[发明专利]半导体壳体和制造半导体壳体的方法

权利要求书

1.一种半导体壳体(10)，具有：

-一金属载体(90)，

-一设置在金属载体(90)上的半导体本体(80)，该半导体本体具有上侧面和下侧面，其中，该下侧面与该金属载体(90)力锁合地连接，

-其中，该半导体本体(80)在上侧面具有多个金属面(50)，这些金属面(50)为了该半导体本体(80)的电接通借助键合线(40)与引脚(60)连接，

-一塑料物(30)，该塑料物(30)完全包围所述键合线(40)并且部分地包围所述半导体本体(80)的上侧面以及所述引脚(60)，其中，该塑料物(30)在所述半导体本体(80)上侧具有开口(20)，

-所述半导体本体(80)的上侧上的、框架形的或环形的墙(110)，该墙具有顶面和与半导体本体的边缘间隔开的底面，该墙(110)的内部净尺寸确定半导体本体(80)的上侧的开口(20)的大小，

其特征在于，在该墙(110)的顶面上构成一板(125)，该板(125)遮盖该半导体本体(80)的上侧的所述开口(20)，并且，该板的边缘区域和该墙的外侧面形成与所述塑料物的形状锁合的连接，

在半导体本体(80)的上侧面的法向矢量的方向上，塑料物(30)在该开口(20)之外的区域中比墙(110)具有更大的高度，在墙(110)的底面与半导体本体(80)的上侧面之间构成一固定层(105)，该墙(110)与在开口(20)内部构成的传感器面隔开间距。

2.如权利要求1所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述固定层(105)构造为环绕闭合的带。

3.如权利要求1或2所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述墙(110)在至少一个外侧面上具有短臂(112)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述墙(110)由金属构成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述墙(110)具有基本上矩形的横截面和在至少100μm范围内的高度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述墙(110)的外侧面与半导体本体(80)的边缘隔开间距。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述塑料物(30)和所述墙(110)的顶面形成一缩肩，使得该墙(110)的该顶面的至少一部分不被塑料物(30)覆盖。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于，在该墙(110)的顶面与该板(125)之间构成一环绕的带状的粘接层(115)。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于所述板(125)相对于墙(110)的外侧面突出一个距离(d)。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体壳体(10)，其特征在于，所述板(125)的边缘区域和所述墙(110)的外侧面具有与所述塑料物(30)的形状锁合的连接。

11.一种用于制造具有开口(20)的半导体壳体(10)的方法，其中，在一个过程步骤中将晶片分割成半导体本体(80)，

将具有一个上侧面和一个下侧面的该半导体本体(80)以其下侧面固定在金属载体(90)上，

将半导体本体(80)与引脚(60)在键合步骤中通过键合线(40)电连接，其特征在于，

在后一过程步骤中将一框架形的墙(110)固定在半导体本体(80)的表面上，在该墙(110)的顶面上构造一板(125)，通过该板(125)将该半导体本体(80)的上侧的所述开口(20)遮盖，

在一个接着的模铸步骤中将具有表面的凸铸模和该凸铸模的表面至少部分地压在该墙(110)的顶面上，接着将塑料物(30)注入并硬化，使得键合线(40)完全被塑料物(30)包围并且半导体本体(80)的表面以及引脚(60)部分地被塑料物(30)包围，

并且，在该板的边缘区域处和在该墙的外侧面上形成与所述塑料物的形状锁合的连接。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在墙(110)的整个长度上，至少墙(100)的顶面的一部分或板(125)的一部分被凸铸模的表面的一部分形状锁合地封闭。