[发明专利]半导体芯片的构造及制作方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片构造包含：

一电路层；

一有源表面，设有复数个芯片焊垫用以电性连接至所述电路层；

一无源表面，设有一金属层及多个凹槽，所述金属层不覆盖所述凹槽；及

多个硅穿导孔，接触所述金属层且电性连接所述金属层至所述电路层；

其中每一所述凹槽呈分别位于所述芯片的四个侧边上，且每一所述凹槽的长度小于所述芯片的侧边的边长。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：所述凹槽为呈长条形的一阶状部，并且所述凹槽与相邻侧边上的凹槽间隔设置。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：所述芯片的四个角落分别具有一强化转角。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：每一所述凹槽呈一长条形半环状并有一受所述凹槽包围的一残留部，分别设于定义芯片尺寸的四个侧边上，且每一所述凹槽的长度小于所述芯片的侧边的边长，并与相邻侧边上的凹槽间隔设置。

5.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：

一基板；

一芯片，包含：

一电路层；

一有源表面，设有复数个芯片焊垫用以电性连接至所述电路层；

一无源表面，设有一金属层及多个凹槽，所述金属层不覆盖所述凹槽；

及

多个硅穿导孔，接触所述金属层且电性连接所述金属层至所述电路层； 

其中每一所述凹槽呈分别位于所述芯片的四个侧边上，且每一所述凹槽的长度小于所述芯片的侧边的边长；及

一封装体，封装所述芯片於所述基板上；

其中，所述芯片的无源表面的金属层朝下通过一焊锡层固定于所述基板上，所述芯片焊垫通过多条导线电性连接至所述基板。

6.如权利要求5所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板是一有机基板。

7.如权利要求5所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板是一导线架，所述导线架包含一芯片承座及多个引脚，所述芯片的无源表面的金属层朝下通过所述焊锡层固定于所述承座上，所述芯片焊垫通过所述多条导线电性连接至所述引脚。

8.如权利要求5所述的半导体封装构造，其特征在于：所述凹槽为呈长条形的一阶状部，并且所述凹槽与相邻侧边上的凹槽间隔设置。

9.如权利要求5所述的半导体封装构造，其特征在于：所述芯片的四个角落分别具有一强化转角。

10.如权利要求5所述的半导体封装构造，其特征在于：每一所述凹槽呈一长条形半环状并有一受所述凹槽包围的一残留部，分别设于定义芯片尺寸的四个侧边上，且每一所述凹槽的长度小于所述芯片的侧边的边长，并与相邻侧边上的凹槽间隔设置。

11.一种半导体芯片的制作方法，其特征在于：所述半导体芯片的制作方法包含以下步骤：

(a)提供一晶圆包含复数个阵列排列的芯片以及复数个切割道区域位于所述芯片之间，每一所述芯片包含一有源表面及一无源表面，所述有源表面上设有一电路层；

(b)于每一所述芯片之无源表面上形成至少一盲孔以及于所述切割道区 域形成多个沟槽；

(c)于所述无源表面上形成一第一金属层，所述第一金属层覆盖所述盲孔但不覆盖所述沟槽；

(d)利用所述第一金属层为电流路径，电镀一第二金属层；

及

(e)沿所述多个切割道区域切割所述晶圆成为多个芯片。

12.如权利要求11所述的半导体芯片的制作方法，其特征在于：所述沟槽的深宽比至少为10∶1。

13.如权利要求11所述的半导体芯片的制作方法，其特征在于：所述芯片具有四个侧边，所述沟槽的长度为所述芯片的侧边的边长的85％至95％。