[发明专利]半导体封装件及其制法与其封装基板

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

封装基板，其具有置晶区；

多个第一导流块，其形成于该封装基板的置晶区的外围上；

第一半导体组件，其置放于该置晶区上；

第二半导体组件，其置放于该第一半导体组件上；以及

胶体，其形成于该封装基板与该第二半导体组件之间，以包覆该第一半导体组件及该些第一导流块。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一导流块的高度大于或等于该第一半导体组件的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体组件以覆晶方式结合于该置晶区上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体组件未接触该些第一导流块。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第二半导体组件的结合侧的面积大于该第一半导体组件的结合侧的面积。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第二半导体组件未接触该些第一导流块。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括第三半导体组件与第四半导体组件，其置放于该第一与第二半导体组件之间。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体组件具有结合区及多个第二导流块，该些第二导流块形成于该结合区的外围，且该第三半导体组件结合于该结合区上，而该第四半导体组件则设于该第二与第三半导体组件之间。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该第四半导体组件的结合侧的面积大于该第三半导体组件的结合侧的面积。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该胶体还包覆该些第二导流块、第三半导体组件及第四半导体组件。

11.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一具有置晶区的封装基板，该封装基板于该置晶区的外围上具有多个第一导流块；

置放第一半导体组件于该置晶区上；

置放第二半导体组件于该第一半导体组件上；以及

形成胶体于该封装基板与该第二半导体组件之间，以包覆该第一半导体组件及该些第一导流块。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一导流块的高度大于或等于该第一半导体组件的高度。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一半导体组件以覆晶方式结合于该置晶区上。

14.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一半导体组件并未接触该些第一导流块。

15.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第二半导体组件的结合侧的面积大于该第一半导体组件的结合侧的面积。

16.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第二半导体组件并未接触该些第一导流块。

17.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于还包括置放第三半导体组件与第四半导体组件于该第一与第二半导体组件之间。

18.根据权利要求17所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一半导体组件具有结合区及多个第二导流块，该些第二导流块形成于该结合区的外围，且该第三半导体组件结合于该结合区上，而该第四半导体组件则设于该第二与第三半导体组件之间。

19.根据权利要求17所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第四半导体组件的结合侧的面积大于该第三半导体组件的结合侧的面积。

20.根据权利要求17所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该胶体还包覆该些第二导流块、第三半导体组件及第四半导体组件。

21.一种封装基板，其包括：

基板本体，其具有置晶区；以及

多个第一导流块，其形成于该置晶区的外围上。