[发明专利]半导体壳体和制造半导体壳体的方法有效
申请号: | 201210065544.7 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102683300A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | T·科莱特;C·朱斯;P·斯顿夫 | 申请(专利权)人: | 迈克纳斯公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/16;H01L21/56;H01L21/52;B81B1/00;B81C1/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 壳体 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及如权利要求1前序部分所述的半导体壳体和如权利要求15前序部分所述的用于制造半导体壳体的方法。
背景技术
由“Fabrication and Performance of MEMS-Based Pressure Sensor Pachages Using Patterned Ultra-Thick Photoresists”,传感器,2009年9月,6200-6218页公开了一种半导体壳体、也称芯片壳体以及一种用于制造半导体壳体的方法。这种壳体还可以用于容纳传感器。为此该壳体在其上侧具有开口。借助该开口,在其它位置以浇铸物注塑包围的半导体本体的上侧面上的传感器可以与外界联通。如果是气体传感器,例如气体分子可以穿过该开口扩散到传感器。在制造这种壳体时重要的是,在模铸过程中,一方面保证没有模铸料挤入到开口区域中,另一方面用模铸料尤其覆盖键合线和非传感器区域(一般包括电路部分),以便可靠地保护这些区域免受环境影响。为此,在上述现有技术中,优选在半导体制造过程结束时,借助平版印刷工艺在半导体本体的表面上实现一个闭合的墙。该墙然后被压到模铸模具的内侧面上并将模铸料一直带到半导体本体上的该墙的高度上,在模铸模具中实施所谓“转移模铸工艺”。为了用塑料模铸物包围上侧上的键合线和其它部件,需要使墙构造得很高。此外墙与墙之间的高度变化只能很小,以便在将半导体本体压到转移室内侧面上时不会由于高的压力而损坏墙。
在EP0202701B1中公开了在半导体壳体中制造开口的另一方法。在此,在不构成墙的情况下,开口借助传统的、导引凸铸模的喷射模具构成。在此必需以相对成本昂贵的膜来包裹凸铸模。接着使凸铸模一直下降到半导体本体的表面上。该弹性膜还应防止损伤半导体表面。
由WO2006/114005A1公开了用于制造具有开口的半导体壳体的另一方法。在此,在制造塑料壳体之前,构成一个搭接传感器表面的墙,该墙最好在制造工艺接近结束时用湿化学方法去除。
发明内容
因此,本发明的目的是,提供一种装置和方法,它们改进现有技术。
该目的通过具有权利要求1特征的半导体壳体和如权利要求11所述的用于制造半导体壳体的方法实现。从属权利要求的内容是本发明的有利扩展结构。
按照本发明的第一主题,公开了一种半导体壳体,它具有一金属载体、一设置在金属载体上的半导体本体以及一塑料物,该半导体本体具有上侧面和下侧面,其中,该下侧面与金属载体力锁合地连接,并且,半导体本体在上侧面具有多个金属面,这些金属面为了半导体本体的电接通而借助键合线与引脚连接,该塑料物完全包围键合线并且部分地包围半导体本体的上侧面以及引脚,其中,塑料物在半导体本体上侧具有开口,一个框架形的或环形的墙在半导体本体的上侧构成,其中,该墙具有一顶面和一与半导体本体的边缘隔开间距的底面,该墙的内部净尺寸确定半导体本体上侧的开口的大小,其中,在半导体本体的上侧表面的法向矢量的方向上,塑料物在开口之外的区域中基本比墙具有更大的高度,并且,在墙的底面与半导体本体的上侧之间构成一固定层,该墙与在开口内部构成的传感器面隔开间距。
按照本发明的第二主题,公开了一种用于制造具有开口的半导体壳体的方法,其中,在过程工艺步骤中将晶片分割成半导体本体,将具有上侧面和下侧面的该半导体本体以其下侧面固定在金属载体上,将半导体本体与引脚在键合步骤中通过键合线电连接,以及在后一过程步骤中将一个框架形的墙固定在半导体本体的表面上,在一个接着的模铸步骤中将具有表面的凸铸模和该凸铸模的表面至少部分地压在墙的顶面上,接着将塑料物、也称为铸造物注射入并硬化,使得键合线完全被塑料物包围,半导体本体在表面上并且优选也在其侧面上部分地被塑料物包围,引脚部分地被塑料物包围。
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