[发明专利]半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种包覆有接地金属层的半导体封装件及其制法。

背景技术

现今，随着科技发展的进步，电子产品的业者纷纷开发出各种不同型态的半导体封装产品，且为了对应科技趋势及提升电性品质，多数半导体封装产品具有屏障功能，以防止电磁干扰（Electromagnetic Interference，EMI），此外，为了使半导体封装产品做更有效的运用，所以半导体封装件的空间分配变得格外重要，因此，仍须不断的改进与克服半导体封装结构的工艺技术，以符合现代科技产品的趋势。

然而，一般的半导体封装件中，是于该半导体封装件的顶面、两相对侧边及邻接该侧边的部分底面镀上一层金属层，且该部分底面上的金属层连接该半导体封装件底面的电性接触垫，因此，该电性接触垫电性连接该金属层，以达到接地与电磁波遮蔽（EMI Shielding）的效果。

接着，请参阅图1A至图1C，其为现有半导体封装件及其制法的剖面示意图。

如图1A所示，提供一封装基板10与封装胶体11，该封装基板10具有相对的第一表面10a及第二表面10b，且该封装基板10的第一表面10a上具有多个电性接触垫100及多个静电放电防护垫101。

如图1B至图1C所示，提供一收纳槽12，该收纳槽12具有底部14与凹部16。将该封装基板10的第一表面10a设于该底部14上，使该底部14遮盖住各该电性接触垫100，且该凹部16对应并外露各该静电放电防护垫101。接着，借由化学镀膜方式形成金属层18于该封装胶体的顶面11a、该封装基板10的部分侧表面10c、以及该封装胶体11的部分侧表面11b上，该金属层18并延伸连接至该封装基板10的第一表面10a上的静电放电防护垫101；最后，移除该收纳槽12，并令该静电放电防护垫101作为接地，如图1C所示。

不过，前述方式形成的金属层只能于封装基板的底面角落或侧边的静电放电防护垫连接，使得于半导体封装件的接地布局备受限制，在工艺空间运用上显得较不具有弹性。

因此，如何克服现有技术的种种问题，实为一重要课题。

发明内容

为解决上述现有技术的种种问题，本发明的主要目的在于揭露一种半导体封装件及其制法，可更有弹性地运用半导体封装件的接地布局。

本发明的半导体封装件包括：本体，其包括具有相对的第一表面与第二表面的封装基板、形成于该封装基板的第一表面上的多个第一电性接触垫与多个第二电性接触垫、及形成于该封装基板的第二表面上的封装胶体；金属层，其包覆该本体的表面；以及多个开孔，其形成于该封装基板的第一表面上，以贯穿该金属层，并外露该第一电性接触垫。

本发明又提供一种半导体封装件的制法，其包括：提供一本体，其包括具有相对的第一表面与第二表面的封装基板、形成于该封装基板的第一表面上的多个第一电性接触垫与多个第二电性接触垫、及形成该封装基板的第二表面上的封装胶体；于各该第一电性接触垫上形成覆盖层；形成包覆该本体表面的金属层；以及移除该覆盖层，以令该封装基板的第一表面上形成贯穿该金属层的多个开孔，且该开孔外露该第一电性接触垫。

前述的半导体封装件的制法中，先使该本体借覆盖层接置于一承载板上，再形成该金属层，且移除该覆盖层还包括移除该承载板。

前述的半导体封装件的制法中，是利用水或溶剂移除该覆盖层。

前述的半导体封装件的制法中，是借由薄膜沉积方式形成该金属层，且形成该覆盖层的方式为网版印刷。

前述的半导体封装件及其制法，至少一该第二电性接触垫位于两相邻的第一电性接触垫间，且至少一该第一电性接触垫位于该第二电性接触垫与该封装基板侧面之间。

前述的半导体封装件及其制法，仅形成导电组件于该开口中的第一电性接触垫上。

前述的半导体封装件及其制法，至少一该导电组件电性连接该金属层，以作为接地的使用，且该封装基板内部具有连接部份第一电性接触垫与第二电性接触垫的内部线路。

前述的半导体封装件及其制法，该第二电性接触垫为接地垫。

前述的半导体封装件及其制法，该本体为系统级封装（system in package，SiP）模块。