二部分；第二有源芯片，具有位于桥型中介片之上的第一部分，以及不位于桥型中介片之上的第二部分；第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片通过桥型中介片来通信芯片至芯片信号；封装基板，位于第一有源芯片和第二有源芯片之下，第一有源芯片和第二有源芯片采用接合配线将电信号通信至封装基板。

优选地，第一有源芯片通过桥型中介片将DC信号通信至第二有源芯片。

优选地，第一有源芯片通过采用在桥型中介片中的AC信号垫将AC信号通信至第二有源芯片。

优选地，桥型中介片由中介片电介质形成，该中介片电介质具有在其中形成的中介片内布线痕迹。

优选地，桥型中介片由包括味之素TM组成膜的中介片电介质形成，该味之素TM组成膜具有在其中形成的中介片内布线痕迹。

本发明还提供了一种半导体封装，包括：桥型中介片，具有包括AC信号垫的第一表面；第一有源芯片，具有面向桥型中介片的第一表面的第一部分；第二有源芯片，具有面向桥型中介片的第一表面的第一部分；第一有源芯片和第二有源芯片采用桥型中介片的AC信号垫来通信AC芯片至芯片信号。

优选地，第一有源芯片和第二有源芯片被配置为通过桥型中介片来通信DC芯片至芯片信号。

优选地，桥型中介片由中介片电介质形成，该中介片电介质具有在其中形成的中介片内布线痕迹。

优选地，桥型中介片由包括味之素TM组成膜的中介片电介质形成，该味之素TM组成膜具有在其中形成的中介片内布线痕迹。

优选地，第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分包括安装在封装基板上的焊球；第一有源芯片和第二有源芯片采用焊球而不采用半导体通孔将电信号通信至封装基板。

优选地，焊球通过各自的导电柱而耦接至第一有源芯片的第二部分以及第二有源芯片的第二部分。

优选地，该半导体封装还包括在第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分上在各自的导电柱之间形成的钝化层。

附图说明

图1A示出了包括桥型中介片的半导体封装的一个实施方式的截面图。